標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 25075-2010 太陽能電池用砷化鎵單晶》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于制造太陽能電池的砷化鎵單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容。其目的是確保砷化鎵單晶材料的質(zhì)量，滿足太陽能電池生產(chǎn)的需求。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，砷化鎵單晶應(yīng)具備良好的晶體結(jié)構(gòu)完整性，低缺陷密度，并且需要控制摻雜元素及其濃度以獲得所需的電學(xué)性能。對于外觀質(zhì)量，標(biāo)準(zhǔn)提出了明確的要求，比如不允許存在裂紋等嚴(yán)重影響使用的缺陷。

在測試方面，《GB/T 25075-2010》詳細(xì)列出了包括電阻率測量、載流子濃度測定、少數(shù)載流子壽命測試在內(nèi)的多種物理化學(xué)性質(zhì)檢測方法。這些測試旨在全面評估砷化鎵單晶的各項(xiàng)性能指標(biāo)是否符合規(guī)定值。

此外，還規(guī)定了產(chǎn)品出廠前必須經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗(yàn)程序，只有當(dāng)所有項(xiàng)目均達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求時才能被允許投放市場。同時，關(guān)于產(chǎn)品的標(biāo)識信息也做了具體指導(dǎo)，如需注明生產(chǎn)廠家名稱、規(guī)格型號等基本信息；對于包裝方式，則建議采取能夠有效防止碰撞損壞及環(huán)境因素影響的方法。

最后，在運(yùn)輸過程中需要注意避免劇烈震動或溫度驟變對材料造成損害，并且在儲存時應(yīng)選擇干燥通風(fēng)條件良好之處，遠(yuǎn)離有害氣體腐蝕性物質(zhì)。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2010-09-02 頒布
  • 2011-04-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25075—2010

太陽能電池用砷化鎵單晶

Galliumarsenidesinglecrystalforsolarcell

2010-09-02發(fā)布2011-04-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T25075—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曾一平趙有文提劉旺崔利杰向磊普世坤

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T25075—2010

太陽能電池用砷化鎵單晶

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用砷化鎵單晶棒以下簡稱砷化鎵單晶棒的分類技術(shù)要求檢驗(yàn)方法和

()、、

規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造砷化鎵太陽能電池的砷化鎵單晶滾圓棒

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

GB/T8760

3要求

31分類

.

砷化鎵單晶棒按導(dǎo)電類型分為型和型兩種類型

np。

32規(guī)格

.

砷化鎵單晶棒按直徑分為????四種規(guī)格

50.8mm、76.2mm、100mm、150mm。

33外形尺寸

.

砷化鎵單晶棒的外形尺寸應(yīng)符合表的規(guī)定表中未列出外形尺寸及允許偏差由供需雙方協(xié)商

1,

解決

。

表1外形尺寸單位為毫米

晶棒直徑

50.876.2100150

允許偏差

±0.4±0.4±0.4±0.4

晶棒長度

≥40≥50≥50≥60

34外觀

.

砷化鎵單晶棒滾圓后的棒體表面及棒的兩個截面上不允許存在超過2的崩痕或崩邊

2mm。

35電學(xué)性能

.

砷化鎵單晶棒的電學(xué)

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