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杭州士蘭明芯科技有限公司簡介2013年3月報告提綱士蘭明芯背景與現(xiàn)狀產(chǎn)品簡介士蘭明芯特點與優(yōu)勢

士蘭明芯未來發(fā)展規(guī)劃士蘭明芯背景與現(xiàn)狀成立于2004年9月，位于杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。注冊資本金7億元人民幣，由上市公司杭州士蘭微電子股份有限公司（SH.600460)獨(dú)資成立。目前產(chǎn)品應(yīng)用：戶內(nèi)外彩屏、景觀照明、通用照明?，F(xiàn)有員工500余人，其中銷售、管理、技術(shù)人員約120余人。月產(chǎn)能達(dá)到6萬片2英寸外延片，其中15000片用于白光照明。

外延爐(MOCVD)主要生產(chǎn)設(shè)備①德國AIXTRON(愛思強(qiáng))公司-------------15臺②美國VEECO（維易科）公司-----------8臺

產(chǎn)品介紹顯示屏用LED芯片高亮度藍(lán)光LED芯片高亮度綠光LED芯片高亮度紅光LED芯片白光照明用高亮藍(lán)光LED芯片高亮藍(lán)光LED芯片GaN基LED產(chǎn)品BlueLED

EpitaxialWaferGreenLEDEpitaxialWaferBlueLEDChipGreenLEDChipAlInGaP紅光LED產(chǎn)品HighBrightnessRedLEDChipHighPowerBlueLEDChip現(xiàn)有產(chǎn)品

高亮度藍(lán)光LED芯片

芯片特性

抗ESD水平高（2000VHBM）電極粘附可靠色彩分檔細(xì)致（2.5nm）亮度10mcd分檔

漏電流小，10V小于0.5μA電流5mA-20mA色差小于3nm芯片尺寸200μm、230μm、250μm、280μm、300μm、320μm任選

芯片結(jié)構(gòu)

高亮度綠光LED芯片

芯片結(jié)構(gòu)

芯片特性

抗ESD水平高（2000VHBM）電極粘附可靠色彩分檔細(xì)致（2.5nm）亮度20mcd分檔

漏電流小，10V小于0.5μA電流5mA-20mA色差小于5nm芯片尺寸200μm、230μm、250μm、280μm、300μm、320μm任選

芯片結(jié)構(gòu)

芯片特性

高亮度紅光LED芯片

抗ESD水平高（2000VHBM）電極粘附可靠色彩分檔細(xì)致（2nm）亮度30mcd分檔

漏電流小，10V小于0.5μA電流5mA-20mA色差小于1nm芯片尺寸280μm

用于白光照明的LED芯片小功率白光芯片8x12mil@20mA---------6lm8x20mil@20mA---------7lm10x16mi@20mAl--------7lm10x23mil@20mA--------8lm中功率白光芯片14x28mil@100mA----------40lm20x40mil@150mA----------50lm大功率白光芯片45x45mil@350mA-----------130-140lm藍(lán)色發(fā)光二極管芯片?

芯片描述SL-NWIT0812-[V#W#I#]藍(lán)色發(fā)光二極管芯片?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積178?x278?芯片面積200?x300?(10?)芯片厚度83?(5?)N電極Φ=80?P電極Φ=80?電極間距15?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：2000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為800V全測合格。項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=20mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏電IRVR=10V--0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mAP11416毫瓦P21618P31820P42022…………封裝成白光達(dá)到6lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積234x387?芯片面積254?x407?(10?)芯片厚度100?(5?)N電極Φ=75?P電極Φ=75?電極間距15?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：6000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格。SL-NWIT1016-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=10V--0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P324-26P426-28P528-30…………封裝成白光達(dá)到7lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積180x485?芯片面積203?x508?(10?)芯片厚度100?(5?)N電極Φ=75?P電極Φ=75?電極間距15?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：6000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格。SL-NWIT0820-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=10V--0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P324-26P426-28P528-30…………封裝成白光達(dá)到7lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積228?x555?芯片面積250?x577?(10?)芯片厚度100?(5?)N電極Φ=75?P電極Φ=75?電極間距15?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：6000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格。SL-NWIT1023-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=10V--0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P426-28P528-30P630-32…………封裝成白光達(dá)到8lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積330?x690?芯片面積357?x712?(10?)芯片厚度120?(10?)N電極Φ=90?P電極Φ=90?電極間距20?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：2000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為1000V全測合格。SL-MWIT1428-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=100mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=5V--0.5微安主波長DIF=100mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=100mA……-…毫瓦P5100-110P6110-120P7120-130P8130140…………封裝成白光達(dá)到40lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積493?x1001?芯片面積508?x1016?(10?)芯片厚度120?(5?)N電極Φ=100?P電極Φ=100?電極間距60?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：2000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為1000V全測合格。SL-MWIT2040-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=150mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=5V--0.5微安主波長DIF=150mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=150mA……-…毫瓦P5120-130P6130-140P7140-150P8150160…………封裝成白光達(dá)到50lm以上?

芯片描述描述尺寸發(fā)光區(qū)面積1102?x1102?芯片面積1133?x1133?(10?)芯片厚度150?(5?)N電極Φ=110?P電極Φ=110?電極間距120?電極材料Al?光學(xué)和電學(xué)參數(shù)

(Ta=25

℃

)?

機(jī)械規(guī)范*說明：2000V是ESD測試基于統(tǒng)計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為500V全測合格。SL-MWIT4545-[V#W#I#]項目符號條件最小值典型值最大值單位正向電壓VFIF=350mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏電IRVR=5V--2微安主波長DIF=350mAW1445-447.5納米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=350mA…………毫瓦P2260280P3280300P4300320…………封裝成白光達(dá)到130lm以上垂直結(jié)構(gòu)LED功率芯片可以實現(xiàn)10W/mm2輸入，輸入電流最大可以達(dá)到3A，光效達(dá)到120lm/W。研發(fā)成果獲得2012年度“杭州市科技進(jìn)步一等獎”及“浙江省科技進(jìn)步三等獎”。研發(fā)產(chǎn)品知識產(chǎn)權(quán)情況授權(quán)：發(fā)明專利8項實用新型專利4項外觀專利2項申請：中國發(fā)明專利69項國際發(fā)明專利2項主要客戶深圳九州

JiuZhouOptoelectronicsCo.,Ltd深圳雷曼LedmanOptoelectronicsCo.,Ltd深圳艾比森

ShenZhenAbsenIndustryCo.,Ltd佛山國星FoshanNationstarOptoelectronicsCo.,Ltd上海