標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 22572-2008 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),主要針對(duì)使用二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術(shù)時(shí)如何通過特定的多層結(jié)構(gòu)材料來評(píng)價(jià)儀器或方法在深度方向上的分辨能力。該標(biāo)準(zhǔn)適用于所有利用SIMS進(jìn)行表面及近表面區(qū)域成分分析的研究機(jī)構(gòu)、實(shí)驗(yàn)室以及相關(guān)企業(yè)。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),多δ層參考物質(zhì)是指一種由兩個(gè)或更多個(gè)不同化學(xué)組成的薄層交替堆疊而成的人工合成樣品,這些層之間具有清晰界定的界面,并且每層厚度非常均勻,通常處于納米級(jí)別。選擇合適的多δ層參考物質(zhì)對(duì)于準(zhǔn)確評(píng)估SIMS系統(tǒng)的深度分辨率至關(guān)重要。

標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)描述了實(shí)驗(yàn)步驟,包括但不限于:

  • 參考物質(zhì)的選擇依據(jù)及其特性;
  • 樣品制備的具體要求;
  • SIMS測(cè)試條件設(shè)置建議;
  • 數(shù)據(jù)采集與處理方法;
  • 深度分辨率計(jì)算公式及解釋。

此外,《GB/T 22572-2008》還強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)過程中需要注意的一些關(guān)鍵點(diǎn),比如保持良好的真空環(huán)境以減少背景信號(hào)干擾、確保離子束能量穩(wěn)定等,這些都是影響最終測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確性的重要因素。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-12-11 頒布
  • 2009-10-01 實(shí)施
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GB/T 22572-2008表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法_第1頁(yè)
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GB/T 22572-2008表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法_第3頁(yè)
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GB/T 22572-2008表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛71.040.40

犌04

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜22572—2008/犐犛犗20341:2003

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

用多δ層參考物質(zhì)

評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法

犛狌狉犳犪犮犲犮犺犲犿犻犮犪犾犪狀犪犾狔狊犻狊—犛犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔—

犕犲狋犺狅犱犳狅狉犲狊狋犻犿犪狋犻狀犵犱犲狆狋犺狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀

狆犪狉犪犿犲狋犲狉狊狑犻狋犺犿狌犾狋犻狆犾犲犱犲犾狋犪犾犪狔犲狉狉犲犳犲狉犲狀犮犲犿犪狋犲狉犻犪犾狊

(ISO20341:2003,IDT)

20081211發(fā)布20091001實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

用多δ層參考物質(zhì)

評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法

GB/T22572—2008/ISO20341:2003

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本880×12301/16印張0.5字?jǐn)?shù)8千字

2009年3月第一版2009年3月第一次印刷

書號(hào):155066·135762

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犌犅/犜22572—2008/犐犛犗20341:2003

前言

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO20341:2003《表面化學(xué)分析———二次離子質(zhì)譜———用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估深

度分辨參數(shù)的方法》。

為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)ISO20341:2003做了下列編輯性修改:

———?jiǎng)h除了原國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言部分;

———將本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)改為本標(biāo)準(zhǔn)。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為規(guī)范性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬農(nóng)農(nóng)、何友琴、何秀坤。

犌犅/犜22572—2008/犐犛犗20341:2003

引言

深度分辨是二次離子質(zhì)譜(SIMS)深度剖析的一個(gè)重要參數(shù)。然而,在SIMS分析中,影響濺射深

度剖析結(jié)果的因素很多,包括離子束誘導(dǎo)的混合和偏析、電荷驅(qū)動(dòng)的擴(kuò)散、基體效應(yīng)、弧坑形狀和表面微

形貌等。只有了解并盡量降低以上因素的影響,才能得到最佳的深度分辨。

獲取最佳的深度分辨通常要求特定的分析條件,包括超低的一次離子束能量、掠入射、旋轉(zhuǎn)樣品、低

溫冷卻樣品等,所有這些條件在常規(guī)的SIMS分析中都很難滿足。此外,對(duì)每一種樣品所要求的最佳分

析參數(shù)可能很不相同。進(jìn)而,各種儀器因素,如弧坑的形狀、離子束的同一性、弧坑邊沿效應(yīng)的消除、質(zhì)

量干擾、記憶效應(yīng)、殘氣效應(yīng)等,也會(huì)影響深度分辨的各個(gè)方面。

因此,在常規(guī)的SIMS分析條件下,難以直接評(píng)估深度分辨。本標(biāo)準(zhǔn)闡述了前沿衰變長(zhǎng)度、后沿衰

變長(zhǎng)度和高斯展寬的概念,提出了每個(gè)參數(shù)的測(cè)量步驟。多δ層參考物質(zhì)就可用于評(píng)估在常規(guī)SIMS

分析條件下的深度分辨參數(shù)。

犌犅/犜22572—2008/犐犛犗20341:2003

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

用多δ層參考物質(zhì)

評(píng)估深度分辨參數(shù)的方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)說明了在SIMS深度剖析中,用多δ層參考物質(zhì)評(píng)估前沿衰變長(zhǎng)度、后沿衰變長(zhǎng)度和高

斯展寬三個(gè)深度分辨參數(shù)的步驟。

由于樣品表面的物理和化學(xué)態(tài)受一次入射離子影響而不穩(wěn)定,本標(biāo)準(zhǔn)不適用于近表面區(qū)域的δ層。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T22461表面化學(xué)分析詞匯(GB/T22461—2008,ISO18115:2001,IDT)

3符號(hào)

犃L,犃T比例因子。

犅,犆比例系數(shù)。

犐(狕)隨深度的二次離子強(qiáng)度。

狕深度。

狕0表觀峰的深度。

λL

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