IC537.020N33中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T18735—2002分析電鏡（AEM/EDS)納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范Generalspecificationofnanometerthinstandardspecimenforanalyticaltransmissionelectronmicroscopyy（AEM/EDS）2002-05-22發(fā)布2002-12-01實(shí)施中華：人民共清和愛布國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T18735-2002目次前言范圍···2規(guī)范性引用文件術(shù)語(yǔ)標(biāo)樣的技術(shù)要求5試樣的檢測(cè)6包裝與運(yùn)

GB/T18735-2002本標(biāo)準(zhǔn)無(wú)相應(yīng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)參照,是我國(guó)首次在該領(lǐng)域制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各項(xiàng)準(zhǔn)則,主要適用于分析電鏡·即透射電子顯微鏡——X射線能譜儀（AEM/EDS).依據(jù)比值法即CIiff-Lorimer法進(jìn)行無(wú)機(jī)薄樣品定量分析時(shí).測(cè)量比例因子人。所需納米薄標(biāo)樣的通用規(guī)范和檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：武漢理工大學(xué)、中科院廣州地球化學(xué)研究所，本標(biāo)準(zhǔn)起草人：孫振亞、劉永康

GB/T18735-2002分析電鏡(AEM/EDS)納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了分析電鏡（AEM/EDS)即透射電子顯微鏡或裝有掃描附件的透射電鏡-X射線能譜儀·測(cè)量比例因子(K。")所用納米薄標(biāo)樣的技術(shù)要求、檢測(cè)條件和檢測(cè)方法。規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T4930—1993電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品通用技術(shù)條件3術(shù)語(yǔ)3.1臨界厚度Criticnlthickncss在一定的加速電壓下,樣品分析區(qū)域?qū)射線的吸收效應(yīng)可以忽略而無(wú)須做吸收校正時(shí)的最大厚度。臨界厚度T可用下式表示：T.=1/(60|-《|coca)式中武樣的密度；元素A的特征X射線在樣品中的質(zhì)量吸收系數(shù)：元素B的特征X射線在樣品中的質(zhì)量吸收系數(shù)：與X射線能譜儀相關(guān)的X射線出射角。引用上式，忽略吸收效應(yīng)·測(cè)量?jī)蓚€(gè)元素A、B的特征X射線強(qiáng)度比值7。/7e時(shí),產(chǎn)生的相對(duì)誤差最大為10%。3.2比例因子ratiofactor在一定的工作電壓下.對(duì)已知成分且厚度小于或等于臨界厚度的薄試樣，從同一微區(qū)同時(shí)測(cè)得元素A與B的特征X射線某一譜線強(qiáng)度，則比例因子人。o由下式給出：KAB=（CA/CB）X（IB/1A）………（2）上式中A和B分別為試樣中待測(cè)元素和參考元素。C、和Co則分別為元素A和B的化學(xué)定值質(zhì)量百分比含量;1。和7。則為相同分析條件下