線性電子電路第三章場效應管主要內(nèi)容3.0

概述3.1

場效應管的工作原理3.2

場效應管特性曲線3.3場效應管的使用注意事項3.4場效應管的等效電路3.5場效應管電路的分析方法第三章場效應管3.0概述

場效應管是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件,也是一種具有正向受控作用的半導體器件。它體積小、工藝簡單，器件特性便于控制，是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源器件。場效應管與三極管主要區(qū)別：

場效應管輸入電阻遠大于三極管輸入電阻。

場效應管是單極型器件（三極管是雙極型器件）。

場效應管受溫度的影響?。ㄖ挥卸嘧悠七\動形成電流）一、場效應管的種類第三章場效應管按結(jié)構(gòu)不同分為絕緣柵型場效應管MOSFET結(jié)型場效應管JFETP溝道N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道MOSFET（按工作方式不同）耗盡型（DMOS）增強型（EMOS）

溝道：指載流子流通的渠道、路徑。N溝道是指以N型材料構(gòu)成的區(qū)域作為載流子流通的路徑；P溝道指以P型材料構(gòu)成的區(qū)域作為載流子流通的路徑。第三章場效應管二、場效應管的結(jié)構(gòu)示意圖及其電路符號

JFET結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號SGDSGDP+P+NGSDN溝道JFETP溝道JFETN+N+PGSD返回耗盡型場管的結(jié)構(gòu)示意圖及其電路符號第三章場效應管SGUDIDSGUDIDPP+N+SGDUN+N溝道DMOSNN+P+SGDUP+P溝道DMOS

DMOS管結(jié)構(gòu)VGS=0時，導電溝道已存在返回第三章場效應管增強型場管的結(jié)構(gòu)示意圖及其電路符號PP+N+N+SGDUNN+P+SGDUP+SGUDSGUD返回場效應管的電路符號第三章場效應管SGDSGDSGUDIDSGUDIDUSGDIDSGUDIDNEMOSNDMOSPDMOSPEMOSMOS場效應管MOSFET結(jié)型場效應管JFET返回總結(jié)總結(jié)：第三章場效應管

場效應管的電路符號可知：無論是JFET或是MOSFET，它都有三個電極：柵極G、源極S、漏極D。它們與三極管的三個電極一一對應（其實它們之間的對應關系除了電極有對應關系外，由它們構(gòu)成的電路的特性也有對應關系，這些我們在第四再給大家講）：

G---BS---ED----CN溝道管子箭頭是指向溝道的，而P溝道管子的箭頭是背離溝道的。返回3.1

場效應管的工作原理第三章場效應管

JFET與MOSFET工作原理相似，它們都是利用電場效應來控制電流，即都是利用改變柵源電壓vGS，來改變導電溝道的寬度和高度，從而改變溝道電阻，最終達到對漏極電流iD的控制作用。不同之處僅在于導電溝道形成的原理不同。(下面我們以N溝道JFET、N溝道增強型為例進行分析）

返回第三章場效應管3.1.1

JFET管工作原理

N溝道JFET管外部工作條件VDS>0(保證柵漏PN結(jié)反偏)VGS<0(保證柵源PN結(jié)反偏)P+P+NGSD

+

VGSVDS+-PN結(jié)反偏才能有效控制導電溝道的寬度和高度，從而才能有效控制電流。VGS對溝道寬度的影響VDS對溝道寬度的影響返回第三章場效應管

VGS對溝道寬度的影響|VGS|

阻擋層寬度若|VGS|

繼續(xù)溝道全夾斷使VGS=VGS(off)夾斷電壓若VDS=0NGSD

+

VGSP+P+N型溝道寬度溝道電阻Ron返回第三章場效應管

VDS對溝道的控制（假設VGS一定）VDS很小時

→

VGDVGS由圖

VGD=VGS-VDS因此

VDS→ID線性

若VDS→則VGD→近漏端溝道→

Ron增大。此時

Ron→ID變慢NGSD

+VGSP+P+VDS+-此時W近似不變即Ron不變VDS對溝道寬度的影響第三章場效應管

當VDS增加到使VGD=VGS(off)時→A點出現(xiàn)預夾斷

若VDS繼續(xù)→A點下移→出現(xiàn)夾斷區(qū)此時

VAS=VAG+VGS=-VGS(off)+VGS（恒定），

VDS的增加主要加在D、A之間形成很強的電場，由S向D行進的多子越過耗盡區(qū)到達漏極形成電流NGSD

+VGSP+P+VDS+-ANGSD

+VGSP+P+VDS+-A若忽略溝道長度調(diào)制效應，則近似認為l

不變（即Ron不變）。因此預夾斷后：VDS→ID基本維持不變。

返回第三章場效應管

N溝道EMOS管工作原理

N溝道EMOS管外部工作條件VDS>0

(保證柵漏PN結(jié)反偏)。U接電路最低電位或與S極相連(保證源襯PN結(jié)反偏)。VGS>0(形成導電溝道)PP+N+N+SGDUVDS-+-+

VGS柵襯之間相當于以SiO2為介質(zhì)的平板電容器。增強型管子溝道形成原理第三章場效應管

3.1.2N溝道EMOSFET溝道形成原理

假設VDS=0，討論VGS作用PP+N+N+SGDUVDS=0-+VGS形成空間電荷區(qū)并與PN結(jié)相通VGS襯底表面層中負離子、電子VGS開啟電壓VGS(th)形成N型導電溝道表面層

n>>pVGS越大，反型層中n

越多，導電能力越強。反型層返回第三章場效應管3.2

場效應管的伏安特性曲線（以NEMOSFET為例）

由于場效應管的柵極電流為零，故不討論輸入特性曲線。共源組態(tài)特性曲線：ID=f

(VGS)VDS=常數(shù)轉(zhuǎn)移特性：ID=f

(VDS)VGS=常數(shù)輸出特性：+TVDSIG0VGSID+--

轉(zhuǎn)移特性與輸出特性反映場效應管同一物理過程，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換。NDMOSFET的特性曲線NJFET的特性曲線輸出特性曲線可劃分四個區(qū)域：

ID只受UGS控制，而與UDS近似無關，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。

非飽和區(qū)（又稱可變電阻區(qū)）特點：ID同時受UGS與UDS的控制。ID/mAUDS/V0UDS=UGS–UTUGS=5V3.5V4V4.5VNEMOS管輸出特性曲線非飽和區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)。

飽和區(qū)（又稱恒流區(qū)）特點：VGS(th)—開啟電壓，開始有ID時對應的VGS值

截止區(qū)（ID

=0以下的區(qū)域）

擊穿區(qū)IG≈0，ID≈0第一章半導體器件返回第三章場效應管

非飽和區(qū)特點：ID同時受VGS與VDS的控制。當VGS為常數(shù)時，VDSID近似線性，表現(xiàn)為一種電阻特性；ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V當VDS為常數(shù)時，VGSID，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。溝道預夾斷前對應的工作區(qū)。條件：VGS>VGS(th)V

DS<VGS–VGS(th)因此，非飽和區(qū)又稱為可變電阻區(qū)。（對應三極管的飽和區(qū)）

3.2.1NEMOS管輸出特性曲線返回第三章場效應管特點：

ID只受VGS控制，而與VDS近似無關，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V溝道預夾斷后對應的工作區(qū)。條件：VGS>VGS(th)V

DS>VGS–VGS(th)

考慮到溝道長度調(diào)制效應，輸出特性曲線隨VDS的增加略有上翹。注意：飽和區(qū)（又稱恒流區(qū)）對應三極管的放大區(qū)。

飽和區(qū)飽和區(qū)工作時的數(shù)學模型返回第三章場效應管數(shù)學模型：若考慮溝道長度調(diào)制效應，則ID的修正方程：

工作在飽和區(qū)時，MOS管的正向受控作用，服從平方律關系式：其中：稱溝道長度調(diào)制系數(shù)，其值與l有關。通常=(0.005~0.03)V-1返回第三章場效應管特點：相當于MOS管三個電極斷開。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V溝道未形成時的工作區(qū)條件：VGS<VGS(th)ID=0以下的工作區(qū)域。IG≈0，ID≈0

擊穿區(qū)VDS增大到一定值時漏襯PN結(jié)雪崩擊穿

ID劇增。VDS溝道

l對于l較小的MOS管穿通擊穿。

截止區(qū)返回返回第三章場效應管VGS(th)=3VVDS

=5V

轉(zhuǎn)移特性曲線反映VDS為常數(shù)時，VGS對ID的控制作用,可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5VVDS

=5VID/mAVGS/V012345

轉(zhuǎn)移特性曲線中,ID≈0

時對應的VGS值,即開啟電壓VGS（th）

。

3.2.2

NEMOS管轉(zhuǎn)移特性曲線返回第三章場效應管ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=1V-1.5V-1V-0.5V0V0.5V-1.8VID/mAVGS/V0VGS(th)VDS>0，VGS

正、負、零均可。外部工作條件：DMOS管在飽和區(qū)與非飽和區(qū)的ID表達式與EMOS管相同。PDMOS與NDMOS的差別僅在于電壓極性與電流方向相反。

NDMOS管伏安特性返回第三章場效應管

NJFET管伏安特性ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5VID=0時對應的VGS值夾斷電壓VGS（off）。VGS=0時對應的ID值飽和漏電流IDSS。PJFET與NJFET的差別僅在于電壓極性與電流方向相反在飽和區(qū)時的數(shù)學模型：返回第三章場效應管

VDS極性取決于溝道類型N溝道：VDS>0，P溝道：VDS<0

VGS極性取決于工作方式及溝道類型增強型MOS管：VGS

與VDS

極性相同。耗盡型MOS管：VGS

取值任意。

飽和區(qū)數(shù)學模型

飽和區(qū)（放大區(qū)）外加電壓極性及數(shù)學模型結(jié)型FET管：VGS與VDS極性相反。MOSFET:JFET:幾種FET管子的轉(zhuǎn)移特性曲線比較:第三章場效應管N溝道：VDS>0ID(mA)VGS(V)VGS(th)VGS(th)VGS(off)VGS(th)VGS(th)VGS(off)P溝道：VDS<0

ID(mA)VGS(V)結(jié)型結(jié)型耗盡型耗盡型增強型增強型增強型MOS管：

VGS

與VDS

極性相同。耗盡型MOS管：

VGS

取值任意。結(jié)型FET管：

VGS與VDS極性相反。返回第三章場效應管3.3場效應管的使用注意事項

由于MOS管COX很小，因此當帶電物體（或人）靠近金屬柵極時，感生電荷在SiO2絕緣層中將產(chǎn)生很大的電壓VGS(=Q/COX)，使絕緣層擊穿，造成MOS管永久性損壞。MOS管保護措施：分立的MOS管：各極引線短接、烙鐵外殼接地。MOS集成電路：TD2D1D1D2一方面限制VGS間最大電壓，同時對感生電荷起旁路作用。第三章場效應管3.4場效應管的等效電路

3.4.1FET直流簡化電路模型(與三極管相對照)

場效應管G、S之間開路，IG0。三極管發(fā)射結(jié)由于正偏而導通，等效為VBE(on)。

FET輸出端等效為壓控電流源，ID受VGS控制。三極管輸出端等效為流控電流源，滿足IC=

IB。SGDIDVGSSDGIDIG0ID(VGS)+-VBE(on)ECBICIBIB+-具體電路分析小信號等效電路第三章場效應管例1

已知nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)=2V,求ID解：假設T工作在放大模式VDD(+20V)1.2M4kTSRG1RG2RDRS0.8M10kGID帶入已知條件解上述方程組得：ID=1mAVGS=4V及ID=2.25mAVGS=-1V（舍去）VDS=VDD-ID（RD+RS）=6V因此

驗證得知：VDS>VGS–VGS(th)，VGS>VGS(th)，假設成立。返回3.4.2

小信號電路模型第三章場效應管FET管高頻小信號電路模型

當高頻應用、需計及管子極間電容影響時，應采用如下高頻等效電路模型。gmvgsrdsgdsidvgs-vds++-CdsCgdCgs柵源極間平板電容漏源極間電容（漏襯與源襯之間的勢壘電容）柵漏極間平板電容簡化的小信號等效電路第三章場效應管gmvgsrdsgdsicvgs-vds++-

rds為場效應管輸出電阻：

由于場效應管IG0，所以輸入電阻rgs。而三極管發(fā)射結(jié)正偏，故輸入電阻rbe較小。與三極管輸出電阻表達式

相似。rbercebceibic+--+vbevceβibMOS管簡化小信號電路模型(與三極管對照)

返回gm的含義第三章場效應管FET跨導得

通常