ICS77040

H25.

中華人民共和國國家標準

GB/T14142—2017

代替

GB/T14142—1993

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

Testmethodforcrystallographicperfectionofepitaxiallayersinsilicon—

Etchingtechnique

2017-09-29發(fā)布2018-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14142—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142—1993《》。

本標準與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T14142—1993,:

修訂了方法提要見第章年版第章

———(4,19932);

增加了干擾因素見第章

———(5);

增加了無鉻溶液及其腐蝕方法見

———(5.2、6.13、9.2.2)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研半導體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司

。

本標準主要起草人馬林寶駱紅楊帆劉小青陳赫張海英

:、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14142—1993。

Ⅰ

GB/T14142—2017

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

1范圍

本標準規(guī)定了用化學腐蝕顯示并用金相顯微鏡檢驗硅外延層晶體完整性的方法

,。

本標準適用于硅外延層中堆垛層錯和位錯密度的檢驗硅外延層厚度大于缺陷密度的測試

,2μm,

范圍-2

0~10000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

硅材料原生缺陷圖譜

GB/T30453

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264GB/T30453。

4方法提要

用鉻酸氫氟酸混合液或氫氟酸硝酸乙酸硝酸銀的混合溶液腐蝕試樣硅外延層晶體缺陷被優(yōu)

、、、、,

先腐蝕用顯微鏡觀察試樣腐蝕表面可觀察到缺陷特征并對缺陷計數(shù)

。,。

5干擾因素

51腐蝕液放置時間過長有揮發(fā)沉淀物現(xiàn)象出現(xiàn)影響腐蝕效果

.,、,。

52不同腐蝕液有鉻無鉻的選擇可能會造成部分硅外延片的腐蝕效果不同

.(、),。

53腐蝕時間過短如果缺陷特征不明顯或未出現(xiàn)蝕坑則腐蝕時間應加長同時監(jiān)控硅外延層厚度

.,,,,。

54腐蝕時間過長腐蝕坑放大同時表面粗糙會造成顯微鏡下背景不清晰缺陷特征也不明顯

.,,,,。

55一次性腐蝕片以上外延片易造成腐蝕溫度升高腐蝕速率快反應物易吸附在試樣表面影響缺

.2,,,

陷觀察應注意需一次性腐蝕外延片的腐蝕液比例

,。

56腐蝕操作間溫度高低腐蝕溶液配比量等均會影響腐蝕溫度腐蝕速率從而影響對腐蝕效果的

.、、,

觀察

。

57檢測硅外延層厚度不大于的層錯或位錯缺陷時可以參考本標準需要仔細操作嚴格控制

.2μm,,,

腐蝕速率

。

58硅外延片清洗或淀積過程未能去除的污染在優(yōu)先腐蝕后可能會顯現(xiàn)出來

.,。

59擇優(yōu)腐蝕時如腐蝕液配液時攪拌不充分可能出現(xiàn)析出物易與晶體缺陷混淆

.,,,。

510顯微鏡視野區(qū)域的校準會直接影響缺陷密度計量的精確度

.