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專題三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
課堂互動(dòng)講練達(dá)標(biāo)突破訓(xùn)練專題三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課堂互動(dòng)講練考點(diǎn)一晶體的結(jié)構(gòu)1.晶體的常識(shí)(1)晶胞反映晶體結(jié)構(gòu)特征的基本重復(fù)單位。(2)晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算——均攤法如某個(gè)微粒為n個(gè)晶胞所共有,則該微粒有屬于這個(gè)晶胞。2.幾種典型的晶體模型晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解原子晶體金剛石(1)每個(gè)碳與4個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為109°28′(3)最小碳環(huán)由6個(gè)C組成且六原子不在同一平面內(nèi)(4)每個(gè)C參與4條C—C鍵的形成,C原子數(shù)與C—C鍵之比為1∶2SiO2(1)每個(gè)Si與4個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si,4個(gè)“O”,n(Si)∶n(O)=1∶2(3)最小環(huán)上有12個(gè)原子,即6個(gè)O,6個(gè)Si分子晶體干冰(1)8個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各占據(jù)1個(gè)CO2分子(2)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè)離子晶體NaCl(型)(1)每個(gè)Na+(Cl-)周圍等距且緊鄰的Cl-(Na+)有6個(gè)。每個(gè)Na+周圍等距且緊鄰的Na+有12個(gè)(2)每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-CsCl(型)(1)每個(gè)Cs+周圍等距且緊鄰的Cl-有8個(gè),每個(gè)Cs+(Cl-)周圍等距且緊鄰的Cs+(Cl-)有6個(gè)(2)如圖為8個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)Cl-金屬晶體體心立方堆積典型代表Na、K、Fe,配位數(shù)為8六方堆積典型代表Mg、Zn、Ti,配位數(shù)為12面心立方堆積典型代表Cu、Ag、Au,配位數(shù)為12【特別提醒】
1.判斷某種微粒周圍等距且緊鄰的微粒數(shù)目時(shí),要注意運(yùn)用三維想象法。如NaCl晶體中,Na+周圍的Na+數(shù)目(Na+用“○”表示):每個(gè)面上有4個(gè),共計(jì)12個(gè)。2.離子晶體中離子所帶電荷越多,離子半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高,硬度越大。(2010年高考海南卷改編題)金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。請(qǐng)回答下列問題:(1)Ni原子的核外電子排布式為___________;(2)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同,Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO__________FeO(填“<”或“>”);(3)NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為____________________________;例1(4)金屬鎳與與鑭(La)形成的合合金是一一種良好好的儲(chǔ)氫氫材料,,其晶胞胞結(jié)構(gòu)示示意圖如如下圖所所示。該該合金的的化學(xué)式式為_____________________________;(5)丁二酮肟肟常用于于檢驗(yàn)Ni2+:在稀氨氨水介質(zhì)質(zhì)中,丁丁二酮肟肟與Ni2+反應(yīng)可生生成鮮紅紅色沉淀淀,其結(jié)結(jié)構(gòu)如下下圖所示示。①該結(jié)構(gòu)中中,碳碳碳之間的的共價(jià)鍵鍵類型是是σ鍵,碳氮氮之間的的共價(jià)鍵鍵類型是是__________,氮鎳之之間形成成的化學(xué)學(xué)鍵是__________;②該結(jié)構(gòu)中中,氧氫氫之間除除共價(jià)鍵鍵外還可可存在__________;③該結(jié)構(gòu)中中,碳原原子的雜雜化軌道道類型有有_______?!敬鸢浮?1)[Ar]3d84s2或1s22s22p63s23p63d84s2(2)>(3)66(4)LaNi5(5)①σ鍵和π鍵配位位鍵②氫鍵③sp2和sp3跟蹤訓(xùn)練練(隨學(xué)隨練練,輕松松奪冠)1.元素X的某價(jià)態(tài)態(tài)離子Xn+中所有電電子正好好充滿K、L、M三個(gè)電子子層,它它與N3-形成的晶晶體結(jié)構(gòu)構(gòu)如圖所所示。(1)該晶體的的陽離子子與陰離離子個(gè)數(shù)數(shù)比為_______。(2)該晶體中中Xn+中n=__________。(3)X元素的原原子序數(shù)數(shù)是__________。(4)晶體中每每個(gè)N3-被______個(gè)等距離離的Xn+包圍。答案:(1)3∶1(2)1(3)29(4)6考點(diǎn)二四種晶體的比較1.四種晶晶體的比比較類型比較分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子粒子間的相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大,有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高,有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑常見溶劑難溶大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電,水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電物質(zhì)類別及舉例大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物(SiO2除外)、絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外)部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼),部分非金屬化合物(如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅)金屬氧化物(如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大部分鹽(如NaCl)【特別提醒醒】1.原子晶體體的熔點(diǎn)點(diǎn)不一定定比離子子晶體高高,如MgO的熔點(diǎn)為為2852℃,石英的的熔點(diǎn)為為1710℃。2.金屬晶晶體的熔熔點(diǎn)不一一定比分分子晶體體的熔點(diǎn)點(diǎn)高,如如Na的熔點(diǎn)為為97℃,尿素的的熔點(diǎn)為為132.7℃。2.晶體熔熔、沸點(diǎn)點(diǎn)高低的的比較(1)不同類型型晶體的的熔、沸沸點(diǎn)高低低一般規(guī)規(guī)律原子晶體體>離子子晶體>>分子晶晶體。金屬晶體體的熔、、沸點(diǎn)差差別很大大,如鎢鎢、鉑等等沸點(diǎn)很很高,如如汞、鎵鎵、銫等等沸點(diǎn)很很低。(2)原子晶體體由共價(jià)鍵鍵形成的的原子晶晶體中,,原子半半徑小的的鍵長(zhǎng)短短,鍵能能大,晶晶體的熔熔、沸點(diǎn)點(diǎn)高。如如熔點(diǎn)::金剛石石>石英英>碳化化硅>硅硅。(3)離子晶體體一般地說說,陰陽陽離子的的電荷數(shù)數(shù)越多,,離子半半徑越小小,則離離子間的的作用就就越強(qiáng),,其離子子晶體的的熔、沸沸點(diǎn)就越越高,如如MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。(4)分子晶體體①分子間間作用力力越大,,物質(zhì)的的熔、沸沸點(diǎn)越高高;具有有氫鍵的的分子晶晶體,熔熔、沸點(diǎn)點(diǎn)反常的的高。如如HF>HCl,H2O>H2S。②組成和和結(jié)構(gòu)相相似的分分子晶體體,相對(duì)對(duì)分子質(zhì)質(zhì)量越大大,熔、、沸點(diǎn)越越高,如如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。③組成和和結(jié)構(gòu)不不相似的的物質(zhì)(相對(duì)分子子質(zhì)量接接近),分子的的極性越越大,其其熔、沸沸點(diǎn)越高高,如CO>N2,CH3OH>CH3CH3。④同分異異構(gòu)體,,支鏈越越多,熔熔、沸點(diǎn)點(diǎn)越低。。(5)金屬晶體金屬離子半半徑越小,,離子電荷荷數(shù)越多,,其金屬鍵鍵越強(qiáng),金金屬熔、沸沸點(diǎn)就越高高,如Al>Mg>Na?,F(xiàn)有幾組物物質(zhì)的熔點(diǎn)點(diǎn)(℃)數(shù)據(jù):例2A組B組C組D組金剛石:3550Li:181HF:-83NaCl:801硅晶體:1410Na:98HCl:-115KCl:776硼晶體:2300K:64HBr:-89RbCl:718二氧化硅:1723Rb:39HI:-51CsCl:645據(jù)此回答下下列問題::(1)A組屬于________晶體,其熔熔化時(shí)克服服的微粒間間的作用力力是________。(2)B組晶體共同同的物理性性質(zhì)是________(填序號(hào))。①有金屬光光澤②②導(dǎo)電性③③導(dǎo)熱熱性④④延展性(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是是由于_______________。(4)D組晶體可能能具有的性性質(zhì)是________(填序號(hào))。①硬度?、冖谒苋芤耗軐?dǎo)電電③固體能導(dǎo)導(dǎo)電④④熔融狀態(tài)態(tài)能導(dǎo)電(5)D組晶體的熔熔點(diǎn)由高到到低的順序序?yàn)椋篘aCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因解解釋為_____________?!窘馕觥客ㄟ^讀取表表格中數(shù)據(jù)據(jù)先判斷出出晶體的類類型及晶體體的性質(zhì),,應(yīng)用氫鍵鍵解釋HF的熔點(diǎn)反常常的原因,,利用晶格格能的大小小解釋離子子晶體熔點(diǎn)點(diǎn)高低的原原因?!敬鸢浮?1)原子共價(jià)價(jià)鍵(2)①②②③④(3)HF分子間能形形成氫鍵,,其熔化時(shí)時(shí)需要消耗耗的能量更更多(只要答出HF分子間能形形成氫鍵即即可)(4)②④④(5)D組晶體都為為離子晶體體,r(Na+)<r(K+)<r(Rb+)<r(Cs+),在離子所所帶電荷相相同的情況況下,半徑徑越小,晶晶格能越大大,熔點(diǎn)就就越高跟蹤訓(xùn)練(隨學(xué)隨練,,輕松奪冠冠)2.根據(jù)表中中給出的幾幾種物質(zhì)的的熔、沸點(diǎn)點(diǎn)數(shù)據(jù),判判斷下列有有關(guān)說法中中錯(cuò)誤的是是()NaClMgCl2AlCl3SiCl4單質(zhì)B熔點(diǎn)/℃810710180682300沸點(diǎn)/℃14651418160572500A.SiCl4是分子晶體體B.單質(zhì)B可能是原子子晶體C.AlCl3加熱能升華華D.
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