標準解讀

《GB/T 12632-1990 單晶硅太陽電池總規(guī)范》是中國關(guān)于單晶硅太陽電池產(chǎn)品的國家標準，旨在規(guī)定單晶硅太陽電池的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，以確保產(chǎn)品的性能和質(zhì)量一致性。該標準內(nèi)容涵蓋以下幾個關(guān)鍵方面：

  1. 適用范圍：明確了本標準適用于以單晶硅片為基底，通過擴散、鍍膜、印刷電極等工藝制備的太陽電池。這些電池主要用于光電轉(zhuǎn)換，將太陽光能轉(zhuǎn)換為電能。

  2. 分類與命名：規(guī)定了單晶硅太陽電池的分類依據(jù)，通常包括電池的尺寸、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用類型等，并對電池的命名規(guī)則進行了說明，便于產(chǎn)品識別和分類管理。

  3. 技術(shù)要求：詳細列出了單晶硅太陽電池在電氣性能、機械性能、外觀質(zhì)量等方面的具體要求。例如，規(guī)定了電池的開路電壓、短路電流、最大功率、轉(zhuǎn)換效率等電氣參數(shù)的最低標準；同時，也對電池的尺寸公差、表面缺陷、封裝材料等有明確要求，以確保電池的可靠性和使用壽命。

  4. 試驗方法：介紹了如何對單晶硅太陽電池進行性能測試和質(zhì)量檢驗的具體步驟和條件，包括光照條件、測試設(shè)備、測試程序等，確保測試結(jié)果的準確性和可重復性。

  5. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前應(yīng)進行的檢驗類型（如全檢、抽樣檢）及合格判定準則，明確了不合格品的處理方式，確保只有符合標準要求的產(chǎn)品才能進入市場。

  6. 標志、包裝、運輸和儲存：要求產(chǎn)品上需有清晰、耐久的標識，標明制造商信息、產(chǎn)品型號、生產(chǎn)日期等；同時，對電池的包裝材料、方式、運輸條件及儲存環(huán)境提出了具體要求，以防止在流通和存儲過程中對電池造成損害。

該標準的實施，為單晶硅太陽電池的生產(chǎn)、檢測、銷售提供了統(tǒng)一的技術(shù)指導和質(zhì)量控制依據(jù)，促進了太陽能光伏行業(yè)的規(guī)范化發(fā)展。


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  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1990-12-28 頒布
  • 1991-10-01 實施
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DC621.352K83中華人民共和國國家標準GB12632-90單晶硅太陽電池總規(guī)范Generalspecificationofsinglesiliconsolarcells1990-12-28發(fā)布1991-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471991年7月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-8160版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90Generalspccificationotsinglesiliconsolarcells主題內(nèi)容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了未封裝的硅太陽電池的一般要求。本規(guī)范適用于地面、航天應(yīng)用的單品硅太陽電池。2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB1551硅單品電阻率直流二探針測量方法GB1552硅單品電阻率直流四探針測量方法GB1553硅單晶壽命直流光電導衰退測量方法GB1554硅單品(111)晶面位錯蝕坑腐蝕顯示測量方法·GB1555硅單晶晶向光圖測量方法GB1556硅單品晶向×光衍射測量方法B2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829周期檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查）GB.6494航天用太陽電池電性能測試方法GB6495地面用太陽電池電性能測試方法技術(shù)要求3.1設(shè)計和結(jié)構(gòu)3.1.1基體設(shè)計按產(chǎn)品詳細規(guī)范要求,選用單品硅片為基體材料和制備有光電效應(yīng)的P-N結(jié)。3.1.2電極根據(jù)電池使用條件的要求，設(shè)制有一定形狀尺寸的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的上、下電極，其熱膨脹系數(shù)應(yīng)與硅基體材料相匹配，接觸電阻小，有良好的導電性和可焊性，有效光照面積不小于90%。3.1.3減反射膜為減少光反射，提高輸出功率，電池光照面應(yīng)設(shè)制減反射膜。。減反射膜材料的光學性質(zhì)應(yīng)與電池相匹配，要求層數(shù)應(yīng)在產(chǎn)品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.4電極焊接區(qū)電池的上電極應(yīng)設(shè)制有電極焊接區(qū)，電極焊接區(qū)的厚度、光潔度、導電性、熱物理性能、形狀尺寸、選材、力學疲勞強度應(yīng)在產(chǎn)品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.5尺寸和

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