1、1947年12月23日第一塊晶體管在貝爾實驗室誕生，從此人類步入了飛速發(fā)展的電子時代。1959年首次將集成電路技術(shù)推向商用化的飛兆半導(dǎo)體公司，也是曾經(jīng)孵化出包括英特爾、AMD、美國國家半導(dǎo)體、LSILogic、VLSITechnology、Intersil、Altera和Xilinx等等業(yè)界眾多巨擘的飛兆半導(dǎo)體，現(xiàn)在已成為專注于功率和能效的公司；全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在東移，以臺積電為首的晶圓代工將成為全球半導(dǎo)體工藝與產(chǎn)能雙雙領(lǐng)先的公司；傳統(tǒng)的IDM廠商都向輕資廠轉(zhuǎn)變，65nm已鮮有IDM跟蹤，至45nm時除了memory廠商外，僅剩英特爾一家了；AMD在2008年將芯片制造部分剝離出來。重溫201

2、1k紀(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷史(從晶體僧集咸電路的發(fā)明)時間垂大事件備存194712月23Sr貝爾實驗室的肖克利(WI111amShockley#19101999)巴丁(JohnBardeen,19081991)和布垃坦(V/alterBr-attainr19021987)發(fā)明了世弄上第一個點(diǎn)踐觸熨品體筲因為對半導(dǎo)體的碩究和晶體管效應(yīng)的發(fā)現(xiàn).三人分71956年的諾以爾物理學(xué)槳1948貝爾實唸空培育出單錯品體電號性更一玫.缺略臾力1949IR(InternationalSectifier)發(fā)運(yùn)第一就曲用半導(dǎo)體器件ClaudeShannon為佶思埋論和邏輯致汁之父.LX8發(fā)我了老名論文誦侑的數(shù)學(xué)理論(The

3、MathematicalTheoryofCocnmunication)ClaudeShannon(1916-2001)創(chuàng)建丁第個國際彖慎惋弈機(jī)(chess-playingma-chinc)19S0生長結(jié)型谿體管(grownjunction.transistor)成為第一種應(yīng)用于一系列消費(fèi)產(chǎn)品的器住可預(yù)見性好和可能性高1951世界第一臺用計舜機(jī)詭用目動計聳機(jī)CUNIVAC)交付關(guān)國人口調(diào)査扃UNIVAC$用了5000個電子青.長第一代電子爸計算機(jī)擔(dān)子成烈的標(biāo)志1952您州儀器(T1)沙足半寫體業(yè)務(wù)單托羅竝在菲尼克坷邊立了固態(tài)電子硏發(fā)實掘室，以利用燉新旳晶體管發(fā)明IBM宣布推岀701這是第一臺存儲

4、程弓的計算機(jī)，也殺通常意文上的電將IBM701是計算機(jī)歷蟲上一個的里程碑1953陰托羅拉申購其第一項半導(dǎo)體專和，涉及為無線逋訊接收器和汽年收咅機(jī)的咅瀕功率轉(zhuǎn)換級開發(fā)低咸本的19541955蟲徳州儀番幵發(fā)、IDEACo俏售的品體管收咅機(jī)(Transistorradio)成功上市徳川儀貉幵發(fā)了面按臺型硅晶體晉Oil,5ionTT-nsis十ct宜的焙點(diǎn)高，適用于大主和軍事領(lǐng)域JJl爾實喘空擋出全品侏籃i+算L(alltransiatorcomputerJ貝爾實臉率硏頜出光陽材(photoresist)該枝術(shù)全今還用干.大規(guī)厚產(chǎn)芯片晶體詩之父”背克利離開貝爾實致室逅回故鄉(xiāng)圣克竝拉建立目己的公司一-皆

5、克利半與傑實灘苓這確各第家貝正的半導(dǎo)體公詞.肖克利實驗室為減谷引來了大艙優(yōu)秀的技術(shù)人九便硅谷収代關(guān)國東郴，咸為黃國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的中心*肖克利因此彼譽(yù)為“硅咎的燃西”詩克利最終招募了12名年輕的科學(xué)京研發(fā)甲于晶體管約銬和硅.包括后來硅谷歷丈上若佔的“八叛連(7W*o:roii】uFigh.t)5-GordonE.Noorc,CSheldonRoberts,EtieneKIeLnerRobertNNoyou,VictoTHGrinichJu1LusBlank,Jcan4Hocrcii0JayT-La$i1956GeneralEleetrie推出第一個岡態(tài)5J幵關(guān)19571958英國第-個軌遒衛(wèi)星af

6、，(Explorer)It用晶體管技術(shù)飛兆為狂谷培養(yǎng)了成千上萬的枝術(shù)和吿俱人才.是待谷的：人才搖徴AMD苓數(shù)十家公司號是飛洗的:E按或些后裔.苴中再一吹先后離開的“八叛逆”創(chuàng)辦的公51包括英粕爾、Inters!KXicor*Tcludync巧及笛經(jīng)胛化過Amazon.審柏、Sun和Tandem尋數(shù)百家公詞的若名鳳險圾沒公5JKleinerPerkincCavfield&Byers克雷抜譽(yù)為“趙級計算機(jī)之父”10月1日.Robert.Noyae“八叛逆膜幵甘乜和實驗室,f&IJFiirchi1dComeroandInstfuincnl公司的投俗.創(chuàng)立飛兆半耳體(FairchildSemicond

7、uctor)r這又足硅谷歷史上的一個里程碑華號體產(chǎn)業(yè)的銷性枚入第一次超過1億關(guān)元克(Cray.19251996)設(shè)計了全晶侍管粗級計算機(jī)8月Z8日，德州儀酷的JgkKilby(L923-2005展示了第一款集成電跑這是一個7/16x1/16英寸的簡單枝各，7T-個錯片上只育一個品體背以及它一弊禰件.攻個滯林為卑成電路的發(fā)明.給電子產(chǎn)業(yè)帶珠了場卒命，Kilby因此也獲徉了2QOO年諾刃爾物迎學(xué)獎關(guān)國仝軍Minutemen導(dǎo)彈滾計中仮用半導(dǎo)體關(guān)國囚旳林、關(guān)國國家航主和手奇航恬局迅速成為半號體冉或的兩個大茗戶1959E月27日了關(guān)國國家半弓體在廠州Danbury盍布成立飛池半導(dǎo)體的刨始人之一Robe

8、rtNoyce(1927-1990)發(fā)明了平面工藝拽術(shù)，使隼成電路可雖產(chǎn)。從此，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由發(fā)網(wǎng)時代適入商用時代因為發(fā)明了可制怕性更強(qiáng)的集成電路，Noyce成為集成電路的丸同發(fā)明人1947年12月23日，貝爾實驗室在助聽器中展示了人類第一塊晶體管，WilliamShockley被譽(yù)為晶體管之父。在隨后的10年中，晶體管技術(shù)不斷進(jìn)步,包括隨后發(fā)明的單鍺晶硅、生長結(jié)型晶體管、接觸型硅晶體管和固態(tài)晶體管開關(guān)等，德州儀器和貝爾實驗室分別在1954年推出晶體管收音機(jī)和全晶體管計算機(jī),并且，1957年美國第一個軌道衛(wèi)星“探測者”也首次使用了晶體管技術(shù)。這10年間，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于最激動人心的“發(fā)明時代”。晶

9、體管的演變1958年8月,德州儀器的JackKilby將分離的晶體管和器件集成到一個鍺片上，向人類展示了第一片集成電路；次年，飛兆半導(dǎo)體的RobertNoycy發(fā)明了平面工藝技術(shù)，使得集成電路可量產(chǎn)化，從此，人類從半導(dǎo)體的，發(fā)明時代”進(jìn)入了“量產(chǎn)時代”。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺積電這個純晶圓代工廠的成立，宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)開始從西方向東方遷移;90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺灣智原、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)

10、詠等一批IC公司從聯(lián)電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰(zhàn)西方IC公司的號角；進(jìn)入21世紀(jì)，中芯國際帶動中國大陸代工業(yè)成長起來，成為另一個制造中心，并且也帶動了中國IC設(shè)計業(yè)的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統(tǒng)的IDM廠商轉(zhuǎn)向輕資產(chǎn)模式，放棄獨(dú)自建造45nm工廠，而分別與臺積電、特許和聯(lián)電等合作研制，2008年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統(tǒng)IDM公司的45nm產(chǎn)品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產(chǎn)，而是在以上亞洲的代工廠里生產(chǎn)。90nm是一個轉(zhuǎn)折點(diǎn)，當(dāng)臺積電等代工廠突破了這個節(jié)點(diǎn)后，它們已將先進(jìn)工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺灣晶圓代

11、工廠在半導(dǎo)體工藝技術(shù)上將領(lǐng)先全球，并且成為全球IC產(chǎn)量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產(chǎn)業(yè)，并繼續(xù)IDM模式和領(lǐng)導(dǎo)最先進(jìn)的工藝，但是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力已由PC轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子。展望未來，不論是在應(yīng)用推動還是在技術(shù)創(chuàng)新上東方都將取代西方成為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)著。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)，且IC公司之間的整合加速。半導(dǎo)體行業(yè)將會越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導(dǎo)體大中華區(qū)區(qū)域執(zhí)行官葉昱良指出：“私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)是一個趨勢，這個趨勢源起于IC公司會有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產(chǎn)業(yè)通常也只有前5強(qiáng)才能生

12、存。”在大者恒大定律的驅(qū)動下，會有更多半導(dǎo)體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺灣與大陸半導(dǎo)體公司之間的整合。因臺灣沒有具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的市場，故不易培養(yǎng)出可以主導(dǎo)新應(yīng)用的產(chǎn)品規(guī)格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統(tǒng)廠商配合時，臺灣IC設(shè)計公司新產(chǎn)品開發(fā)的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規(guī)模的系統(tǒng)廠商，所以臺灣IC設(shè)計公司與大陸市場及系統(tǒng)公司合作是未來的趨勢臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已具備成熟的研發(fā)技術(shù)與完整的上中下游供應(yīng)鏈，目前礙于政策，在大陸半導(dǎo)體市場的發(fā)展受限，但若海峽兩岸的發(fā)展限制能有所改善，臺灣與大陸IC廠商結(jié)合，在中國半導(dǎo)體市場的發(fā)展絕對能占重要地位。促成更多半導(dǎo)體公司整

13、合的另一個重要原因是IP需求，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端SoC發(fā)展，對IP的需求巨增。但是，對于IP的獲得卻會越來越難。一些擁有豐富IP的半導(dǎo)體廠商并不希望將IP授權(quán)出去。因此，中小歐美半導(dǎo)體廠商之間整合也會越來越頻繁。和10年前相比，硅谷的公司生態(tài)環(huán)境發(fā)生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴(yán)重的生存危機(jī)。公司規(guī)模越來越大，但公司數(shù)量越來越少，每一個市場最終生存下來不會超過三個公司。第三大趨勢：歐美廠商不再輕易放棄低利潤市場。未來10年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會逐漸成為一個成熟的產(chǎn)業(yè)，一個微利的產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增長率會從兩位數(shù)降到單位數(shù)，IC總產(chǎn)量和總銷售額會繼續(xù)增加，但利潤率

14、會下降。在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導(dǎo)體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時，他們通常會放棄而漸由臺灣IC設(shè)計公司取代，他們會轉(zhuǎn)移到更高毛利的新興應(yīng)用市場上。但這幾年殺手級的產(chǎn)品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會進(jìn)行各種CostDown規(guī)劃，以維持市占率及產(chǎn)品的毛利率，讓臺灣IC設(shè)計公司的競爭愈來愈辛苦。未來，隨著亞洲成為全球的應(yīng)用創(chuàng)新與消費(fèi)中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺灣的眾多IC公司爭奪一些關(guān)鍵領(lǐng)域，而利潤會越來越低。最典型的將是移動多媒體處理器，也稱為應(yīng)用處理器。此外，模擬IC的利潤也會越來越低。在模擬IC領(lǐng)域，相對技術(shù)門檻正在逐年降低。越來

15、越多的臺灣和大陸公司開始涉足這一領(lǐng)域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統(tǒng)歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展。第四大趨勢：分久必合，合久必分。在2000年前后，眾多的半導(dǎo)體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨(dú)立半導(dǎo)體公司活得并不如預(yù)期的好，其中不少是連續(xù)多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產(chǎn)品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術(shù)積累與IP積累，但分離出來后，他們?nèi)試?yán)重依賴每公司，在開拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實，最重要的是，由于SoC向高系統(tǒng)集成發(fā)展，在開發(fā)大規(guī)模的LSI時，

16、仍需要IC公司與OEM的緊密合作。瑞薩半導(dǎo)體管理（中國）有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發(fā)大規(guī)模LSI方面，我們認(rèn)為與大型OEM和服務(wù)商合作是一個方向?！比鹚_在開發(fā)3G手機(jī)芯片時就是與六家公司聯(lián)合開發(fā)的，包括日本最大的電信運(yùn)營商N(yùn)TTDocomo和幾家手機(jī)制造商。很明顯，聯(lián)合開發(fā)將帶來IP、開發(fā)成本以及開發(fā)時間的優(yōu)勢?！澳壳鞍雽?dǎo)體制造商難以獨(dú)自開發(fā)領(lǐng)先的技術(shù)。我們必須利用過去的研發(fā)資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關(guān)系。”因此，展望未來，大型半導(dǎo)體廠商與OEM會再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠(yuǎn)古的名言，用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再合適不過。1947年，美國貝爾實驗室發(fā)

17、明了半導(dǎo)體點(diǎn)接觸式晶體管，從而開創(chuàng)了人類的硅文明時代。1956年，我國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。在五所大學(xué)北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授:北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學(xué)院院士王陽元（北京

18、大學(xué)微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團(tuán)中央研究院院長）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計公司董事長）。1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。1958年,美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路（IC）之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI（小規(guī)模集成電路）起步，經(jīng)過MSI（中規(guī)模集成電路），發(fā)展到LSI（大規(guī)模集成電路），然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI（超大規(guī)模集成電路）及最近的ULSI（特大規(guī)模集成電路），甚至發(fā)展到將來的GSI（甚大規(guī)模集成電路），屆

19、時單片集成電路集成度將超過10億個元件。1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。I960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所一一第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）。1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管一一晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范

20、圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。1968年,上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬一氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設(shè)IC

21、生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機(jī)部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安691廠等等。1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程和應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體材料經(jīng)歷幾代的發(fā)展：第一代半導(dǎo)體是“元素半導(dǎo)體”，典型如硅基和鍺基半導(dǎo)體。其中以硅基半導(dǎo)體技術(shù)較成熟，應(yīng)用也較廣，一般用硅基半

22、導(dǎo)體來代替元素半導(dǎo)體的名稱。硅基半導(dǎo)體器件的頻率只能做到10GHz，硅基半導(dǎo)體集成電路芯片最小設(shè)計線寬己經(jīng)達(dá)到0.13pm，到2015年，最小線寬將達(dá)到0.07pm。第二代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體?；衔锇雽?dǎo)體是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）等為代表，包括許多其它III-V族化合物半導(dǎo)體。這些化合物中，商業(yè)半導(dǎo)體器件中用得最多的是砷化鎵（GaAs）和磷砷化鎵（GaAsP），磷化銦（InP）,砷鋁化鎵（GaAlAs）和磷鎵化銦（InGaP）。其中以砷化鎵技術(shù)較成熟，應(yīng)用也較廣?；衔锇雽?dǎo)體不同於硅半導(dǎo)體的性質(zhì)主要有二：一是化合物半導(dǎo)體的電子遷移率較硅半導(dǎo)體快許多，因此適

23、用于高頻傳輸,在無線電通訊如手機(jī)、基地臺、無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通訊、衛(wèi)星定位等皆有應(yīng)用；二是化合物半導(dǎo)體具有直接帶隙，這是和硅半導(dǎo)體所不同的，因此化合物半導(dǎo)體可適用發(fā)光領(lǐng)域，如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管（LD）、光接收器（PIN）及太陽能電池等產(chǎn)品?？捎糜谥圃斐咚偌呻娐?、微波器件、激光器、光電以及抗輻射、耐高溫等器件，對國防、航天和高技術(shù)研究具有重要意義。目前化合物半導(dǎo)體器件工作頻率已經(jīng)達(dá)到100GHz,線寬達(dá)到亞微米，并帶動了異質(zhì)結(jié)技術(shù)的發(fā)展，使之成為微波/毫米波的主流。通過進(jìn)一步的努力，化合物半導(dǎo)體器件的工作頻率將可以得到進(jìn)一步提高。通過反應(yīng)爐的應(yīng)用和高度的自動化，實現(xiàn)了外延工藝的

24、改進(jìn)，從而提高了化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)量和經(jīng)濟(jì)效益?；衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)在當(dāng)前主要是指砷化鎵（族）外延磊晶片生長和IC芯片集成，氮化鎵（族）半導(dǎo)體照明LED和砷化鎵（族）光儲存LD外延磊晶片生長、芯片制作以及封裝、模塊的生產(chǎn)運(yùn)營，同時還包括與之相關(guān)的廣泛的應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。磊晶、芯片是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的上游產(chǎn)業(yè)，主要是采用MBE和MOCVD技術(shù)生長的化合物半導(dǎo)體外延片，和經(jīng)過制作而成的芯片。器件是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的中游產(chǎn)業(yè)，典型產(chǎn)品包括激光二極管、半導(dǎo)體發(fā)光二極管、探測器件、微波器件、開關(guān)元件、功率器件等等，器件封裝和組裝是關(guān)鍵技術(shù)。應(yīng)用模塊與整機(jī)是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的下游產(chǎn)業(yè)，典型產(chǎn)品包括光收發(fā)模塊、微波通信產(chǎn)

25、品、半導(dǎo)體照明產(chǎn)品、光存儲產(chǎn)品、光顯示產(chǎn)品等等。當(dāng)前化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要體現(xiàn)在六個方面：第一、半導(dǎo)體照明技術(shù)的迅猛發(fā)展?；诎雽?dǎo)體發(fā)光二極管（LED）的半導(dǎo)體光源具有體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長、反應(yīng)速度快、環(huán)保、耐沖擊不易破、廢棄物可回收，沒有污染，可平面封裝、易開發(fā)成輕薄短小產(chǎn)品等優(yōu)點(diǎn)，具有重大的經(jīng)濟(jì)技術(shù)價值和市場前景。特別是基于LED的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保優(yōu)點(diǎn)，在全球能源資源相當(dāng)有限和保護(hù)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的雙重背景下，將在世界范圍內(nèi)引發(fā)一場劃時代的照明革命，成為繼白熾燈，熒光燈之后的新一代電光源，進(jìn)入到千家萬戶。目前LED已廣泛用于大屏幕顯示、交通信號燈、手機(jī)背

26、光源等，開始應(yīng)用于城市夜景美化亮化、景觀燈、地?zé)?、手電筒、指示牌等，隨著單個LED亮度和發(fā)光效率的提高，即將進(jìn)入普通室內(nèi)照明、臺燈、筆記本電腦背光源、LCD顯示器背光源等，因而具有廣闊的應(yīng)用前景和巨大的商機(jī)。2001年，白光二極管的使用量有2億個，2002年有6億個的使用量，2003年急速擴(kuò)大到12億個，從2004年開始，還會有更為可觀的市場規(guī)模突破。第二、消費(fèi)類光電子，光存貯、數(shù)字電視以及全球家用電子產(chǎn)品裝備無線控制和數(shù)據(jù)連接的比例越來越高，音視頻裝置日益無線化。消費(fèi)類光電子，光存貯、數(shù)字電視以及全球家用電子產(chǎn)品裝備無線控制和數(shù)據(jù)連接的比例越來越高，音視頻裝置日益無線化。再加上筆記本電腦的普及，這類產(chǎn)品的市場為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的應(yīng)用帶來了龐大的新市場。第三、汽車光電子市場，目前汽車防撞雷達(dá)己在很多高檔車上得到了實用，將來肯定會越來越普及。汽車光電子市場，目前汽車防撞雷達(dá)己在很多高檔車上得到了實用，將來肯定會越來越普及。由于汽車防撞雷達(dá)一般工作在毫米波段，所以肯定離不開砷化鎵甚至磷化銦，它的中頻部分才會用到鍺硅，由于全球汽車工業(yè)十分龐大，所以這是一個早晚必定會發(fā)生的巨大市場。第四、新一代光纖通信技術(shù)。新一代的40Gbps光通信設(shè)備不久肯定會開始裝備，4OGbps的光通信設(shè)備