1、用于高壓變頻器的V系列IGBT我國(guó)發(fā)電量的6070左右用于推進(jìn)電動(dòng)機(jī)做功，其中90的電機(jī)是交流電機(jī)，大部分為40040000Kw，310Kv的大功率高壓交流電動(dòng)機(jī)。由于采用直接恒速拖動(dòng)，每年呵斥大量的能源浪費(fèi)。占工業(yè)用電30以上的各種風(fēng)機(jī)、泵類(lèi)負(fù)載，工況變化較大，如采用交流調(diào)速技術(shù)實(shí)現(xiàn)變速運(yùn)轉(zhuǎn)，節(jié)能效果明顯。以平均節(jié)電20計(jì)算，對(duì)全國(guó)來(lái)說(shuō)年節(jié)電500億度，同時(shí)可以相應(yīng)減少2000萬(wàn)噸發(fā)電用煤，50萬(wàn)噸二氧化硫和1200萬(wàn)噸二氧化碳的排放。e.g.一個(gè) 60 萬(wàn)千瓦電廠包括風(fēng)機(jī)、水泵在內(nèi)，一共有 20臺(tái)輔機(jī)，其中 13臺(tái)可以運(yùn)用高壓變頻。一座高爐需配備風(fēng)機(jī)、水泵、沖渣泵等 10 臺(tái)，都可配備高壓

2、變頻器。一條 5000噸/天 的水泥消費(fèi)線，包括風(fēng)機(jī)、磨煤機(jī)在內(nèi)，共需 11臺(tái)輔機(jī)，都可配備變頻器。高壓變頻器高壓變頻器構(gòu)造采用IGCT/SGCT的電流源型電流源型 AB公司優(yōu)點(diǎn)：易于控制電流，便于實(shí)現(xiàn)能量回饋和四象限運(yùn)轉(zhuǎn)容易實(shí)現(xiàn)旁路控制功能，在安裝出現(xiàn)缺點(diǎn)時(shí)不影響電網(wǎng)運(yùn)轉(zhuǎn)構(gòu)造簡(jiǎn)單，運(yùn)用的功率器件少，使驅(qū)動(dòng)和吸收電路簡(jiǎn)化缺陷：變頻器的性能與電機(jī)的參數(shù)有關(guān)，不易實(shí)現(xiàn)多電機(jī)聯(lián)動(dòng)，通用性差電流的諧波成分大，污染和損耗較大高壓變頻器構(gòu)造 二極管箝位式三電平型三電平電壓源型 S公司，A公司優(yōu)點(diǎn)：構(gòu)造簡(jiǎn)單、體積小、本錢(qián)低，運(yùn)用功率器件數(shù)量最少12只防止了器件的串聯(lián)，提高了安裝的可靠性缺陷：高次諧波對(duì)電網(wǎng)呵

3、斥污染電動(dòng)機(jī)的功率因數(shù)和效率低。隨著轉(zhuǎn)速的下降，功率因數(shù)和效率都會(huì)相應(yīng)降低高壓變頻器構(gòu)造H橋級(jí)聯(lián)型 R公司，完美無(wú)諧波優(yōu)點(diǎn)：采用技術(shù)成熟、價(jià)錢(qián)低廉的低壓IGBT組成逆變單元，經(jīng)過(guò)串聯(lián)單元的個(gè)數(shù)順應(yīng)不同的輸出電壓要求完美的輸入輸出波形，使其能順應(yīng)任何場(chǎng)所及電機(jī)運(yùn)用由于多功率單元具有一樣的構(gòu)造和參數(shù)，便于將功率單元做成模塊化無(wú)需外加濾波器即可滿足各國(guó)供電部門(mén)對(duì)諧波的嚴(yán)厲要求輸入功率因數(shù)可達(dá)0.95以上，總體效率高達(dá)97%。缺陷：運(yùn)用的功率單元及功率器件數(shù)量較多，安裝的體積較大實(shí)現(xiàn)能量回饋和四象限運(yùn)轉(zhuǎn)困難，且本錢(qián)較高當(dāng)電網(wǎng)電壓和電機(jī)電壓不同時(shí)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)旁路切換控制 H橋級(jí)聯(lián)構(gòu)造高壓變頻開(kāi)展方向高性能

4、同步機(jī)及四象限能量回饋 高壓變頻器可以細(xì)分為通用型高壓變頻器和高性能牽引型高壓變頻器。高性能變頻器可以實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制和四象限能量回饋。高性能變頻器的調(diào)速需求大于節(jié)能需求。通用型高壓變頻器國(guó)內(nèi)已根本實(shí)現(xiàn)替代進(jìn)口，但高性能高壓變頻器目前國(guó)內(nèi)運(yùn)用的根本為進(jìn)口產(chǎn)品。以2000kw的高性能礦井提升機(jī)用高壓變頻器為例。 售價(jià)可達(dá)1000萬(wàn)，單價(jià)高達(dá) 5000元/kw，而通用變頻器目前根本為 500元/kw。高性能變頻器單價(jià)是通用型的 10倍。目前，礦井提升機(jī)每年市場(chǎng)需求在 50套，金額在 4.57.5億左右。加上井下變頻器的市場(chǎng)，煤炭行業(yè)是高壓變頻器新的藍(lán)海。我們估計(jì)隨著煤炭行業(yè)的進(jìn)一步整合，實(shí)力雄厚的能源

5、集團(tuán)將更有才干與志愿投資變頻器，礦井提升機(jī)用變頻器未來(lái)每年的規(guī)模超越 20億元。高壓, SVG行業(yè)協(xié)作同伴IGBT的歷史IGBT芯片構(gòu)造的變化Collector第三代(N-Series)Y1995N+bufferN-driftP+substrateGateEmitterPN+N-driftP+collectorCollectorGateEmitterPN+第四代 (S-Series)Y1998N-driftP+collectorCollectorGateEmitterPN+N-field-stop第五代 (U-Series)Y2002N-driftCollectorGateEmitterPN+

6、第六代 (V-Series)Y2007N+field-stopP+collector平面型溝槽柵型Field-StopNPTPT-EpiIGBT芯片尺寸的比較18% / 5yDie size reductionIGBT模塊構(gòu)造的變化PIM-CE+Solder-free terminalEVK-series-seriesEcono PackagePress fit pinpinSpringEcono Package (RoHS, Solder-free terminal)Primary screw PKGStandard screw type Primary solder PKGEuropean

7、 thinner & compact PKGCompact/Environment/solder-free PKG2nd Gen.(L/F-series)Y19903rd Gen.(N-series)Y199545th Gen.(S,U-series)Y199820056th Gen.(V-series)Y2021工業(yè)用模塊的運(yùn)用分布HPM 3300V800-1500A (under dev.)DualXT, EP+Standard 30mm-HEPXT, PCXT, IPMEasy1/2B & Smart (plan)HPM1200V 600-3600A1700V 600-3600APrim

8、ePACKTM1200V 600-1400A1700V 650-1400APrimePACKTM is registerd trademarks of Infineon Technology AG, GermanyV系列的根本概念1 更高的性能2 更方便運(yùn)用采用V系列芯片，進(jìn)一步降低通態(tài)壓降VON 和關(guān)斷損耗Eoff采用高導(dǎo)熱DCB基板，改善芯片規(guī)劃，進(jìn)一步降低熱阻提高最大結(jié)溫，Tj(max) =175oC175oC UL 認(rèn)定 E82988更便于設(shè)計(jì)高損壞耐受量， 小型化低干擾, 低浪涌電壓, 軟關(guān)斷, 高可靠性，規(guī)范封裝等更便于組裝 免焊接模塊的系列化; 螺旋彈簧式和壓接式V系列的特性改善

9、V-100A,150AV-75A and smallerPossibly High PowerU-IGBTSourceX-3X4-75A and smallerX4-100,150A25%小形化損失低減両立 !V系列：軟關(guān)斷ConventionalCH1 VCE : 200V/divCH2 IC : 25A/divCH3 VGE : 20V/div VDC=900V, 2xIcIntentionally large L-strayV-IGBTV系列：更好的Rg可控性Trench-A100ns7.7W40W-BV RG増加V經(jīng)過(guò)外接門(mén)極Rg，更好地控制開(kāi)通速度改善了dv/dt和開(kāi)通損耗的折中特性

10、，實(shí)現(xiàn)了低損耗和低干擾門(mén)極電阻可控性隨著低損耗需求的增大，IGBT的開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快。但是，開(kāi)關(guān)速度變快后，由于電流、電壓的變化將產(chǎn)生EMI干擾。特別是開(kāi)通特性，對(duì)EMI干擾的影響很大。因此，在EMI干擾問(wèn)題尚未處理的情況下，需求使開(kāi)通時(shí)的電流、電壓緩慢變化軟開(kāi)通。因此，必需經(jīng)過(guò)門(mén)極電阻Rg來(lái)調(diào)整開(kāi)通時(shí)的電流、電壓變化率。第六代V系列IGBT產(chǎn)品，經(jīng)過(guò)門(mén)極電阻Rg可以輕松地控制開(kāi)通速度。以下圖顯示了在1/10的額定電流下，改動(dòng)Rg時(shí)的開(kāi)通開(kāi)關(guān)波形。該圖還顯示了其對(duì)稱支路的FWD電壓變化。如圖，經(jīng)過(guò)改動(dòng)門(mén)極電阻，使開(kāi)通產(chǎn)生的反向恢復(fù)dv/dt發(fā)生極大的變化。因此，在V-IGBT中可經(jīng)過(guò)門(mén)極電阻R

11、g輕松地控制電流、電壓變化率。在設(shè)計(jì)時(shí)，經(jīng)過(guò)選擇適宜的門(mén)極電阻Rg，可以得到最正確的EMI干擾和開(kāi)關(guān)損耗的折衷特性。EMI特性改善在經(jīng)過(guò)Rg改善開(kāi)通速度可控性的同時(shí)，要留意EMI干擾與開(kāi)通損耗的折衷關(guān)系。以下圖：作為EMI干擾主要緣由的反向恢復(fù)dv/dt和開(kāi)通損耗之間的關(guān)系。與U系列IGBT產(chǎn)品相比，在同樣的反向恢復(fù)dv/dt下，V系列IGBT的開(kāi)通損耗較小。結(jié)論：與U-IGBT產(chǎn)品相比，V-IGBT的反向恢復(fù)dv/dt與開(kāi)通損耗間的折衷關(guān)系得到了改善。V系列IGBT模塊同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低損耗和低干擾。V系列：低浪涌電壓VDC=600V800V900V1000VX4VVpeak=784VVpeak=

12、768VD16V1020V964VD56V1168V1060VD108V1252V1152VD100VVDC900V時(shí)的浪涌電壓降低100V以上V系列：浪涌電壓對(duì)Rg的依賴性浪涌電壓對(duì)門(mén)極電阻Rg的依賴性是有峰值的。測(cè)試條件：Vge=15V, Vcc=900V,Ic=600A,Tj=RTRgoff=2.22MBI1000VXB-170-50V系列：低熱阻封裝優(yōu)化規(guī)劃以前的封裝V系列封裝Hotspots低熱阻均溫分布防止熱量過(guò)于集中以前： IGBT-IGBT發(fā)熱源集中 V-PKG： IGBT-FWD-IGBT 發(fā)熱源分散芯片分布到DBC的外周 加速熱循環(huán)新無(wú)鉛焊錫 Example of EP2,

13、3XT V-PIM提高功率循環(huán)壽命Copper base plate(c)(b)(a)Mode 1 : 熱應(yīng)力 (a) 熱機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致焊錫結(jié)合處產(chǎn)生裂痕 (b) 鋁線零落芯片部分Mole 2 : 機(jī)械損壞 (c) 鋁線零落(端子部分Mode 3 : 腐蝕 (d) 銅箔之間的絕緣受損(d)DCB substrateCasePower chip (IGBT/FWD)Al-bond wireTj Power cycleTc Power cycleTc功率循環(huán)壽命比較Candidate idea; tbd. in future 40 50 60 70 80 90 富士 (規(guī)范模塊DTc 功率循環(huán)壽命:

14、 16,000cy at 80deg.C I社 規(guī)范模塊(Cu)Al2O3 + Cu 底板Al2O3 + Cu富士 New 2in1 I社品富士試験DTc (oC)I社 PrimePACK富士模塊具有更高的可靠性。Data from Infineon website 1200V IGBT4 - High Power- a new Technology Generation (ed_pcim06_1200V IGBT4 - High Power- a new Technology Generation .pdf)富士 Tjmin=25oC富士 Tjmax=150oCFuji Experiment

15、al results, not official guaranteeTj功率循環(huán)壽命比較富士模塊具有更高的可靠性。Test conditions;-40oC(1HR)RT(0.5H)125oC(1H) 300 cycles后普通的無(wú)鉛焊錫富士運(yùn)用的無(wú)鉛焊錫焊錫裂痕Candidate idea; tbd. in future規(guī)格書(shū)概略例子：1200V/200A 2in1 模塊絕對(duì)最大值普通電氣特性熱特性特性曲線外形尺寸規(guī)格書(shū)概略-絕對(duì)最大值絕對(duì)不允許超出的數(shù)值由于門(mén)極采用MOS構(gòu)造，易受靜電擊穿；因此需求采取必要的防靜電措施。注：門(mén)極防靜電才干小于1kV。千萬(wàn)不能在無(wú)任何防靜電措施下用手觸摸門(mén)極

16、。允許的最大延續(xù)電流允許的最大損耗值=(Tjmax-25)/Rthjc_IGBT允許的最高結(jié)溫任務(wù)結(jié)溫往往引薦25降額引薦安裝力矩，并非最大值陶瓷基板提供絕緣才干，將底板和芯片進(jìn)展隔離不要運(yùn)用跌落后的模塊陶瓷基板能夠碎裂從而導(dǎo)致電擊的危險(xiǎn)規(guī)格書(shū)概略-普通電氣特性注：關(guān)注不同結(jié)溫下電氣特性中的最小、最大值IGBT開(kāi)通的最小門(mén)檻值假設(shè)電路誤動(dòng)作，門(mén)極電壓超過(guò)VGE(th) ，IGBT將會(huì)誤開(kāi)通規(guī)格書(shū)曲線讀取QG來(lái)計(jì)算驅(qū)動(dòng)電路功率，輸入電容(Cies)隨著Vce不同而改動(dòng)規(guī)格書(shū)中的Rg值是測(cè)試驅(qū)動(dòng)電阻值。對(duì)于大電流模塊，運(yùn)用標(biāo)稱電阻值容易產(chǎn)生高浪涌電壓注：標(biāo) 稱 驅(qū) 動(dòng) 電 阻 值 不 是 廠 家

17、驅(qū)動(dòng)引薦值導(dǎo)通壓降用來(lái)計(jì)算導(dǎo)通損耗。關(guān)斷和開(kāi)通延時(shí)用來(lái)設(shè)定死區(qū)時(shí)間IGBT-電流參數(shù) 標(biāo)稱電流Ic2MBI200VH-120-50富士Tjmax標(biāo)稱電流在Tc=100時(shí)定義，Tc=25電流大小可以作為一個(gè)參考值Tjmax Tc (Vce(sat)max Tjmax *Ic *Rthjc)注：標(biāo)稱值僅僅代表IGBT在一定殼溫下允許的直流電流才干，可以作為選擇IGBT的參考，但最終 選擇取決于實(shí)踐任務(wù)條件和散熱條件！脈沖電流Ic_pulseIc_pulse定義為T(mén)c=100時(shí)，允許反復(fù)的開(kāi)通脈沖電流，普通是模塊標(biāo)稱值的兩倍！Tj Tc P tot *Rthjc Tjmax注：1ms僅僅是測(cè)試條件，

18、實(shí)踐允許的脈沖寬度和脈沖電流值取決于熱！Collector currentIGBT-電壓參數(shù)Vces_terminaldidtVces_chip L *阻斷電壓VcesRBSOAVces定義是IGBT芯片不能超越的電壓值，思索模塊內(nèi)部的雜散電感，模塊端子電壓需求做降額思索！注：Vces在任何條件下都不能超越限值，否那么模塊很容易損壞！Example 1200V IGBT 1200VDont exceed 1200VVCES(V)ICES(A)Static Voltage is limited by absolute maximum rating. Static Voltage Dynamic

19、VoltageDynamic Voltage is limited by RBSOA,SCSOAIGBT-電壓參數(shù)飽和壓降Vce(sat)Vce(sat)描畫(huà)的是 是IGBT芯片在一定條件 Vge=15V，Ic=標(biāo)稱值下的電壓降，分別給出在 Tj=25，Tj=125 ，Tj=150的電壓值。交越點(diǎn)之上為正溫度系數(shù)，有利于模塊并聯(lián)運(yùn)用。因此交越點(diǎn)越低越好！交越點(diǎn)Temperature riseIGBT-開(kāi)關(guān)參數(shù)ton: 0Vge到10Vce的時(shí)間tr: 10Ic到10Vce的時(shí)間tr(i): 10Ic到90Ic的時(shí)間toff: 90Vge到10Ic的時(shí)間tf: 90Ic到10Ic的時(shí)間16注：富

20、士ton普通比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手大，這是由于富士和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的定義差別導(dǎo)致ton大小差別，富士的定義多包含了90Ic到10Vce的時(shí)間，如上圖陰影所示；Rg：門(mén)極串聯(lián)電阻，分為Rgint 和Rgext兩部分。主要用來(lái) 控制開(kāi)通和關(guān)斷的速度。Qg：為了使IGBT開(kāi)通，G-E間的 充電電荷量。Cge_ext：外置門(mén)極電容，用來(lái)控制門(mén)極 開(kāi)通速度，抑制門(mén)極電壓振蕩。Eon,Eoff：開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗。ton,tr,toff,tr(i)：IGBT開(kāi)通，上升， 關(guān)斷，下降時(shí)間。主要用來(lái) 決議死區(qū)時(shí)間。FWD參數(shù)*Err Err_Ic *P sw_FWD fsw*ErrVdcVdc_nomErr_RgextErr_

21、Rgstd正向壓降VF) VF描畫(huà)的是FWD芯片在一定條件下Vge=0V，If=標(biāo)稱值下的電壓降，分別給出在Tj=25， Tj=125 ，Tj=150的電壓值。Tjmax Tc (VFmax Tjmax *IF *Rthjc) 反向恢復(fù)損耗Err殼散熱器熱阻(Rthc-f)模塊金屬底板到散熱器的熱阻Tj_IGBT Tc P IGBT *Rthjc_IGBTTj_FWD Tc P FWD *Rthjc_IGBTTc Tf P tot *Rthcf熱特性熱特性含熱輻射才干結(jié)殼熱阻Rth(j-c)芯片到芯片正下方金屬底板的熱阻 Power lossIGBT,FWDSolderCu foilCeram

22、icCu foilCooling FinBase plateThermal GreaseSolderTj (Junction)Tc (Case)Tf (fin)Rth(j-c)Rth(c-f)熱特性關(guān)于散熱器安裝外表的詳細(xì)要求如下：外表粗糙度應(yīng)控制在10m 以下！在螺釘安裝位置間，每100mm 的平坦度應(yīng)控制在50m 以下。運(yùn)用絲網(wǎng)文件的優(yōu)點(diǎn)： 減小底板到散熱器熱阻 更好地控制硅脂厚度一致性 提高消費(fèi)效率注：我們將提供您所需求IGBT型號(hào)的絲網(wǎng)文件以及運(yùn)用指點(diǎn)來(lái)滿足您的消費(fèi)要求！安裝及力矩參數(shù)注：規(guī)格書(shū)中給出的安裝力矩是引薦值，并非最大值！H橋級(jí)聯(lián)的中心 功率單元功率單元設(shè)計(jì)IGBT 驅(qū)動(dòng)選型

23、驅(qū)動(dòng)功率PGate=QG*fsw*VPCge=CGE*fsw* V2P=PGate+PCge驅(qū)動(dòng)電流Imax=V/(Rgstd+Rgint)e.g. 2MBI150VH-170-50Qg = 0.6 + 1.2 = 1.8uCPgate = 1.8uC * 3kHz *(10+15) = 0.WImax = 25/(5+ 3*4.8) = 1.29A Concept 2SC0108T OK.功率單元設(shè)計(jì)短路維護(hù)：Vcesat)檢測(cè)吸收電路： C型， RCD型鉗位電路：有源鉗位 Vcepeak TVS管的選擇門(mén)極鉗位門(mén)極震蕩，門(mén)極過(guò)電壓功率單元設(shè)計(jì)Rg的選擇開(kāi)通關(guān)斷速度損耗電壓電流尖峰當(dāng)減小柵極

24、電阻的阻值時(shí)，需求思索的是當(dāng)大電流被過(guò)快地切換時(shí)所產(chǎn)生的 di/dt。這時(shí)由于電路中存在雜散電感，它在 IGBT 上產(chǎn)生高的電壓尖峰，Vcep = Vdc+Ls(di/dt)。此外， 也會(huì)呵斥FWD反向恢復(fù)電壓尖峰Vakp過(guò)大。死區(qū)時(shí)間EMIFWD反向恢復(fù)dv/dt過(guò)大會(huì)對(duì)門(mén)級(jí)產(chǎn)生干擾門(mén)極震蕩規(guī)格書(shū)規(guī)范值是實(shí)踐運(yùn)用的Rg下限，是在假設(shè)理想的驅(qū)動(dòng)條件下，使開(kāi)關(guān)損耗最小的驅(qū)動(dòng)電阻。實(shí)踐運(yùn)用時(shí)，對(duì)于高壓變頻行業(yè)建議從開(kāi)通： 35倍 ； 關(guān)斷： 23倍開(kāi)場(chǎng)進(jìn)展測(cè)試。最終以實(shí)踐測(cè)試后優(yōu)化調(diào)整的結(jié)果為準(zhǔn)。U系列在高壓行業(yè)經(jīng)驗(yàn)值標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電阻輸入電容Rgon/Rgoff/Cge/nF2MBI100U4H-17

25、04.791510102MBI150U4H-1703.3141510102MBI200U4H-1702.2198.35.3332MBI300U4H-1701.52863402MBI400U4H-1701.1376340功率單元設(shè)計(jì)構(gòu)造設(shè)計(jì)IGBT主電路銅排的優(yōu)化設(shè)計(jì)，以減小直流回路雜散電感，優(yōu)化吸收電路 疊層銅排。 盡量做到100nH以下。減小環(huán)路面積 1cm2=10nH功率單元設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì)IGBT 在各種運(yùn)轉(zhuǎn)工況下的結(jié)溫需結(jié)合 IGBT模塊總功耗、散熱器尺寸和冷卻風(fēng)機(jī)的類(lèi)型及流量進(jìn)展縝密計(jì)算， 在試運(yùn)轉(zhuǎn)期間尚需進(jìn)展全面測(cè)試， 以確保所選散熱器和冷卻風(fēng)機(jī)流量滿足要求。散熱方案 - 熱管？水冷？電

26、磁設(shè)計(jì)FWD反向恢復(fù)dv/dt對(duì)門(mén)級(jí)的干擾。 在門(mén)極-發(fā)射極間外加電容 CGE 的方法，是將誤觸發(fā)電流經(jīng)過(guò)該 CGE旁路，從而減少流過(guò)門(mén)極電阻的電流。由于在門(mén)極驅(qū)動(dòng)時(shí)，需求對(duì)該電容進(jìn)展充電，所以外加 CGE會(huì)降低開(kāi)關(guān)速度。因此，假設(shè)僅外加 CGE，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)變大。但是，即使在外加 CGE 的情況下，也可經(jīng)過(guò)降低門(mén)極電阻適當(dāng)?shù)乜刂崎_(kāi)關(guān)速度。也就是說(shuō)、假設(shè)在外加CGE的同時(shí)減小門(mén)極電阻，那么在不增大開(kāi)關(guān)損耗的前提下防止誤觸發(fā)是能夠的。 另外，引薦將記錄在規(guī)格書(shū)上的 Cies的 1 倍左右的電容外加在模塊門(mén)極和發(fā)射極之間，同時(shí)，將門(mén)極電阻Rg 設(shè)為外加CGE 前的一半左右。詳細(xì)特性請(qǐng)參照各系列產(chǎn)品的

27、專(zhuān)業(yè)數(shù)據(jù)。溫升的測(cè)試RG的選型用于高壓變頻器的V系列IGBT功率單元的中心開(kāi)關(guān)器件 - IGBT可靠性500RMB/kW? 本錢(qián)控制同品牌全系列覆蓋交換性，兼容性供貨保證 高壓變頻器價(jià)錢(qián)趨勢(shì)V-IGBT 交換性索引除第一個(gè)外為4代芯片3代芯片3代芯片（電流標(biāo)稱25度）4代芯片封裝尺寸I公司I公司S公司34mm 標(biāo)準(zhǔn)BSM75GB170DN2SKM100GB176D2MBI75VA-170-5034mm 標(biāo)準(zhǔn)SKM145GB176D2MBI100VA-170-5062mm 標(biāo)準(zhǔn)FF150R17KE4BSM150GB170DLCSKM200GB176D2MBI150VH-170-5062mm 標(biāo)準(zhǔn)

28、FF200R17KE4FF200R17KE32MBI200VH-170-5062mm 標(biāo)準(zhǔn)FF300R17KE4FF300R17KE3SKM400GB176D2MBI300VH-170-5062mm 標(biāo)準(zhǔn)2MBI400U4H-170EconoDual 扁平FF225R17ME4FF225R17ME32MBI225U4N-170-50EconoDual 扁平FF300R17ME4FF300R17ME32MBI300VN-170-50EconoDual 扁平FF450R17ME4FF450R17ME32MBI450VN-170-50EconoDual 扁平FF550R17ME42MBI550VN-170-50PrimePack 長(zhǎng)條FF650R17IE42MBI650VXA-170E-50PrimePack 長(zhǎng)條FF1000R17IE42MBI1000VXA-