1、摘要：開(kāi)關(guān)電源中常用EMI 濾波器抑制共模干擾和差模干擾。三端電容器在抑制開(kāi)關(guān)電源高頻干擾方面有良好性能。文中在開(kāi)關(guān)電源一般性能EMI 濾波器電路結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，給出了使用三端電容器抑制高頻噪聲的濾波器結(jié)構(gòu)。并使用PSpice 軟件對(duì)插入損耗進(jìn)行仿真，給出了仿真結(jié)果。1 開(kāi)關(guān)電源特點(diǎn)及噪聲產(chǎn)生原因隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，電子設(shè)備種類(lèi)日益增多，而任何電子設(shè)備都離不開(kāi)穩(wěn)定可靠的電源，因此對(duì)電源的要求也越來(lái)越高。開(kāi)關(guān)電源以其高效率、低發(fā)熱量、穩(wěn)定性好、體積小、重量輕、利于環(huán)境保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)取得快速發(fā)展，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。開(kāi)關(guān)電源工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，本身就會(huì)對(duì)供電設(shè)備產(chǎn)生干擾，危害其正常工作；而外部干

2、擾同樣會(huì)影響其正常工作。開(kāi)關(guān)電源干擾主要來(lái)源于工頻電流的整流波形和開(kāi)關(guān)操作波形。這些波形的電流泄漏到輸入部位就成為傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲，泄漏到輸出部位就形成了波紋問(wèn)題?？紤]到電磁兼容性的有關(guān)要求，應(yīng)采用EMI 電源濾波器來(lái)抑制開(kāi)關(guān)電源上的干擾。文中主要研究的是開(kāi)關(guān)電源輸入端的EMI 濾波器。2 EMI濾波器的結(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)電源輸入端采用的EMI 濾波器是一種雙向?yàn)V波器，是由電容和電感構(gòu)成的低通濾波器，既能抑制從交流電源線上引入的外部電磁干擾，還可以避免本身設(shè)備向外部發(fā)出噪聲干擾。開(kāi)關(guān)電源的干擾分為差模干擾和共模干擾，在線路中的傳導(dǎo)干擾信號(hào)，均可用差模和共模信號(hào)來(lái)表示。差模干擾是火線與零線之間產(chǎn)生的干擾

3、，共模干擾是火線或零線與地線之間產(chǎn)生的干擾。抑制差模干擾信號(hào)和共模干擾信號(hào)普遍有效的方法就是在開(kāi)關(guān)電源輸入電路中加裝電磁干擾濾波器。EMI 濾波器的電路結(jié)構(gòu)包括共模扼流圈(共模電感L ，差模電容Cx 和共模電容Cy 。共模扼流圈是在一個(gè)磁環(huán)(閉磁路 的上下兩個(gè)半環(huán)上，分別繞制相同匝數(shù)但繞向相反的線圈。兩個(gè)線圈的磁通方向一致，共模干擾出現(xiàn)時(shí)，總電感迅速增大產(chǎn)生很大的感抗，從而可以抑制共模干擾，而對(duì)差模干擾不起作用。為了更好地抑制共模噪聲；共模扼流圈應(yīng)選用磁導(dǎo)率高，高頻性能好的磁芯。共模扼流圈的電感值與額定電流有關(guān)。差模電容Cx 通常選用金屬膜電容，取值范圍一般在011F 。Cy 用于抑制較高頻率

4、的共模干擾信號(hào)，取值范圍一般為22006800 pF。常選用自諧振頻率較高的陶瓷電容。由于接地，共模電容Cy 上會(huì)產(chǎn)生漏電流Ii-d 。因?yàn)槁╇娏鲿?huì)對(duì)人體安全造成傷害，所以漏電流應(yīng)盡量小，通常<10 mA。共模電容取值與漏電流大小有關(guān)，所以不宜過(guò)大，取值范圍一般為22004700 pF。R 為Cx 的泄放電阻。電源濾波器的性能很大程度上取決于其端阻抗，根據(jù)信號(hào)傳輸理論，濾波器輸入端與電源端的端接、濾波器輸出端與負(fù)載端的端接應(yīng)遵循阻抗極大不匹配原則。因此，濾波器設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)遵循：(1源內(nèi)阻是高阻(低阻 的，濾波器輸入阻抗就應(yīng)該是低阻(高阻 ；(2負(fù)載是高阻(低阻 的，則濾波器輸出阻抗就應(yīng)該是低

5、阻(高阻 。對(duì)EMI 信號(hào)來(lái)說(shuō)，電感是高阻，電容是低阻，則有圖1中的4種濾波器選用類(lèi)型。 電源濾波器一般用來(lái)抑制30 MHz以下頻率范圍的噪音，但對(duì)30 MHz以上的輻射發(fā)射干擾也有一定的抑制作用。根據(jù)開(kāi)關(guān)電源共模、差模干擾的特點(diǎn)?？梢园锤蓴_的分布大概劃分為3個(gè)頻段：0.1505 MHz差模干擾為主；055 MHz差模、共模干擾共存；530 MHz共模干擾為主。 3 插入損耗插入損耗是*價(jià)濾波器性能的主要指標(biāo)，它是頻率的函數(shù)。插入損耗的定義為，沒(méi)有濾波器接入時(shí)，從噪聲源傳輸?shù)截?fù)載的功率P1和接入濾波器后噪聲源傳輸?shù)截?fù)載的功率P2之比，用dB 表示。插入損耗越大，說(shuō)明濾波器抑制干擾的能力越強(qiáng)。濾

6、波器接入前后的電路圖，如圖3(a和圖3(b所示。濾波器的插入損耗由式(1表示。 4 三端電容器 在高頻線路中，因?yàn)橐话汶娙萜鞯囊€具有電感分量，所以影響了其高頻特性。而三端電容器在結(jié)構(gòu)上可以做到與電容器串聯(lián)的剩余電感分量很小，因此其插入損耗特性?xún)?yōu)于兩端電容器，從而改善了電容器的高頻特性。三端電容器有引線式和片狀式兩種。通常采用旁路電容抑制高頻噪聲。實(shí)際的電容器不僅具有電容C ，還有等效串聯(lián)電阻ESR 和等效串聯(lián)電感ESL 。由于寄生電感的影響，對(duì)于一個(gè)實(shí)際的電容存在著自諧振頻率。在這個(gè)頻率以上時(shí)，電容呈感性。元件的寄生參數(shù)也會(huì)極大地影響濾波器的高頻特性。電容的寄生電感是主要的寄生參數(shù)，而對(duì)于電

7、感來(lái)說(shuō)，寄生電容是主要的寄生參數(shù)。電容器用作旁路電容時(shí)，如圖4(a所示，兩端電容器一端接地，另一端與信號(hào)線連接。三端電容器一端接地，其余兩端與電容器的一個(gè)電極相連并串聯(lián)到信號(hào)線上，如圖4(b所示。一般的兩端電容器由于與其電路連接的引線電感或電極所產(chǎn)生的等效串聯(lián)電感較大，所以自諧振點(diǎn)較低，旁通效應(yīng)也隨之降低。采用三端電容器可有效改善此缺陷。原因在于三端電容器中流入地的電流與信號(hào)線中電流方向正交，所以其寄生電感比兩端電容降低約50，并且其中70以上的寄生電感轉(zhuǎn)移到信號(hào)線上。因此提高了三端電容器的自諧振頻率，也可以將它作為T(mén) 形濾波器使用，更好地抑制高頻噪聲。三端電容器的地線電感起著不良作用，作為旁

8、路電容抑制高頻噪聲時(shí)，宜采用無(wú)引線的片式陶瓷電容器。圖5為兩端電容器與三端電容器插入損耗的比較。 5 改進(jìn)型結(jié)構(gòu)線路旁通電容Cy 是用來(lái)消除高頻噪聲的組件，基于對(duì)今后開(kāi)關(guān)操作頻率的高頻化考慮，宜選用能消除頻率高達(dá)1000MHz 噪聲的電容器。而一般的兩端結(jié)構(gòu)的旁通電容器僅能消除30MHz 左右的噪聲。由以上介紹可知，相對(duì)兩端電容器來(lái)說(shuō)，三端電容器能更好地抑制高頻噪聲。以EMI 濾波器的一般結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，用三端電容器替代其中的兩端旁通電容Cy ，電路圖，如圖6所示。其中ESL 為三端電容器信號(hào)線上的等效串聯(lián)電感。6 PSpice 仿真 (1使用三端電容的電路的插損與以往電路插損的比較。 取差模電容

9、Cx為 01F，共模電容Cy為2200pF，共模電感L取 8mH。三 端電容的等效串聯(lián)電感ESL取 036nH。在 50 50 Q系統(tǒng)中分別對(duì)一般結(jié) 構(gòu)的EMI濾波器和使用了三端電容器的EMI濾波器的插入損耗進(jìn)行PSpice仿真。 如圖 7 所示，EMI濾波器在使用三端電容時(shí)，諧振點(diǎn)之后的插損效果明顯好于在 濾波器中使用兩端電容的插損。提高了濾波器在高頻段的性能。 (2不同 Cy 值，固定 ESL。 在使用三端電容的濾波器電路中，輸入阻抗和輸出阻抗都取 50 時(shí)，分別取 共模電容 Cy 為 4700pF，3300pF 和 2200pF，其他參數(shù)不變，觀察共模電容 Cy 變化時(shí)對(duì)插入損耗的影響。

10、 通過(guò)圖 8 的仿真結(jié)果看出， 隨著共模電容的增大， 在高頻段插入損耗有所提高， 并且濾波器諧振點(diǎn)降低； 而在低頻段基本沒(méi)有變化。 因此可以通過(guò)選擇較大的共模電容來(lái)提高濾波器高頻段的插入損耗。 由于共模電 容需要接地，有漏電流，Iid 的存在，對(duì)人身安全存在威脅。而共模電容越大， 漏電流越大，所以選擇共模電容時(shí)需要在漏電流滿(mǎn)足安全條件的情況下取值。 (3固定 Cy 值，不同 ESL。 考察三端電容器與信號(hào)線串聯(lián)的等效串聯(lián)電感 ESL 對(duì)插入損耗的影響。取 共模電容 Cy 為 3 300 pF，取 ESL 分別為 003 nH，036 nH 和 072 nH， 其他參數(shù)值不變。從圖 9 的仿真結(jié)果可以看出，隨著 ESL 降低，諧振點(diǎn)提高， 諧振點(diǎn)之后的插入損耗下降。 7 結(jié)束