1、內(nèi)存的工作原理及時(shí)序介紹第一部分：工作原理DRAM基本組成內(nèi)存是由DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）芯片組成的。DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以說是PC芯片中最簡(jiǎn)單的，是由許多重復(fù)的“單元”cell組成，每一個(gè)cell由一個(gè)電容和一個(gè)晶體管（一般是N溝道MOSFET）構(gòu)成，電容可儲(chǔ)存1bit數(shù)據(jù)量，充放電后電荷的多少（電勢(shì)高低）分別對(duì)應(yīng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)0和1。由于電容會(huì)有漏電現(xiàn)象，因此過一段時(shí)間之后電荷會(huì)丟失，導(dǎo)致電勢(shì)不足而丟失數(shù)據(jù)，因此必須經(jīng)常進(jìn)行充電保持電勢(shì)，這個(gè)充電的動(dòng)作叫做刷新，因此動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器具有刷新特性，這個(gè)刷新的操作一直要持續(xù)到數(shù)據(jù)改變或者斷電。而MOSFET則是控制電容充放電的開關(guān)。DRAM由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單

2、，可以做到面積很小，存儲(chǔ)容量很大。內(nèi)存地址內(nèi)存中的cell按矩陣形排列，每一行和每一列都會(huì)有一個(gè)對(duì)應(yīng)的行地址線路（正規(guī)叫法叫做word line）和列地址線路（正規(guī)叫法是bit line），每個(gè)具體的cell就掛接在這樣的行地址線路和列地址線路上，對(duì)應(yīng)一個(gè)唯一的行號(hào)和列號(hào)，把行號(hào)和列號(hào)組合在一起，就是內(nèi)存的地址。 上圖是Thaiphoon Burner的一個(gè)SPD dump，每個(gè)地址是一個(gè)字節(jié)。不過我們可以把這些數(shù)據(jù)假設(shè)成只有一個(gè)bit，當(dāng)成是一個(gè)簡(jiǎn)單的內(nèi)存地址表，左邊豎著的是行地址，上方橫著的是列地址。例如我們要找第七行、倒數(shù)第二列（地址為7E）的數(shù)據(jù)，它就只有一個(gè)對(duì)應(yīng)的值：FD。

3、當(dāng)然了，在內(nèi)存的cell中，它只能是0或者1。尋址數(shù)據(jù)要寫入內(nèi)存的一個(gè)cell，或者從內(nèi)存中的一個(gè)cell讀取數(shù)據(jù)，首先要完成對(duì)這個(gè)cell的尋址。尋址的過程，首先是將需要操作的cell的對(duì)應(yīng)行地址信號(hào)和列地址信號(hào)輸入行/列地址緩沖器，然后先通過行解碼器（Row Decoder）選擇特定的行地址線路，以激活特定的行地址。每一條行地址線路會(huì)與多條列地址線路和cell相連接，為了偵測(cè)列地址線路上微弱的激活信號(hào)，還需要一個(gè)額外的感應(yīng)放大器（Sense Amplifier）放大這個(gè)信號(hào)。當(dāng)行激活之后，列地址緩沖器中的列地址信號(hào)通過列解碼器（Column Decoder）確定列地址，并被對(duì)應(yīng)的感應(yīng)放大器

4、通過連接IO線路，這樣cell就被激活，并可供讀寫操作，尋址完成。從行地址激活，到找到列地址這段時(shí)間，就是tRCD。內(nèi)存cell的基本操作內(nèi)存中的cell可以分為3個(gè)基本操作，數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存、寫入與讀取。為了便于理解，我不打算直接從電路控制上對(duì)cell操作進(jìn)行說明，而是希望通過模型類比來達(dá)到說明問題的目的，如有不嚴(yán)謹(jǐn)之處，高手勿怪。要對(duì)內(nèi)存cell進(jìn)行讀寫操作，首先要完成上述尋址過程，并且電容的充電狀態(tài)信號(hào)要被感應(yīng)放大器感應(yīng)到，并且放大，然后MOSFET打開，電容放電，產(chǎn)生電勢(shì)變化，把電荷輸送到IO線路，導(dǎo)致線路的電勢(shì)也變化。當(dāng)然，這只是個(gè)簡(jiǎn)單的描述，以下我們先來了解硅晶體中“電容”的結(jié)構(gòu)和MOS

5、FET的控制原理。硅晶體中的“電容”這里之所以“電容”兩個(gè)字被打上引號(hào)，是因?yàn)楣杈w中并沒有真正意義上的電容。硅晶體中的電容是由兩個(gè)對(duì)置的觸發(fā)器組成的等效電容。例如兩個(gè)非門（Nor Gate）用如下圖的方式對(duì)接。它可以通過周期性施加特定的輸入信號(hào)，以把電荷保留在電路中，充當(dāng)電容的作用。如下圖，兩個(gè)非門的輸入端R和S互相交替做0和1輸入，就可以把電荷儲(chǔ)存在電路中。整個(gè)動(dòng)態(tài)過程就是這樣： 而R和S的波形就是如下圖所示，剛好互為反相，差半個(gè)周期：要讓電容放電，我們只需要把R和S同時(shí)輸入1或者0即可。因此這種電容的邏輯關(guān)系很簡(jiǎn)單：在同一時(shí)刻R和S輸入狀態(tài)不同（即存在電勢(shì)差）時(shí)，電容為充電狀態(tài)

6、；在同一時(shí)刻R和S輸入狀態(tài)相同（即電勢(shì)差為0）時(shí)，電容為放電狀態(tài)。MOSFET的控制原理水庫模型要說明這個(gè)MOSFET的控制原理，我們借助一個(gè)水庫的模型來說明。MOSFET有三個(gè)極，分別是源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。下圖左邊就是一個(gè)MOSFET的電路圖，右邊是我們畫出的一個(gè)水庫模型。 圖中S為源極，D為漏極，G為柵極。S極連接著電容，D級(jí)連接列地址線路，并接到數(shù)據(jù)IO，G則是控制電荷流出的閥門，連接行地址線路。電容在充電后電勢(shì)會(huì)改變，這樣S極的電勢(shì)就會(huì)跟著改變，與D極形成電勢(shì)差，而G極的電勢(shì)，就決定了S極有多少電荷可以流入D極。由于電子是帶負(fù)電荷，因此

7、電子越多電勢(shì)就越低。為了不至于混淆概念，我們把水池頂部電勢(shì)定為0V，水池底部電勢(shì)定為5V（僅舉例說明，DRAM中的電容實(shí)際電壓未必是5V）。當(dāng)電子數(shù)量越多時(shí)，電勢(shì)越低，接近0V，電子數(shù)量越少時(shí)，電勢(shì)越高，接近5V。 用水庫模型說明，就是左邊的水池水量升高（電容充電后），當(dāng)閥門關(guān)閉時(shí)，左邊的水是不會(huì)往右邊流的。然后閥門打開（降低，電勢(shì)升高），左邊的水就可以往右邊流，閥門的高度就決定了有多少水能流去右邊的水道（但是在數(shù)字電路中，MOSFET只有開和關(guān)兩種狀態(tài)，因此下文提到的打開MOSFET就是全開）；同樣道理如果右邊水多，閥門打開之后也可以向左邊流。因此在水庫模型中，電容就充當(dāng)了左邊的水

8、池，而MOSFET的柵極就充當(dāng)了閥門，列地址線路和IO則充當(dāng)了右邊的水道。儲(chǔ)存數(shù)據(jù)MOSFET柵極電勢(shì)為0V時(shí)，電容的電荷不會(huì)流出，因此數(shù)據(jù)就可以保存我們可以用2.5V為參考分界線，電容電勢(shì)低于2.5V時(shí)，表示數(shù)據(jù)0，電勢(shì)高于2.5V時(shí)，表示數(shù)據(jù)1。例如上一樓水庫模型的左圖，電容中儲(chǔ)存的電子數(shù)高于一半的高度，電勢(shì)低于2.5V，因此可以表示數(shù)據(jù)0。但以上只是理論情況，實(shí)際上電容會(huì)自然漏電，電子數(shù)量會(huì)逐漸減少，電勢(shì)就會(huì)逐漸升高，當(dāng)電勢(shì)升高到2.5V以上時(shí)，數(shù)據(jù)就會(huì)出錯(cuò)，因此每隔一段時(shí)間必須打開MOSFET往電容中充電，以保持電勢(shì)，這就是刷新。因此，數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存主要就是對(duì)電容中電勢(shì)的保持操作。寫入數(shù)據(jù)

9、數(shù)據(jù)寫入的操作分為寫入0和寫入1兩種情況。寫入前，電容原有的情況可能是高電勢(shì)與低電勢(shì)的狀態(tài)，我們不用管它。寫入0和寫入1對(duì)cell的操作不盡相同，我們分別來看。先來看寫入0的操作。寫入開始時(shí)，IO線路上電勢(shì)為0（水道處于水位最高點(diǎn)），MOSFET柵極電勢(shì)升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中的電勢(shì)就跟著降低（水位升高），直到接近0V（水池被灌滿），寫入0完成，柵極電勢(shì)降回0V，閥門關(guān)閉。 再看寫入1的操作。寫入開始時(shí)，IO線路上的電勢(shì)為5V（水道水位為最低點(diǎn)），MOSFET柵極電勢(shì)升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中的電勢(shì)跟著升高（水流出并降低水位）到接近5V，

10、寫入1完成，柵極電勢(shì)回到0V，閥門關(guān)閉。 讀取數(shù)據(jù)讀取的時(shí)候，對(duì)漏極的電壓操作跟寫入有些不同。因?yàn)樗乐械乃人刂械亩?，或者說水道的容量比水池要大得多。如果水道（漏極）的水為滿或者空，在閥門打開的時(shí)候很容易出現(xiàn)水道的水倒灌進(jìn)水池的現(xiàn)象，或是水池的水全部流去水道，這樣就有可能導(dǎo)致電容中的電勢(shì)狀態(tài)改變，電容對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存的0或者1也會(huì)改變。所以讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候，IO線路的電壓應(yīng)為1/2的滿電勢(shì)，即2.5V。讀取也同樣分讀取0和1兩種情況。在讀取之前，電容中的電勢(shì)應(yīng)該是大于或者小于2.5V的，分別代表存儲(chǔ)了1和0。由于刷新機(jī)制的存在，應(yīng)該不會(huì)允許出現(xiàn)等于2.5V的情況。首先看讀取0操作。電容中為

11、低電勢(shì)（假設(shè)為0V，水池為高水位），IO線路上電勢(shì)升高至2.5V（這時(shí)水道水位比水池低），MOSFET柵極電勢(shì)升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中電勢(shì)升高（水位降低），但由于水道容量較大，因此水位不會(huì)升高太多，但是總歸也會(huì)有個(gè)電勢(shì)的變低，最終電容與IO線路上的電勢(shì)都變成0-2.5V的一個(gè)中間值，并且接近2.5V（假設(shè)為2.3V）。這時(shí)候感應(yīng)放大器檢測(cè)到IO線路上電勢(shì)低于2.5V，因此識(shí)別出0讀出。 再看讀取1操作。電容中為高電勢(shì)（假設(shè)為5V，水池空），IO線路上電勢(shì)升高至2.5V（這時(shí)候水道水位比水池高），MOSFET柵極電勢(shì)升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容

12、中電勢(shì)降低（水位升高），但由于水道容量較大，水位不會(huì)降低太多，不過多少也會(huì)降低一點(diǎn)（電勢(shì)會(huì)升高），假設(shè)升高到2.7V。這時(shí)候感應(yīng)放大器檢測(cè)到IO線路的電勢(shì)高于2.5V，識(shí)別出1讀出。 以上講述的只是從cell到內(nèi)存IO線路的讀寫操作，至于CPU-IMC-內(nèi)存的讀寫操作，不在本文討論范圍。第二部分：時(shí)序介紹時(shí)序及相關(guān)概念以下我把時(shí)序分為兩部分，只是為了下文介紹起來作為歸類，非官方分類方法。第一時(shí)序：CL-tRCD-tRP-tRAS-CR，就是我們常說的5個(gè)主要時(shí)序。第二時(shí)序：（包含所有XMP時(shí)序）在講時(shí)序之前，我想先讓大家明白一些概念。內(nèi)存時(shí)鐘信號(hào)是方波，DDR內(nèi)存在時(shí)鐘信號(hào)上升和下降

13、時(shí)各進(jìn)行一次數(shù)據(jù)傳輸，所以會(huì)有等效兩倍傳輸率的關(guān)系。例如DDR3-1333的實(shí)際工作頻率是666.7MHz，每秒傳輸數(shù)據(jù)666.7*2=1333百萬次，即1333MT/s，也就是我們說的等效頻率1333MHz，再由每條內(nèi)存位寬是64bit，那么它的帶寬就是：1333MT/s*64bit/8（8bit是一字節(jié)）=10667MB/s。所謂時(shí)序，就是內(nèi)存的時(shí)鐘周期數(shù)值，脈沖信號(hào)經(jīng)過上升再下降，到下一次上升之前叫做一個(gè)時(shí)鐘周期，隨著內(nèi)存頻率提升，這個(gè)周期會(huì)變短。例如CL9的意思就是CL這個(gè)操作的時(shí)間是9個(gè)時(shí)鐘周期。另外還要搞清楚一些基本術(shù)語：Cell：顆粒中的一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元叫做一個(gè)Cell，由一個(gè)電

14、容和一個(gè)N溝道MOSFET組成。Bank：8bit的內(nèi)存顆粒，一個(gè)顆粒叫做一個(gè)bank，4bit的顆粒，正反兩個(gè)顆粒合起來叫做一個(gè)bank。一根內(nèi)存是64bit，如果是單面就是8個(gè)8bit顆粒，如果是雙面，那就是16個(gè)4bit的顆粒分別在兩面，不算ECC顆粒。Rank：內(nèi)存PCB的一面所有顆粒叫做一個(gè)rank，目前在Unbuffered臺(tái)式機(jī)內(nèi)存上，通常一面是8個(gè)顆粒，所以單面內(nèi)存就是1個(gè)rank，8個(gè)bank，雙面內(nèi)存就是2個(gè)rank，8個(gè)bank。Bank與rank的定義是SPD信息的一部分，在AIDA64中SPD一欄可以看到。DIMM：指一條可傳輸64bit數(shù)據(jù)的內(nèi)存PCB，也就是內(nèi)存顆

15、粒的載體，算上ECC芯片，一條DIMM PCB最多可以容納18個(gè)芯片第一時(shí)序CAS Latency（CL）：CAS即Column Address Strobe，列地址信號(hào)，它定義了在讀取命令發(fā)出后到數(shù)據(jù)讀出到IO接口的間隔時(shí)間。由于CAS在幾乎所有的內(nèi)存讀取操作中都會(huì)生效（除非是讀取到同一行地址中連續(xù)的數(shù)據(jù)，4bit顆粒直接讀取間隔3個(gè)地址，8bit顆粒直接讀取間隔7個(gè)地址，這時(shí)候CAS不生效），因此它是對(duì)內(nèi)存讀取性能影響最強(qiáng)的。如下圖，藍(lán)色的Read表示讀取命令，綠色的方塊表示數(shù)據(jù)讀出IO，中間間隔的時(shí)間就是CL。 已知CL時(shí)鐘周期值CAS，我們可以使用以下公式來計(jì)算實(shí)際延遲時(shí)間t

16、CAS：tCAS（ns）=（CAS*2000）/內(nèi)存等效頻率例如，DDR3-1333 CL9內(nèi)存實(shí)際CAS延遲時(shí)間=（9*2000）/1333=13.50 ns或者反過來算，假如已知你的內(nèi)存可以在7.5ns延遲下穩(wěn)定工作，并且你想要DDR3-2000的頻率，那么你可以把CL值設(shè)為8T（實(shí)際上8ns，大于7.5ns即可），如果你想要DDR3-1600的頻率，那么你的CL值可以設(shè)到6T（實(shí)際7.5ns）。這個(gè)公式對(duì)于所有用時(shí)鐘周期表示延遲的內(nèi)存時(shí)序都可以用。說到這個(gè)公式，我想順便說說大家對(duì)頻率和時(shí)序的糾結(jié)問題。首先來回顧一下DDR一代到三代的一些典型的JEDEC規(guī)范，并按照上邊那個(gè)公式算一下它的C

17、L延遲時(shí)間：DDR-400 3-3-3-8：（3*2000）/400=15 nsDDR2-800 6-6-6-18：（6*2000）/800=15 nsDDR3-1333 9-9-9-24：剛才算了是13.5 ns再來看看每一代的超頻內(nèi)存的最佳表現(xiàn)（平民級(jí)，非世界紀(jì)錄）：DDR1 Winbond BH-5 DDR-500 CL1.5：（1.5*2000）/500=6 nsDDR2 Micron D9GMH DDR2-1400 CL4：（4*2000）/1400=5.71 nsDDR3 PSC A3G-A DDR3-2133 CL6：（6*2000）/2133=5.63 ns發(fā)現(xiàn)什么？不管是哪一

18、代內(nèi)存，隨著頻率提升，CL周期也同步提升，但是最后算出來的CL延遲時(shí)間卻差不多。那么到了DDR4，JEDEC規(guī)范頻率去到DDR4-4266，如果按照差不多的延遲，那么按照13ns多一些來算，那么CL值將達(dá)到28T！如果按照我們的極限超頻延遲來算，DDR4-4266下的延遲也將達(dá)到12T。所以到了下一代DDR4，兩位數(shù)的時(shí)鐘周期將不可避免。所以，我想說的是，不要再去想什么DDR3的頻率，DDR2的時(shí)序，在頻寬嚴(yán)重過剩，IMC成為瓶頸的今天，它對(duì)性能沒太多的提升。DRAM RAS to CAS Delay（tRCD）：RAS的含義與CAS類似，就是行（Row）地址信號(hào)。它定義的是在內(nèi)存的一個(gè)ran

19、k（內(nèi)存的一面）之中，行地址激活（Active）命令發(fā)出之后，內(nèi)存對(duì)行地址的操作所需要的時(shí)間。每一個(gè)內(nèi)存cell就是一個(gè)可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址，每個(gè)地址都有對(duì)應(yīng)的行號(hào)和列號(hào)，每一行包含1024個(gè)列地址，當(dāng)某一行地址被激活后，多個(gè)CAS請(qǐng)求會(huì)被發(fā)送以進(jìn)行讀寫操作。簡(jiǎn)單的說，已知行地址位置，在這一行中找到相應(yīng)的列地址，就可以完成尋址，進(jìn)行讀寫操作，從已知行地址到找到列地址過去的時(shí)間就是tRCD。當(dāng)內(nèi)存中某一行地址被激活時(shí)，我們稱它為“open page”。在同一時(shí)刻，同一個(gè)rank可以打開8個(gè)行地址（8個(gè)bank，也就是8個(gè)顆粒各一個(gè)）。下圖顯示一個(gè)行地址激活命令發(fā)出，到尋找列地址并發(fā)出讀取指令，中間間

20、隔的時(shí)間就是tRCD。tRCD值由于是最關(guān)鍵的尋址時(shí)間，它對(duì)內(nèi)存最大頻率影響最大，一般想要上高頻，在加電壓和放寬CL值不奏效的時(shí)候，我們都要放寬這個(gè)延遲。 DRAM RAS Precharge Time（tRP）：RAS預(yù)充電時(shí)間。它定義的是前一個(gè)行地址操作完成并在行地址關(guān)閉（page close）命令發(fā)出之后，準(zhǔn)備對(duì)同一個(gè)bank中下一個(gè)行地址進(jìn)行操作，tRP就是下一個(gè)行地址激活信號(hào)發(fā)出前對(duì)其進(jìn)行的預(yù)充電時(shí)間。由于在行地址關(guān)閉命令發(fā)出之前，一個(gè)rank中的多個(gè)行地址可能正在被讀寫，tRP對(duì)內(nèi)存性能影響不如CL和tRCD。雖然tRP的影響會(huì)隨著多個(gè)行地址激活與關(guān)閉信號(hào)頻繁操作一個(gè)ba

21、nk而加大，但是它的影響會(huì)被bank interleaving（bank交叉操作）和command scheduling（命令調(diào)配）所削弱。交叉讀寫會(huì)交替使用不同的bank進(jìn)行讀寫，減少對(duì)一個(gè)bank的操作頻率；命令調(diào)配則是由CPU多線程訪問不同的內(nèi)存地址，同樣是減少對(duì)一個(gè)bank的頻繁操作次數(shù)。例如SNB CPU的內(nèi)存控制器可以對(duì)讀寫操作命令進(jìn)行有效地重新分配，以使得行地址激活命中率最大化（如果重復(fù)激活一個(gè)已經(jīng)處于激活狀態(tài)的行地址，那就是RAS激活命令未命中），所以tRP在SNB平臺(tái)對(duì)性能的影響不大，并且放寬它有可能可以幫助提升穩(wěn)定性。下圖顯示的是一個(gè)即將被激活的行地址開始預(yù)充電，到它被激活

22、間隔的時(shí)間，就是tRP。 DRAM RAS Active Time（tRAS）：行地址激活的時(shí)間。它其實(shí)就是從一個(gè)行地址預(yù)充電之后，從激活到尋址再到讀取完成所經(jīng)過的整個(gè)時(shí)間，也就是tRCD+tCL的意思。這個(gè)操作并不會(huì)頻繁發(fā)生，只有在空閑的內(nèi)存新建數(shù)據(jù)的時(shí)候才會(huì)使用它。太緊的tRAS值，有可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或不完整，太寬的值則會(huì)影響內(nèi)存性能，尤其是在內(nèi)存使用量增加的時(shí)候。所以一般為了穩(wěn)定性，我們?cè)O(shè)置tRAStRTP+tRCD+CL即可（tRTP不是tRP，將在第二時(shí)序中介紹），尤其是PCB不好或者跑高頻的時(shí)候，多幾個(gè)周期比較穩(wěn)妥。DRAM Command Mode（Command R

23、ate，CR）：首命令延遲，也就是我們平時(shí)說的1T/2T模式。是指從選定bank之后到可以發(fā)出行地址激活命令所經(jīng)過的時(shí)間。CR可能對(duì)性能的影響有比較大的變數(shù)：如果CPU所需要的數(shù)據(jù)都在內(nèi)存的一個(gè)行地址上，就不需要進(jìn)行重復(fù)多次的bank選擇，CR的影響就很?。坏侨绻粋€(gè)rank中同時(shí)多個(gè)bank要激活行地址，或者不同的rank中不同bank需要同時(shí)激活的時(shí)候，CR對(duì)性能的影響就會(huì)提升。但是隨著內(nèi)存頻率的提升，CR=1T/2T的時(shí)間差越短，它的影響就會(huì)越來越小，這就是我們看到DDR1的時(shí)候1T/2T對(duì)性能影響挺大，但是到了DDR3影響就很小的其中一個(gè)原因。但是為了性能最大化，我們盡量把CR設(shè)為1

24、T，但是如果bank數(shù)很多的時(shí)候，例如插滿四條內(nèi)存，就有32個(gè)bank，bank選擇隨機(jī)性增大，1T的首命令時(shí)間可能會(huì)不穩(wěn)定。所以，內(nèi)存的基本讀取操作的時(shí)序角度流程就是把上面那三張圖合起來：預(yù)充電-激活行地址并尋找列地址-發(fā)送讀取命令-讀出數(shù)據(jù)，這四步操作中間的三個(gè)延遲就分別是tRP、tRCD和CL。和我們常說的時(shí)序順序剛好是反過來的。第二時(shí)序XMPDRAM CAS Write Latency（tWCL）：列地址寫入延遲，也就是DRAM的最小寫入操作時(shí)間，與CL剛好是讀寫對(duì)應(yīng)關(guān)系，一般跟CL值設(shè)為同一個(gè)值就是可以穩(wěn)定的。由于內(nèi)存讀取之前必須先寫入，所以這個(gè)值可以說與CL一樣重要。但是在BIOS

25、里一般沒得設(shè)置，可能是與CL綁定了。DRAM Row Cycle Time（tRC）：行周期時(shí)間。定義了同一bank兩次行激活命令所間隔的最小時(shí)間，或者說是一個(gè)bank中完成一次行操作周期（Row Cycle）的時(shí)間，即tRP+tRAS（預(yù)充電加上激活的整個(gè)過程），tRC設(shè)得太緊可能會(huì)直接點(diǎn)開不了機(jī)，一般只要能進(jìn)系統(tǒng)再多加一兩個(gè)周期都是可以穩(wěn)定的。下圖顯示的就是tRC的時(shí)間。DRAM Row Refresh Cycle Time（tRFC）：行地址刷新周期，定義了一個(gè)bank中行地址刷新所需要的時(shí)間。重提一下刷新的含義，由于cell中電容的電荷在MOSFET關(guān)閉之后一段時(shí)間就會(huì)失去，為了維持?jǐn)?shù)

26、據(jù)，每隔很短一段時(shí)間就需要重新充電。這里多提一句，Intel平臺(tái)和AMD平臺(tái)對(duì)tRFC的含義不一樣，AMD平臺(tái)的tRFC是DRAM刷新延遲時(shí)間，單位是ns，通常有90/110/160/300幾個(gè)值可以調(diào)整，也就是說它的tRFC時(shí)鐘周期會(huì)隨著頻率的提升而提升；而Intel平臺(tái)的單位則直接是時(shí)鐘周期，相反地延遲時(shí)間會(huì)隨著頻率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell會(huì)更多，刷新時(shí)間也更長(zhǎng)，因此tRFC也要更高。另外，tRFC如果太快會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，太慢則影響性能，但可以增加穩(wěn)定性。DRAM Refresh Interval（tREFI）：內(nèi)存刷新時(shí)間間隔，也就是內(nèi)存的刷新命令生效前要經(jīng)過的時(shí)間

27、。刷新的時(shí)間間隔一般取決于內(nèi)存顆粒的容量（density），容量越大，就越需要頻繁刷新，tREFI值就要越低。另外tREFI的時(shí)間也會(huì)受到內(nèi)存工作溫度與內(nèi)存電壓（Vdimm）影響，因?yàn)闇囟仍礁唠娙萋╇娫娇臁Ｒ话阍贏MD主板的BIOS里，這個(gè)值只有3.9us和7.8us可選，而在SNB平臺(tái)，則是按時(shí)鐘周期算，例如DDR3-1333下默認(rèn)值為5199T，換算過來就是2000/1333x5199=7800ns，也就是7.8us。一般DRAM顆粒的spec中都是規(guī)定工作溫度大于85度時(shí)采用3.9us。DRAM RAS to RAS Delay（tRRD）：行地址間延遲，定義的是同一rank不同bank間兩個(gè)連續(xù)激活命令的最短延遲，在DDR3時(shí)代一般最小是4T。它的作用和CR有點(diǎn)像，不過比CR更多的時(shí)候?qū)π阅苡休^大的影響，所以這個(gè)時(shí)序可盡量縮小。DRAM Write Recovery Time（tWR）：內(nèi)存寫入恢復(fù)時(shí)間，它定義了內(nèi)存從寫入命令發(fā)出（從開始寫入算起）到下一次預(yù)充電間隔的時(shí)