1、DDR,DDR2,DDR3內(nèi)存區(qū)別DDR SDRAM：嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期

2、和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比：DDR運用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。從外形體

3、積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。DDR2的詳解RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從

4、一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外其可把數(shù)據(jù)集中

5、起來以分組的形式傳送，所以只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度可以達(dá)到256字節(jié)。“上古”時代的FP/EDO內(nèi)存，由于半導(dǎo)體工藝的限制，頻率只有25MHz/50MHz，自SDR以后頻率從66MHz一路飆升至133MHz，終于遇到了難以逾越的障礙。此后所誕生的DDR1/2/3系列，它們存儲單元官方頻率（JEDEC制定）始終在100MHz-200MHz之間徘徊，非官方（超頻）頻率也頂多在250MHz左右，很難突破300MHz。事實上高頻內(nèi)存的出錯率很高、穩(wěn)定性也得不到保證，除了超頻跑簡單測試外并無實際應(yīng)用價值。既然存儲單元的頻率（簡稱內(nèi)核頻率，也就是電容的

6、刷新頻率）不能無限提升，那么就只有在I/O（輸入輸出）方面做文章，通過改進(jìn)I/O單元，這就誕生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的內(nèi)存種類。通常大家所說的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其實并非是內(nèi)存的真正頻率，而是業(yè)界約定俗成的等效頻率，這些DDR1/2/3內(nèi)存相當(dāng)于老牌SDR內(nèi)存運行在400MHz、800MHz、1600MHz時的帶寬，因此頻率看上去很夸張，其實真正的內(nèi)核頻率都只有200MHz而已！內(nèi)存有三種不同的頻率指標(biāo)，它們分別是核心頻率、時鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell陣列(Memory Cell Array，即內(nèi)部電

7、容)的刷新頻率，它是內(nèi)存的真實運行頻率；時鐘頻率即I/O Buffer（輸入/輸出緩沖）的傳輸頻率；而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率就是指數(shù)據(jù)傳送的頻率。近年來內(nèi)存的頻率雖然在成倍增長，可實際上真正存儲單元的頻率一直在133MHz-200MHz之間徘徊，這是因為電容的刷新頻率基本到了上限。而每一代DDR的推出，都能夠以較低的存儲單元頻率，實現(xiàn)更大的帶寬，并且為將來頻率和帶寬的提升留下了一定的潛力。雖然存儲單元的頻率一直都沒變，但內(nèi)存顆粒的I/O頻率卻一直在增長，再加上DDR是雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率可以達(dá)到核心頻率的8倍之多！相信很多人都知道，DDR1/2/3內(nèi)存最關(guān)鍵的技術(shù)就是分別采用了2/4/

8、8bit數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)（Prefetch），由此得以將帶寬翻倍，與此同時I/O控制器也必須做相應(yīng)的改進(jìn)。預(yù)取，顧名思義就是預(yù)先/提前存取數(shù)據(jù)，也就是說在I/O控制器發(fā)出請求之前，存儲單元已經(jīng)事先準(zhǔn)備好了2/4/8bit數(shù)據(jù)。簡單來說這就是把并行傳輸?shù)臄?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流，我們可以把它認(rèn)為是存儲單元內(nèi)部的Raid/多通道技術(shù)，可以說是以電容為單位的。這種存儲陣列內(nèi)部的實際位寬較大，但是數(shù)據(jù)輸出位寬卻比較小的設(shè)計，就是所謂的數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，它可以讓內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率倍增。試想如果我們把一條細(xì)水管安裝在粗水管之上，那么水流的噴射速度就會翻幾倍。DDR3內(nèi)存的優(yōu)勢：低功耗低發(fā)熱通過8bit預(yù)取技術(shù)，DDR

9、3內(nèi)存的有效頻率在DDR2的基礎(chǔ)上再次翻倍，延續(xù)了SDR/DDR的生命。但DDR3并非是片面提升頻率從而得到高帶寬，實際上DDR3除了高頻率之外，還有很多不為人知的優(yōu)點。工作電壓從1.8V降至1.5V，頻率翻倍的同時功耗下降20-30%眾所周知，半導(dǎo)體芯片的功耗與晶體管數(shù)成正比，與工作電壓的平方成正比，所以電壓對其功耗與發(fā)熱的影響最大。和CPU/GPU的發(fā)展類似，DRAM在提高頻率和容量的同時，電壓也在不斷的降低。DDR1的標(biāo)準(zhǔn)電壓為2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3則進(jìn)一步壓縮至1.5V。理論上來說，同頻率下DDR3會比DDR2省電達(dá)30%之多，這里需要強調(diào)的是，DDR3-1600的

10、核心頻率與DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO頻率雖然翻了一倍但對功耗發(fā)熱的貢獻(xiàn)不大，此消彼長之后DDR3-1600比DDR2-800省電23%！但是，在DDR3發(fā)展初期，很多內(nèi)存廠商為了片面追求高頻率，推出過不少高壓高頻內(nèi)存條，默認(rèn)1.8V-2V甚至2.2V的內(nèi)存都有，這些內(nèi)存的功耗與發(fā)熱顯然不會比DDR2低，這也就導(dǎo)致大家對DDR3產(chǎn)生不好的印象。使用更先進(jìn)的工藝制造，容量翻倍的同時功耗再降時代在發(fā)展工藝在進(jìn)步，DDR3作為最新產(chǎn)品自然會使用最先進(jìn)的工藝制程，與早期6Xnm工藝的顆粒相比，新投產(chǎn)的5Xnm可以將DRAM顆粒的功耗再降33%，還不到DDR2的一半！經(jīng)常

11、關(guān)注筆記本的朋友應(yīng)該會發(fā)現(xiàn)2008下半年很多品牌都開始標(biāo)配DDR3內(nèi)存，筆記本領(lǐng)先臺式機開始普及DDR3，雖然筆記本CPU尚無法利用到DDR3內(nèi)存的巨大帶寬，但超低的功耗是非常誘人的，一些專為筆記本設(shè)計的內(nèi)存將電壓進(jìn)一步降至1.35V，功耗僅為DDR2的37%，確實不可思議！DDR3的最大誤區(qū)：相對延遲變大，絕對延遲變小在DDR3發(fā)布初期，由于其性能表現(xiàn)并沒有想象中的那么好，所以很多人認(rèn)為DDR3被它較高的延遲拖了后腿，事實上這個論調(diào)在DDR2初代內(nèi)存身上也出現(xiàn)過，并不稀奇。那么DDR3真的是延遲太高影響性能了嗎？DDR3的I/O頻率相比DDR2有了成倍的增加，為了保證高頻率下數(shù)據(jù)精確的傳遞，

12、DDR3的總體延遲相比DDR2有所提高。這些延遲的提高會一定程度上造成內(nèi)存性能下降，但絕不會超過高頻率帶來的性能提升。事實上除了理論CL值這些延遲之外，內(nèi)存真正的延遲還與工作頻率有關(guān)。片面地認(rèn)為CL數(shù)值大就是DDR3延遲表現(xiàn)不及DDR2，是完全錯誤無知的觀念。事實上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其內(nèi)存延遲均為15ns。內(nèi)存實際延遲 = CL值*1000/IO頻率通過公式代入計算就能得出，DDR3-1066 C7、DDR3-1333 C8、DDR3-1600 C9的實際延遲都要低于DDR2默認(rèn)的15ns，和主流的DDR2-800 C5差不多。不論DDR2還是DDR3都有高頻低延遲的型號，DDR3依然占據(jù)上風(fēng)。3個的區(qū)別是頻率，還有延時，DDR1的最高速度是DDR400，DDR2最高可達(dá)1150（極個別的超頻條子），而DDR3最低都有1333左右，這個就跟電腦處理器的主頻是差不多的，但是呢，隨著頻率