半導體工藝崗筆試題目及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.光刻的主要作用是？A.摻雜B.圖形轉移C.氧化D.蝕刻2.以下哪種是半導體常用的摻雜元素？A.碳B.硅C.硼D.鐵3.化學氣相沉積的英文縮寫是？A.CVDB.PVDC.MBED.RIE4.硅片清洗常用的試劑是？A.酒精B.硫酸C.鹽酸D.氫氟酸5.蝕刻速率與下列哪種因素無關？A.溫度B.壓力C.氣體流量D.硅片顏色6.以下哪種不屬于光刻設備部件？A.光源B.掩膜版C.反應腔D.物鏡7.擴散工藝主要用于？A.形成金屬層B.雜質摻入C.光刻膠去除D.表面平整8.哪種氣體常用于等離子體蝕刻？A.氮氣B.氧氣C.氬氣D.氫氣9.熱氧化生成二氧化硅的反應氣體是？A.氧氣B.氮氣C.氫氣D.氯氣10.半導體制造中常用的襯底材料是？A.銅B.鋁C.硅D.金答案：1.B2.C3.A4.D5.D6.C7.B8.C9.A10.C多項選擇題（每題2分，共10題）1.半導體工藝中常見的薄膜生長方法有？A.CVDB.PVDC.MBED.電鍍2.光刻工藝的主要步驟包括？A.涂膠顯影B.曝光C.蝕刻D.去膠3.蝕刻工藝中常用的蝕刻方式有？A.濕法蝕刻B.干法蝕刻C.激光蝕刻D.化學蝕刻4.半導體摻雜的目的是？A.改變導電類型B.調整電阻率C.提高機械性能D.增強發(fā)光特性5.化學氣相沉積可用于生長哪些薄膜？A.二氧化硅B.氮化硅C.多晶硅D.金屬薄膜6.硅片清洗時可能用到的清洗方式有？A.超聲清洗B.噴淋清洗C.浸泡清洗D.擦拭清洗7.光刻膠的特性包括？A.感光性B.粘附性C.溶解性D.絕緣性8.擴散工藝中常用的擴散源有？A.硼源B.磷源C.砷源D.碳源9.熱氧化工藝的優(yōu)點有？A.工藝簡單B.膜質好C.成本低D.生長速度快10.半導體制造中常用的測量設備有？A.顯微鏡B.橢偏儀C.四探針測試儀D.光譜儀答案：1.ABC2.ABD3.AB4.AB5.ABC6.ABC7.ABC8.ABC9.ABC10.ABCD判斷題（每題2分，共10題）1.光刻分辨率越高，芯片集成度越高。（）2.濕法蝕刻比干法蝕刻更適合高精度圖形蝕刻。（）3.化學氣相沉積只能生長無機薄膜。（）4.擴散工藝會改變半導體的晶體結構。（）5.硅片清洗后不需要進行干燥處理。（）6.光刻膠曝光后會發(fā)生化學變化。（）7.蝕刻速率越快越好。（）8.熱氧化生成的二氧化硅膜是絕緣的。（）9.半導體摻雜濃度越高，導電性越好。（）10.半導體工藝中每個步驟都不需要嚴格控制環(huán)境。（）答案：1.√2.×3.×4.×5.×6.√7.×8.√9.×10.×簡答題（總4題，每題5分）1.簡述光刻的基本原理。光刻是通過光刻膠感光特性，將掩膜版圖形轉移到硅片上，經顯影等步驟，在硅片特定區(qū)域保留光刻膠或去除光刻膠，實現(xiàn)圖形化。2.化學氣相沉積生長薄膜的條件有哪些？需合適反應氣體、溫度、壓力、氣體流量等條件，使反應氣體在襯底表面發(fā)生化學反應，生成固態(tài)薄膜。3.蝕刻工藝的關鍵參數(shù)有哪些？蝕刻速率、蝕刻均勻性、選擇比等。蝕刻速率影響加工時間，均勻性確保各部位蝕刻一致，選擇比決定對不同材料蝕刻的選擇性。4.半導體摻雜的方法有哪些？熱擴散、離子注入等。熱擴散是利用高溫使雜質原子在半導體中擴散；離子注入是將雜質離子加速注入半導體。討論題（總4題，每題5分）1.如何提高光刻的分辨率？可采用更短波長光源、優(yōu)化光刻膠性能、改進物鏡系統(tǒng)等。短波長光可減小衍射，高性能光刻膠能提高圖形保真度，好的物鏡可減少像差，從而提高分辨率。2.濕法蝕刻和干法蝕刻各有什么優(yōu)缺點？濕法蝕刻優(yōu)點是設備簡單、成本低、對圖形適應性好；缺點是蝕刻速率不均、易產生側向蝕刻。干法蝕刻優(yōu)點是蝕刻精度高、均勻性好、可實現(xiàn)各向異性蝕刻；缺點是設備成本高、工藝復雜。3.化學氣相沉積過程中如何保證薄膜質量？嚴格控制反應氣體純度、流量、溫度、壓力等參數(shù)，確保反應充分且穩(wěn)定。同時要保證襯底表面清潔，