本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告1維持評級相關(guān)研究備有望受益-2025/10/10力龍頭上市加速推進(jìn)-2025/09/23維持評級相關(guān)研究備有望受益-2025/10/10力龍頭上市加速推進(jìn)-2025/09/23應(yīng)鏈低位機(jī)遇-2025/09/22點(diǎn)全面趕超加速放量-2025/09/19掩模版是半導(dǎo)體材料自主可控的關(guān)鍵一步。掩模版是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過程中不可或缺的材料，其基本工作原理是將設(shè)計(jì)好的電路圖形通過光刻刻蝕等工藝?yán)L制在掩模版上，隨后將掩模版承載的電路圖形通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到硅晶圓等基體材料上。半導(dǎo)體掩模版是技術(shù)要求最高的掩模版品類，同時(shí)也是最大的掩模版應(yīng)用市場，IC制造生產(chǎn)占據(jù)掩模版下游60%的份額，而高端半導(dǎo)體掩模版主要被美國和日韓廠商壟斷，因此其國產(chǎn)化突破對國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈具備重要戰(zhàn)略意全球掩模版市場空間廣闊，增長動力強(qiáng)勁。半導(dǎo)體掩模版作為核心半導(dǎo)體材料之一，2021年占全球半導(dǎo)體材料市場的12%，僅次于硅片和電子特氣。根據(jù)SEMI、CEMIA數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模有望在2025年達(dá)到60.79億美元，同比增長7%。中國大陸半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模快速增長，從2017年的9.12億美元增至2022年的15.56億美元，2017-2022年復(fù)合增速達(dá)到11.3%。隨著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域不斷突破，掩模版市場規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大，為國產(chǎn)廠商帶來巨大機(jī)遇?？瞻籽谀０媸前雽?dǎo)體掩模版的核心部件?？瞻籽谀０婧凸庋谀０婵梢灶惐葹榕恼涨昂蟮哪z片?？瞻籽谀０娴幕窘Y(jié)構(gòu)是在玻璃面板上鍍一層光學(xué)薄膜，材料包括鉻、硅化鉬、氧化硅等。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，需要高清光掩模來形成精細(xì)圖案，以及與之配套的空白掩模版。空白掩模版是構(gòu)成光掩模版的主要成本項(xiàng)，根據(jù)掩模版制造商龍圖光罩招股說明書，2021-2023年間采購原材料中空白掩模版占比分別為64%、58%、53%。根據(jù)我們測算，2024年全球空白掩模版市場規(guī)模約為18億美元，中國大陸市場規(guī)模約為4億美元?？瞻籽谀０尕酱龑?shí)現(xiàn)國產(chǎn)化突破。日本廠商占據(jù)全球空白掩模版的主要市場份額，包括HOYA、信越、AGC等全球知名電子化學(xué)品領(lǐng)域巨頭。其中HOYA在EUV空白掩模版市場占有率占據(jù)主導(dǎo)地位，剩余市場被另外一家供應(yīng)商占據(jù)。DUV空白掩模版市場中，HOYA同樣占據(jù)主要份額。其他地區(qū)廠商如S&STech、SKC等韓國廠商也在追趕。中國大陸廠商聚和材料擬通過收購韓國SKE的相關(guān)業(yè)務(wù)介入空白掩模版領(lǐng)域，彌補(bǔ)國內(nèi)高端空白掩模版的缺失?？瞻籽谀０孀鳛楣庋谀０娴闹饕杀卷?xiàng)，其國產(chǎn)化對整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重要意義。投資建議：海外對華半導(dǎo)體出口管制加劇了全球供應(yīng)鏈的不確定性，半導(dǎo)體掩模版國產(chǎn)化能夠降低國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈對國外的依賴，提高產(chǎn)業(yè)鏈的安全性和穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)從芯片設(shè)計(jì)到制造的全鏈條自主可控。建議關(guān)注：聚和材料（擬通過收購SKE布局空白掩模版業(yè)務(wù)）、龍圖光罩、路維光電、清溢光電等。風(fēng)險(xiǎn)提示：技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)，供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，市場競爭風(fēng)險(xiǎn)。重點(diǎn)公司盈利預(yù)測、估值與評級聚和材料4341/龍圖光罩45/行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告21掩模版國產(chǎn)化是半導(dǎo)體自主可控的關(guān)鍵一步 31.1掩模版是重要半導(dǎo)體原材料，技術(shù)壁壘高 31.2半導(dǎo)體掩模版是核心材料之一，市場空間廣闊 61.3制程提升離不開掩模版的同步升級 82空白掩模版是掩模版核心原材料 2.1空白掩模版是掩模版的基礎(chǔ)材料 122.2空白掩模版生產(chǎn)難點(diǎn)多，技術(shù)壁壘高 132.3空白掩模版市場被日系廠商壟斷 152.4空白掩模版國產(chǎn)化亟待突破 163投資建議 3.1行業(yè)投資建議 193.2重點(diǎn)公司 194風(fēng)險(xiǎn)提示 21插圖目錄 22表格目錄 22行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告31掩模版國產(chǎn)化是半導(dǎo)體自主可控的關(guān)鍵一步掩模版（又稱光罩、光掩模版）是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過程中不可或缺的材料。其基本的工作原理是將設(shè)計(jì)好的電路圖形通過光刻刻蝕等工藝?yán)L制在掩模版上，隨后將掩模版承載的電路圖形通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到硅晶圓等基體材料上，從而實(shí)現(xiàn)集成電路的批量化生產(chǎn)。圖1：掩模版外觀示意圖圖2：掩模版工作原理示意圖掩模版產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括各類原材料供應(yīng)商，中游為掩模版制造商，下游主要包括半導(dǎo)體生產(chǎn)制造、平板顯示、觸控、電路板等應(yīng)用領(lǐng)域。其中上游原材料主要包括掩模基本和光學(xué)膜，而在掩模版上繪制電路圖形的過程中也需要用到光刻膠、清洗劑等化學(xué)試劑。下游應(yīng)用領(lǐng)域則以IC制造和平板顯示為主。圖3：掩模版產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D半導(dǎo)體掩模版是技術(shù)要求最高的掩模版品類。按照下游應(yīng)用領(lǐng)域來劃分，掩模行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告4版主要包括半導(dǎo)體掩模版、平板顯示掩模版、PCB掩模版。其中半導(dǎo)體掩模版技術(shù)壁壘最高，產(chǎn)品質(zhì)量要求最為嚴(yán)格。半導(dǎo)體掩模版最小線寬達(dá)到0.5μm，CD精度和CD精度均值偏差均為0.02μm，顯著低于平板顯示掩模版和PCB掩模版。套刻層數(shù)也高于平板顯示掩模版。表1：掩模版主要下游應(yīng)用領(lǐng)域及參數(shù)要求關(guān)鍵參數(shù)關(guān)鍵參數(shù)說明半導(dǎo)體掩模版平板顯示掩模版PCBPCB掩模版掩模版最小線寬應(yīng)下游產(chǎn)品線寬越小0.5μm1.2μm10μmCD精度數(shù)值越小，說明精度越高0.02μm0.10μm0.50μmCD精度均值偏差數(shù)值越小，說明精度穩(wěn)定性越高0.02μm0.12μm位置精度數(shù)值越小，掩模版實(shí)際圖形位置坐標(biāo)與設(shè)計(jì)值的偏差越小，精度越高0.02μm0.28μm套刻層數(shù)下游生產(chǎn)時(shí)使用的掩模版的層數(shù)，層數(shù)越多對套刻精度要求越高成套芯片用掩模版包含的張數(shù)較多，通常十幾張到數(shù)十張不等成套的平板顯示用掩模版一般數(shù)量相對較少，即使是AMOLED一般也僅需十?dāng)?shù)張半導(dǎo)體制造是最大的掩模版應(yīng)用市場。從掩模版下游應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)來看，IC的制造生產(chǎn)占據(jù)主要份額，高達(dá)60%。其次是包括LCD和OLED在內(nèi)的平板顯示制造領(lǐng)域，合計(jì)占比28%。PCB占比1%，其他領(lǐng)域占比11%。國產(chǎn)掩模版供應(yīng)商主要集中于平板顯示領(lǐng)域和傳統(tǒng)成熟制程半導(dǎo)體領(lǐng)域，而高端半導(dǎo)體掩模版主要被美國和日韓廠商壟斷。由此可見，半導(dǎo)體掩模版的突破，對于國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈而言具備重要戰(zhàn)略意義。圖4：掩模版下游應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)資料來源：觀研天下，民生證券研究院掩模版生產(chǎn)流程主要包括激光光刻、顯影、蝕刻、脫模、清洗等環(huán)節(jié)，同時(shí)前行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告5置流程還包括CAM圖檔處理、光阻涂布。其中CAM圖檔處理是將產(chǎn)品圖檔轉(zhuǎn)化成為光刻機(jī)能夠正常識別的格式；同時(shí)對產(chǎn)品原始圖形/圖檔進(jìn)行一定程度的設(shè)計(jì)、排布、特殊補(bǔ)正（如DCM、OPC）等。光阻涂布是在已經(jīng)沉積了鉻膜的基板上，涂布一定厚度和均勻性的光阻，通過烘烤的方式使光阻固化，使得基板能夠在特定波長的光束下發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，后續(xù)通過顯影、蝕刻等化學(xué)制程得到與設(shè)計(jì)圖形一致的鉻膜圖形。圖5：掩模版主要生產(chǎn)制造流程及工藝掩模版大部分由FAB自供，第三方市場主要被美日廠商壟斷。從掩模版市場主要參與者來看，大部分市場由晶圓廠自有的掩模版生產(chǎn)商提供，且大部分并不對外出售，整體占比達(dá)到65%。而在剩下的第三方掩模版市場中，Toppan（日本）、中國臺灣的臺灣光罩和日本的HOYA分別占比2%和2%，其他廠商占比2%。本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告6圖6：全球半導(dǎo)體掩模版廠商市場格局資料來源：SEMI，龍圖光罩招股說明書，民生證券研究院圖7：全球獨(dú)立第三方半導(dǎo)體掩模版廠商市場格局資料來源：SEMI，龍圖光罩招股說明書，民生證券研究院AI算力和HBM帶動全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模強(qiáng)勁復(fù)蘇。半導(dǎo)體材料市場經(jīng)歷2023年的回落之后，近兩年處于快速復(fù)蘇階段。得益于高性能計(jì)算和高帶寬存儲器制造對先進(jìn)材料需求的不斷增長，據(jù)WICA預(yù)計(jì)，半導(dǎo)體材料市場規(guī)模有望在2025年達(dá)到760億美元，同比增長8.42%，2021-2025年復(fù)合增速價(jià)或?qū)⑦_(dá)到2.7%。圖8：全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模資料來源：WICA，民生證券研究院中國大陸是全球第二大半導(dǎo)體材料市場，關(guān)鍵品種自主可控意義重大。而從地區(qū)分布來看，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2024年中國臺灣、中國大陸、韓國是三大主要市場，分別占比29.78%、19.95%、15.49%，合計(jì)占比約65%。其他主要地區(qū)中，日本、北美、歐洲分別占比9.67%、8.21%、6.47%。中國大陸半導(dǎo)體材料市場約占全球總體規(guī)模的20%，排名全球第二，包括掩模版在內(nèi)的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化突破，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重大戰(zhàn)略意義。行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告7圖9：2024年全球半導(dǎo)體材料市場不同地區(qū)占比資料來源：SEMI，民生證券研究院掩模版是半導(dǎo)體材料核心細(xì)分品類之一。從市場規(guī)模來看，掩模版是核心半導(dǎo)體材料之一，份額占比較高。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場以硅片為主，占比約為35%；其次是電子特氣，占比13%；而掩模版占比12%，僅次于硅片和電子特氣。圖10：2021年全球半導(dǎo)體材料細(xì)分品類占比資料來源：SEMI，龍圖光罩招股說明書，民生證券研究院根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模在2023年出現(xiàn)回調(diào)，同比下降1%到54.35美元。隨后半導(dǎo)體掩模版市場在2024-2025年開始復(fù)蘇，有望在2025年達(dá)到60.79億美元，同比增長7%。本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告8圖11：全球半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)、CEMIA數(shù)據(jù)，中國大陸半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)?？焖僭鲩L，從2017年的9.12億美元增至2022年的15.56億美元，2017-2022年復(fù)合增速達(dá)到11.3%。2023年達(dá)到17.78億美元，同比增速14.27%。未來隨著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域不斷突破，掩模版市場規(guī)模有望水漲船高，打開市場空間。圖12：中國大陸半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模晶體管結(jié)構(gòu)趨于復(fù)雜，帶來掩模版用量提升。半導(dǎo)體器件和結(jié)構(gòu)是通過一層一層累計(jì)疊加形成的，芯片設(shè)計(jì)版圖通常由十幾層到數(shù)十層圖案組成，芯片制造最關(guān)鍵的工序是將每層掩模版上的圖案通過多次光刻工藝精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移到晶圓上。因此隨著制程提升，晶體管結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，所需要用到的掩模板及空白掩模版整體本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告9上也呈現(xiàn)數(shù)量增加、精度提升的趨勢。圖13：半導(dǎo)體多層光刻原理圖資料來源：龍圖光罩招股說明書，民生證券研究院隨著制程提升，掩模版套刻層數(shù)整體呈現(xiàn)提高趨勢。根據(jù)ICKnowledge數(shù)據(jù)，臺積電130nm制程節(jié)點(diǎn)所需掩膜版層數(shù)約為30層，而28nm制程節(jié)點(diǎn)所需掩膜版層數(shù)則增加到約50層，14nm/10nm所需層數(shù)則達(dá)到60層，整體上呈現(xiàn)數(shù)量逐漸增加的趨勢。制程越高，通常晶體管結(jié)構(gòu)就越復(fù)雜，導(dǎo)致完成設(shè)計(jì)版圖所需的掩模版數(shù)量也越來越多，從而帶來空白掩模版用量的提升。圖14：不同制程節(jié)點(diǎn)所需掩模版層數(shù)對比高端掩模版技術(shù)復(fù)雜度高，壁壘顯著提升。先進(jìn)制程對半導(dǎo)體掩模版的技術(shù)參數(shù)提出越來越高的要求。以O(shè)PC為例，隨著半導(dǎo)體制程從微米級別縮小至2nm甚至更小的線寬線距，光刻過程中的散射現(xiàn)象也越來越嚴(yán)重，從而導(dǎo)致投射的光學(xué)圖像明顯變形，因此需要引入OPC光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)、PSM相移掩模版技術(shù)、電子束光刻技術(shù)為代表的一系列圖形分辨率增強(qiáng)技術(shù)，從而導(dǎo)致掩模版需要進(jìn)行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告10行多次檢測，延長生產(chǎn)時(shí)間，進(jìn)而導(dǎo)致成本提高。圖15：掩模版OPC原理圖高端掩模版需要更加昂貴的光刻設(shè)備、更長的檢測時(shí)間。以A、B、C三類不同掩模版作為對比，其中A掩模版沒有使用OPC技術(shù)，只需基礎(chǔ)的光刻設(shè)備和檢測設(shè)備，吞吐量相對較高，因此成本最低，每片價(jià)格僅為1-5千美元。而B掩模版需要用到OPC技術(shù)，仍然使用基礎(chǔ)光刻設(shè)備，但是需要進(jìn)行多次檢測，使得單位出品的價(jià)格相應(yīng)上升。C掩模版采用VSEB向量掃描電子束光刻設(shè)備，光刻設(shè)備成本大幅度提升，同時(shí)由于MBOPC技術(shù)和相位移掩模版技術(shù)的應(yīng)用，每個(gè)掩模的總檢測時(shí)間增速超過每個(gè)掩模的光刻時(shí)間，因此需要增加新的光刻設(shè)備才能夠達(dá)到生產(chǎn)效率的上限，因此C類掩模版成本高達(dá)2-12萬美元。表2：不同類型掩模板成本對比MaskClassOPCPGToolPGTime(hours)InspectTime(hours)MaskUnitPrice(US$)ALaserByesLaser0.5to6CyesVSEB$20k-$120k先進(jìn)制程工藝所需掩模版成本或?qū)⒋蠓嵘?。隨著制程提高，芯片設(shè)計(jì)制造對精密度要求顯著提升。以16/14nm和7nm芯片作為對比來看，16/14nmSoC行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告11所需掩模版成本約為500萬美元，占整體成本比例約為1.5%；而7nmSoC所需掩模版成本就增加兩倍至1500萬美元，占整體成本的比例也上升到2.5%。圖16：不同制程SoC所需成本對比（萬美元）資料來源：Gartner，民生證券研究院本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告122空白掩模版是掩模版核心原材料空白掩模版是半導(dǎo)體光掩模版的核心部件?？瞻籽谀０婧凸庋谀０婵梢灶惐葹榕恼涨昂蟮哪z片?？瞻籽谀０娴幕窘Y(jié)構(gòu)是在石英面板上鍍一層光學(xué)薄膜，材料包括鉻、硅化鉬、氧化硅等。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，需要高清光掩模來形成精細(xì)圖案，以及與之配套的空白掩模版。越高端的掩模版，對于空白掩模版的平整度、薄膜沉積性能、缺陷控制等各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)的要求就越高。圖17：空白掩模版基本結(jié)構(gòu)資料來源：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微納研究與制造中心，民生證券研究院按照空白掩模版材料分類，掩模版主要包括石英掩模版和蘇打掩模版，其中石英掩模版以高純石英玻璃為基材，具有高透過率、高平坦度、低膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，主要用于對精度要求較高的功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、先進(jìn)IC封裝等領(lǐng)域。而蘇打掩模版應(yīng)用在偏中低精度的掩模版中，主要用于對精度要求較低的中低端半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體封裝、光學(xué)器件、觸控屏和電路板制造等領(lǐng)域。表3：半導(dǎo)體掩模版按基板材料分類及應(yīng)用場景產(chǎn)品名稱產(chǎn)品圖例產(chǎn)品簡介應(yīng)用場景石英掩模版以高純石英玻璃為基材，具有高透過率、高平坦度、低膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，成本較高，通常應(yīng)用于高精度掩模版主要用于對精度要求較高的功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、先進(jìn)IC封裝等領(lǐng)域。行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告13蘇打掩模版使用蘇打玻璃作為基板材料，熱膨脹率相對高于石英玻璃，平整度和耐磨性相對弱于石英玻璃，成本相對較低，主要用于中低精度掩模版。主要用于對精度要求較低的中低端半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體路板制造等領(lǐng)域?？瞻籽谀０媸枪庋谀０嬷饕牧现?。根據(jù)龍圖光罩招股說明書，原材料主要包括基板（空白掩模版）、光學(xué)膜、ABS包裝盒等，其中基板主要包括石英基板和蘇打基板，石英基板和蘇打基板在2021-2023年間合計(jì)占比分別為63.87%、58.41%、52.84%。由此可見，空白掩模版是構(gòu)成光掩模版的主要成本項(xiàng)。圖18：龍圖光罩原材料采購結(jié)構(gòu)資料來源：龍圖光罩招股說明書，民生證券研究院空白掩模版生產(chǎn)工藝流程主要包括材料合成、切片、研磨與拋光、清潔、薄膜沉積、光刻膠涂覆等主要步驟。首先需要硅和鈦源材料的火焰水解，以形成摻鈦二氧化硅玻璃錠，隨后通過切片、研磨、拋光等環(huán)節(jié)形成光滑平整的板材，接著通過薄膜沉積工藝形成遮光膜，最后涂覆光刻膠完成空白掩模版的生產(chǎn)加工。表4：空白掩模板生產(chǎn)工藝流程步驟順序環(huán)節(jié)具體工藝1材料合成硅和鈦源等原材料的火焰水解，以形成摻鈦二氧化硅玻璃錠2切片將玻璃錠切成板材3研磨與拋光研磨和拋光以形成光滑平整的表面行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告144清潔去除顆粒和拋光漿5薄膜沉積用抗反射涂層（ARC）沉積遮光膜6光刻膠涂覆空白掩模版生產(chǎn)工藝存在諸多技術(shù)難點(diǎn)。高端空白掩模版要求基板材質(zhì)中雜質(zhì)含量極低，對透過率、應(yīng)力雙折射、條穩(wěn)、顆粒均勻性等光學(xué)性能也要求極高，不允許有氣泡、不透明雜質(zhì)等缺陷。同時(shí)，在平面加工和鍍膜等工藝流程中也有著相應(yīng)的高要求，檢測和篩選能力也需要隨著產(chǎn)品高端化而不斷提升。表5：空白掩模板材料性能要求類別玻璃材料和性能合成石英組分SiO?100%OH含量雜質(zhì)石英玻璃基板中Al、Ca、Cu、Fe、Na、K、Li、Mg等8種雜質(zhì)元素含量均＜0.01ppm光學(xué)性質(zhì)透過率Transmittance≥90.0%@450nm應(yīng)力雙折射(nm/cm)birefringence條紋不準(zhǔn)許有條紋顆粒不均勻性不準(zhǔn)許有不均勻顆粒缺陷Defect氣泡和不透明雜質(zhì)Bubbles無隨著制程提升和光刻工藝的演進(jìn)，掩模版及空白掩模板也需要進(jìn)行同步升級，技術(shù)和工藝壁壘也將大大提升。最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程需要用到EUV掩模版。為了制作EUV掩模版，需要在基板上交替沉積多層材料，并反復(fù)檢測。EUV掩模版的缺陷必須接近或達(dá)到零水平，此外還需要降低3D效應(yīng)，不能對X射線的反射產(chǎn)生任何問題。本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告15圖19：EUV空白掩模版基本結(jié)構(gòu)資料來源：semiengineering，民生證券研究院日本廠商占據(jù)全球空白掩模版的主要市場份額。全球空白掩模版市場主要被日本供應(yīng)商占據(jù)，包括HOYA、信越、AGC等全球知名電子化學(xué)品領(lǐng)域巨頭。其他地區(qū)廠商處于追趕階段，為了打破日本廠商的壟斷，S&STech、SKC等韓國廠商也著力布局該領(lǐng)域。而中國大陸的聚和材料擬通過收購韓國SKE的相關(guān)業(yè)務(wù)介入空白掩模版領(lǐng)域，彌補(bǔ)國內(nèi)高端空白掩模版的缺失。表6：全球空白掩模版主要供應(yīng)商地區(qū)供應(yīng)商HOYA、信越、AGC、CST、ULCOAT韓國S&STech、SKC等美國Telic等中國大陸聚和材料等日本廠商HOYA是空白掩模版市場的絕對龍頭。根據(jù)HOYA在官網(wǎng)公布的市場份額，最先進(jìn)的EUV空白掩模板僅有兩家供應(yīng)商，其中HOYA在EUV空白掩模版市場占有率占據(jù)主導(dǎo)地位，剩余市場被另外一家供應(yīng)商占據(jù)。DUV空白掩模版市場中，HOYA同樣占據(jù)主要份額。行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告16圖20：2024年全球EUV空白掩模版廠商市場格局圖21：2024年全球DUV空白掩模版廠商市場格局國產(chǎn)空白掩模版供應(yīng)商主要集中于小尺寸、平板顯示等領(lǐng)域。從國內(nèi)主要掩模版供應(yīng)商產(chǎn)品布局來看，大部分公司產(chǎn)品仍然集中于平板顯示、PCB、電子元器件等基礎(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體領(lǐng)域布局通常也以分立器件、成熟制程IC等較為成熟的下游領(lǐng)域?yàn)橹?。目前國?nèi)空白掩模版供應(yīng)商在G6及以下掩膜基板方面已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，但在大尺寸和中高端小尺寸方面仍然依賴日韓進(jìn)口，而在半導(dǎo)體空白掩模版領(lǐng)域的國產(chǎn)化則幾乎處于空白狀態(tài)。表7：國產(chǎn)空白掩模版公司產(chǎn)品布局情況公司石英基板蘇打基板其他基板應(yīng)用領(lǐng)域普照信息√√IC、平面顯示、PCB等傳芯半導(dǎo)體高端半導(dǎo)體掩模版新斯鍇√IC、電子元器件、平板顯示、PCB、光學(xué)元件等韶光芯材√√IC、平板顯示等精石光掩?！獭蘄C、平板顯示、PCB等等中科卓爾√IC、平板顯示等禾臣新材√IC、平板顯示等神光光學(xué)√平板顯示等芯鏈半導(dǎo)體√立恩半導(dǎo)體√資料來源：各公司官網(wǎng)，innoHere，半導(dǎo)體協(xié)會，S龐大晶圓產(chǎn)能支撐空白掩模版國產(chǎn)化空間。根據(jù)材料匯的統(tǒng)計(jì)，截至2025年8月31日，中國大陸共有晶圓產(chǎn)能259萬片/月，其中先進(jìn)制程產(chǎn)能達(dá)到每月16.7萬片，占比7.2%。占比最大的是成熟核心制程（28nm-65nm）及成熟中低制程（90nm-180nm）。此外在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國大陸產(chǎn)能也已經(jīng)達(dá)到57萬片/月。展望未來，晶圓制造本地化的趨勢正在促使海外半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司將產(chǎn)品線放在行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告17中國大陸進(jìn)行代工，中芯國際、華虹、長鑫存儲、長江存儲等FAB龍頭均有長期擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，因此我們認(rèn)為空白掩模版的國內(nèi)市場空間也將逐年走高。表8：中國大陸晶圓廠產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（截至2025年8月31日）制程梯隊(duì)技術(shù)節(jié)點(diǎn)范圍全國總產(chǎn)能核心代表晶圓廠核心應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)能占比先進(jìn)制程14nm及以下中芯國際、中芯京城、長鑫存儲、海辰半導(dǎo)體高端SoC、AI服務(wù)LPDDR5/DDR57.20%成熟核心制程28nm-65nm72.6華虹半導(dǎo)體、臺積電南京、廈門聯(lián)芯、粵芯半導(dǎo)體、時(shí)代芯存車規(guī)MCU、CIS圖像傳感器、物聯(lián)網(wǎng)芯片31.50%成熟中低制程90nm-180nm79.5和艦科技、華潤微、燕東微電子、武漢新芯、萬國半導(dǎo)體、華微電子、福建晉華電源管理IC、顯示驅(qū)動IC、功率MOSFET34.50%Legacy制程250nm及以上8.6上海貝嶺、新芯集成電路、上海先進(jìn)半導(dǎo)體智能卡芯片、工業(yè)控制低端芯片3.70%特色工藝BCD/MEMS/SiC24.8華虹半導(dǎo)體、賽萊克斯、華潤微、中芯國際、賽微電子、積塔半導(dǎo)體汽車功率器件、SiCMOSFET10.70%存儲專項(xiàng)制程N(yùn)AND/DRAM三星西安、SK海力士大連、長江存儲、長鑫存儲、美光西安消費(fèi)級SSD、服務(wù)器內(nèi)存、移動存儲根據(jù)我們的測算，2024年空白掩模版全球市場規(guī)模約為18億美元，中國大陸市場規(guī)模約為4億美元，按照美元兌人民幣匯率1:7折算約為28億元?？紤]到全球三大掩模版龍頭公司中，僅有福尼克斯以掩模版為絕對核心業(yè)務(wù)，因此采用福尼克斯2024年毛利率36%作為行業(yè)整體毛利率。掩模版原材料占成本比例和原材料中空白掩模版占比均參考龍圖光罩招股說明書披露的相關(guān)數(shù)據(jù)。表9：2024年空白掩模板市場規(guī)模測算全球中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模（億美元）701掩模版占比掩模版市場規(guī)模（億美元）84掩模版毛利率36%36%掩模版原材料占成本比例57%57%原材料中空白掩模板占比60%60%空白掩模板市場規(guī)模（億美元）4資料來源：福尼克斯，龍圖光罩招股說明書綜上所述，我們認(rèn)為無論是海外市場還是中國大陸市場，空白掩模版都有著較行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告18大的市場空間，而該市場長期被日系廠商壟斷，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵的“卡脖子”環(huán)節(jié)，國產(chǎn)化突破意義非凡。因此我們認(rèn)為通過兼并收購、自主研發(fā)等方式實(shí)現(xiàn)高 端空白掩模版零的突破，對整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈均具有重大戰(zhàn)略價(jià)值。行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告193投資建議半導(dǎo)體掩模版是核心半導(dǎo)體材料之一。半導(dǎo)體掩模版是光刻工藝的圖形母版，如同傳統(tǒng)攝影中的“底片”，光源透過掩模版上的圖案，將設(shè)計(jì)圖形投影到涂有光刻膠的硅晶圓上，經(jīng)過顯影、蝕刻等工序形成芯片的微觀結(jié)構(gòu)，是芯片制造中圖形轉(zhuǎn)移不可或缺的關(guān)鍵組件。隨著芯片制程節(jié)點(diǎn)不斷向7nm、5nm乃至3nm演進(jìn)，對掩模版的線寬均勻性、套刻精度和缺陷尺寸的要求呈指數(shù)級提升。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體晶圓制造的材料成本構(gòu)成中，掩模版占據(jù)了12%的比例，僅次于硅片和電子氣體，是半導(dǎo)體制造中的重要耗材。空白掩模版國產(chǎn)化具有重大戰(zhàn)略意義。全球高端石英基板市場長期被日本HOYA等企業(yè)壟斷，國內(nèi)掩膜基板技術(shù)代差較大。半導(dǎo)體掩模版國產(chǎn)化有助于突破國外技術(shù)封鎖，解決關(guān)鍵材料的供應(yīng)短板，保障國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)自主性。海外對華半導(dǎo)體出口管制加劇了全球供應(yīng)鏈的不確定性，半導(dǎo)體掩模版國產(chǎn)化能夠降低國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈對國外的依賴，提高產(chǎn)業(yè)鏈的安全性和穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)從芯片設(shè)計(jì)到制造的全鏈條自主可控。建議關(guān)注：聚和材料（擬通過收購SKE布局空白掩模版業(yè)務(wù)）、龍圖光罩、路維光電、清溢光電等。表10：掩模版行業(yè)重點(diǎn)關(guān)注個(gè)股證券代碼證券簡稱688503.SH聚和材料74.10688721.SH688721.SH龍圖光罩54.280資料來源：Wind,民生證券研究院（注：股價(jià)為2025年10月9日收盤價(jià)，表內(nèi)公司數(shù)據(jù)采用聚和材料：擬收購韓國SKEnpulse空白掩模業(yè)務(wù)聚和材料擬通過收購韓國SKEnpulse介入空白掩模版業(yè)務(wù)。2025年9月9日，聚和材料發(fā)布公告，與韓投伙伴（上海）創(chuàng)業(yè)投資管理有限責(zé)任公司共同設(shè)立SPC，使用自有或自籌資金680億韓元（折合約3.5億人民幣，最終交易金額以實(shí)際交割時(shí)匯率為準(zhǔn)）收購SKEnpulse株式會社的關(guān)于空白掩模（BlankMask）的業(yè)務(wù)板塊（包含土地、廠房、存貨、設(shè)備、專利、在建工程、人員、技術(shù)等）。其中，公司直接或間接出資比例不低于95%。SKEnpulse空白掩模版業(yè)務(wù)2024年收入約為430萬元，尚處于虧損狀態(tài)，截至2024年底資產(chǎn)總額約為2.56億元，凈資產(chǎn)約為2.51億元。SKE是韓國半導(dǎo)體材料零部件設(shè)備整體解決方案供應(yīng)商，旗下BlankMask事行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告20業(yè)部主要生產(chǎn)用于DUV-ArF和DUV-KrF光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn)的空白掩模基板（Blankmask產(chǎn)品已通過多家半導(dǎo)體晶圓廠自有產(chǎn)線配套驗(yàn)證及第三方獨(dú)立掩模板客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，業(yè)務(wù)覆蓋韓國、中國大陸及中國臺灣等國家和地區(qū)。此次收購SKE旗下BlankMask事業(yè)部，一方面是公司主動響應(yīng)國家“自主可控”戰(zhàn)略方針，通過境外投資補(bǔ)齊國內(nèi)尚未本土化的關(guān)鍵材料；另一方面，公司有望依托該業(yè)務(wù)稀缺性，拓展半導(dǎo)體客戶資源，與現(xiàn)有業(yè)務(wù)形成協(xié)同發(fā)展。行業(yè)專題研究/電子本公司具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，請務(wù)必閱讀最后一頁免責(zé)聲明證券研究報(bào)告214風(fēng)險(xiǎn)提示1