ICS25.180.10

CCSK61

CES

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CESXXXX—XXXX

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備

Siliconcarbidesinglecrystalgrowthequipmentbyresistance

method

（征求意見稿）

xxxx-xx-xx發(fā)布xxxx-xx-xx實(shí)施

中國電工技術(shù)學(xué)會發(fā)布

T/CESXXXX—XXXX

目??次

前??言...................................................................................................................................................................II

1?范圍........................................................................................................................................................................1

2?規(guī)范性引用文件...................................................................................................................................................1

3?術(shù)語和定義...........................................................................................................................................................1

4?產(chǎn)品分類...............................................................................................................................................................3

5?技術(shù)要求...............................................................................................................................................................4

6?試驗方法...............................................................................................................................................................7

7?檢測規(guī)則...............................................................................................................................................................8

8?標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存...................................................................................................................................9

9?訂購與供貨.........................................................................................................................................................10

Ⅰ

T/CESXXXX—XXXX

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備

1范圍

本文件規(guī)定了電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢

驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于物理氣相傳輸法PVT(physicalvaportransport)生長半導(dǎo)體碳化硅、氮

化鋁等單晶爐。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期

的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括

所有的修改單）適用于本文件。

GB150—2011鋼制壓力容器

GB/T2900.23—2008電工術(shù)語工業(yè)電熱裝置

GB3095—2012環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

GB8702—2014電磁環(huán)境控制限值

GB8978—1996污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)

GB/T10066.1—2019電熱和電磁處理裝置的試驗方法第1部分：通用部分

GB/T10066.4—2004電熱設(shè)備的試驗方法第4部分：間接電阻爐

GB/T10067.1—2019電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第1部分：通用部分

GB/T10067.4—2005電熱裝置基本技術(shù)條件第4部分：間接電阻爐

GB12348—2008工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)

GB16297—1996大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)

JB/T9691—1999電熱設(shè)備產(chǎn)品型號編制方法

3術(shù)語和定義

GB/T2900.23—2008和GB/T10066.4—2004界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備resistanceheatingmethodsiliconcarbidesingle

crystalgrowthequipment

采用電阻加熱方式，基于物理氣相傳輸法PVT生長出半導(dǎo)體碳化硅單晶材料的一種工業(yè)

電熱設(shè)備。

3.2

熔料量charge

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備設(shè)計時規(guī)定的每爐次一次最大的裝料量，不包括晶體生長過

1

—

程中添加的量。

T/CESXXXXXXXX

3.3

物理氣相傳輸法physicalvaportransport

其原理是在超過2100℃高溫下將碳粉和硅粉升華分解成為Si原子、Si2C分子和SiC2

分子等氣相物質(zhì)，在溫度梯度的驅(qū)動下，這些氣相物質(zhì)將被輸運(yùn)到溫度較低的碳化硅籽晶上

形成4H型碳化硅晶體，又稱籽晶升華法。

3.4

工作溫度workingtemperature

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備設(shè)計時規(guī)定的把多晶材料高溫加熱，多晶材料升華產(chǎn)生的氣

體在籽晶上凝結(jié)成單晶體的過程中允許使用的溫度范圍。

3.5

最高加熱溫度maximunheatingtemperature

電阻法碳化硅單晶爐設(shè)計時規(guī)定的在升溫時不損壞所有部件所能達(dá)到的最高溫度。

3.6

工作區(qū)workingregion

能夠滿足爐溫均勻度要求的區(qū)域，通常指正常晶體生長條件下加熱器內(nèi)部的坩堝升華面

附近的區(qū)域。

3.7

工作室尺寸dimensionsofworkingchamber

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備設(shè)計時規(guī)定并在圖樣上標(biāo)明晶體生長室的空間尺寸，用其內(nèi)

徑和高度表示。

3.8

坩堝吊裝工具crucibleliftingdevice

一種用于裝料量不小于2.0kg電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備，對坩堝進(jìn)行吊裝的機(jī)械裝

置。

3.9

坩堝軸crucibleshaft

用于支撐坩堝及坩堝中的原料，實(shí)現(xiàn)晶體生長的運(yùn)動桿件。

3.10

籽晶粘接seedcrystalbonding

通過數(shù)字化籽晶背面粘接劑涂覆設(shè)備，成功實(shí)現(xiàn)籽晶背面膠水的均勻覆蓋，然后與石墨

紙粘接，進(jìn)一步把石墨紙與石墨板粘接，應(yīng)用該技術(shù)能防止籽晶在晶體生長過程中發(fā)生揮發(fā)

和穿孔現(xiàn)象。

3.11

控溫系統(tǒng)temperaturecontrolsystem

2

T/CESXXXX—XXXX

通過輻射溫度計測量粘有籽晶的石墨板的背面，反饋給PLC，PLC運(yùn)行晶體生長速率的

自適應(yīng)算法計算出晶體生長所需要的溫度及室內(nèi)壓力，在通過PID算法分布控制電源輸出功

率和真空壓力比例閥開口的大小,以實(shí)現(xiàn)晶體生長所需要的環(huán)境。或者通過控制功率，使溫

度跟隨功率設(shè)定值的變化而變化，達(dá)到晶體生長的溫度需求。

4產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與分類

4.1結(jié)構(gòu)

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備主要由熱場系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、腔體組件、真空控制系統(tǒng)

等組成，結(jié)構(gòu)示意圖見圖1。

圖1電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖

4.2分類

4.2.1電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備產(chǎn)品的型號應(yīng)按JB/T9691—1999編制。

4.2.2電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備按其工作室內(nèi)徑尺寸或生長晶體的規(guī)格進(jìn)行分類。

4.2.3電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備按工作室內(nèi)徑尺寸（單位為cm）分為多個品種（通常以

此分類方法為主）。

4.2.4電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備按生長晶體的規(guī)格（單位為英寸）分多個品種：

a)2＂電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備；

3

—

b)4＂電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備；

T/CESXXXXXXXX

c）6＂電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備；

d）8＂電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備。

4.2.5在電阻法碳化硅單晶爐的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)按GB/T10067.1—2019第4章的規(guī)定進(jìn)一步

按產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)類型、氣氛、最高工作溫度等進(jìn)行分類。

5技術(shù)要求

5.1一般要求

電阻法碳化硅單晶爐的技術(shù)要求應(yīng)符合GB/T10067.4—2005中第5章的規(guī)定。

5.2對設(shè)計和制造的要求

5.2.1總體要求

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備主要由主機(jī)（包括爐體、坩堝升降及旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)）以及真空系

統(tǒng)、充氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、加熱電源、熱場組件等組成。

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的爐體通常由小爐蓋、大爐蓋、上腔體、下腔體及下爐蓋組

成。爐體通常為內(nèi)熱式水冷爐壁結(jié)構(gòu)。

在電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備加熱前，真空系統(tǒng)應(yīng)能把爐室抽到預(yù)定的真空度。在加熱

階段，輸入功率應(yīng)冷調(diào)節(jié)，在冷卻階段，以生長的單晶體應(yīng)能在不同真空度下和中性氣體（包

括惰性氣體，下同）中冷卻。

5.2.2材料

所有處于真空室內(nèi)的材料應(yīng)適應(yīng)設(shè)計規(guī)定的氣氛、真空度、溫度，并在該環(huán)境下保持穩(wěn)

定的成分和性能。

5.2.3工作電壓

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的工作電壓在企業(yè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。在工作電壓范圍內(nèi)和正

常工作條件下，爐內(nèi)應(yīng)不產(chǎn)生火花放電。

5.2.4爐殼

爐殼應(yīng)采用水冷結(jié)構(gòu)。筒體的設(shè)計和制造應(yīng)符合GB150—2011的規(guī)定。

爐殼內(nèi)表面應(yīng)光潔平滑。內(nèi)外壁可用不銹鋼材料制成。

5.2.5爐室

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的加熱系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)長晶工藝要求也可由用戶自行設(shè)計制造。

爐室的設(shè)計應(yīng)把熱膨脹冷縮引起的變形，以及通過絕熱層的熱損失限制的最小程度。

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備加熱元件的引出部分應(yīng)確保真空密封和正常工作并用水冷

卻。

在爐室殼體上應(yīng)配備測量工作區(qū)關(guān)鍵部位溫度的傳感器。

5.2.6水冷系統(tǒng)

水冷系統(tǒng)應(yīng)能使?fàn)t殼的筒體、蓋板的表面溫升不超過5.3.6的規(guī)定；采用全水冷的電源

4

T/CESXXXX—XXXX

裝置（一般應(yīng)采用可循環(huán)冷卻水），在水壓不足或壓力過高時應(yīng)有指示或報警信號，關(guān)鍵水

冷部位還應(yīng)具備超溫報警信號。各路冷卻水路應(yīng)裝設(shè)開關(guān)，以便調(diào)節(jié)流量或維修。

水冷系統(tǒng)水質(zhì)的要求：

a)堿性pH值6～8；

b)氯離子濃度≤10mg/L；

c）碳酸鈣濃度≤50mg/L（不加入化學(xué)試劑）；

d）懸浮物≤10mg/L；

e）溶解氧量≤10mg/L。

5.2.7真空系統(tǒng)

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的真空系統(tǒng)有旋片泵、分子泵、插板閥、截止閥、調(diào)節(jié)閥、

控制系統(tǒng)、真空計等組成。系統(tǒng)中應(yīng)裝有自動調(diào)節(jié)閥門，以便在發(fā)生停電事故時自動關(guān)閉，

防止空氣進(jìn)入爐內(nèi)。

5.2.8充氣系統(tǒng)

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的充氣系統(tǒng)通常是由氣體流量控制單元來實(shí)現(xiàn)，并應(yīng)具備安

全防爆裝置，在單晶爐產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中可具體規(guī)定不同的充氣壓力數(shù)值。

5.2.9測量、控制和記錄

5.2.9.1一般要求

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的測量、控制和記錄應(yīng)按控制裝置、爐溫控制系統(tǒng)、真空儀

表、自動化水平、報警和保護(hù)裝置、環(huán)境保護(hù)、污水排放、噪音等分類進(jìn)行，并符合5.2.9.2～

5.2.9.9中的規(guī)定。

5.2.9.2控制裝置

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備應(yīng)配備專門的控制柜，用來安裝儀器、儀表和控制元件等。

控制系統(tǒng)應(yīng)配備速度控制單元、溫度控制單元及功率部件、坩堝升降旋轉(zhuǎn)控制器（選配）、

冷卻水溫度顯示、報警、運(yùn)行狀態(tài)報警裝置和繼電控制單元等。

5.2.9.3爐溫控制系統(tǒng)

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的爐溫控制系統(tǒng)具有自適應(yīng)和自調(diào)節(jié)控制功能，或者通過功

率控制來達(dá)到控制爐溫的目的。對溫度控制器如有不同要求可按9.1提出。

5.2.9.4真空儀表

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備應(yīng)配備薄膜規(guī)---熱偶規(guī)復(fù)合真空測量儀，壓力計或皮拉尼

規(guī)等，用來測量10-4Pa～101kPa之間的真空度。

5.2.9.5自動化水平

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備應(yīng)采用計算機(jī)控制。產(chǎn)品的主要技術(shù)功能（速度控制、溫度

控制或功率控制、壓力控制等）應(yīng)完善可靠；輔助技術(shù)功能（晶體生長、紅外測溫、過程監(jiān)

控診斷等）應(yīng)配置齊全。整個晶體生長工藝過程可為用戶提供使用方便，人機(jī)交互界面友好，

軟件功能強(qiáng)大，實(shí)現(xiàn)晶體生長工藝過程自動化控制或?qū)崿F(xiàn)網(wǎng)絡(luò)群控的軟件。

5

—

5.2.9.6報警和保護(hù)裝置

T/CESXXXXXXXX

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的坩堝軸應(yīng)具有超程報警和保護(hù)裝置。

5.2.9.7環(huán)境保護(hù)

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備及零部件生產(chǎn)過程中的環(huán)境控制污染應(yīng)符合GB3095—2012

和GB16297—1996的規(guī)定。

5.2.9.8污水排放

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備及零部件生產(chǎn)過程中的污水排放應(yīng)符合GB8978—1996的規(guī)

定。

5.2.9.9噪音

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備生產(chǎn)、配套零部件和使用過程噪音應(yīng)符合GB12348—2008

的規(guī)定。

5.3性能要求

5.3.1一般要求

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的性能應(yīng)符合以下要求。

5.3.2工作溫度

在工作溫度范圍內(nèi)，電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備應(yīng)能夠滿足5.3.7和5.3.8爐溫均勻度

和爐溫溫度要求。

5.3.3工作真空度

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的工作真空度應(yīng)按具體生長單晶的工藝條件而定，并在企業(yè)

產(chǎn)品中規(guī)定。

5.3.4空爐抽氣時間

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備能在60min內(nèi)抽氣到所要求的工作真空度。

5.3.5壓升率

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的壓升率應(yīng)不超過2.5Pa/h。

5.3.6表面溫升

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備爐體的表面升溫應(yīng)不超過35℃。

5.3.7爐溫均勻度

爐溫均勻度應(yīng)不超過±2℃

5.3.8爐溫溫度

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的爐溫溫度應(yīng)控制在合理的范圍之內(nèi)。

5.3.9加熱能力和熱爐抽氣能力

6

T/CESXXXX—XXXX

在爐溫和多晶料都等于環(huán)境溫度下，把多晶料盛入坩堝，并裝入設(shè)備爐體內(nèi)部，啟動抽

氣系統(tǒng)。當(dāng)爐內(nèi)達(dá)到預(yù)定真空度時開始加熱。電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備，爐溫應(yīng)能在加熱

開始后工藝要求的時間內(nèi)上升到最高工作溫度。

5.3.10運(yùn)動參數(shù)相對偏差和速度百分偏差

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備在其速度控制系統(tǒng)的調(diào)速范圍內(nèi)，各項運(yùn)動參數(shù)的實(shí)際測量

值與指示計的指示值（或顯示值）的相對偏差應(yīng)不大于5%；各項運(yùn)動參數(shù)的速度百分偏差

應(yīng)不大于2%；各運(yùn)動機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)應(yīng)工作靈活，在正常長晶工藝條件下應(yīng)無明振動。

5.3.11同軸度及徑向圓跳動

電阻法碳化硅單晶爐的坩堝軸與下爐蓋的同軸度及徑向圓跳動應(yīng)在0.1mm內(nèi)。

5.3.12爬行量

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的坩堝軸以低速（速度范圍下限）上升時的爬行量應(yīng)在晶體

爐的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中具體規(guī)定。

5.3.13其他

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備其他方面的性能應(yīng)分別符合本部分5.2以及在企業(yè)產(chǎn)品標(biāo)

準(zhǔn)和供貨合同中的相關(guān)規(guī)定。

5.4成套要求

在企業(yè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)列出供方規(guī)定的電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備成套供應(yīng)范圍，一般包

括下列各項：

a)電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備主體；

b)真空系統(tǒng)；

c）氣體系統(tǒng)；

d）水路冷卻系統(tǒng)；

e）熱場組件；

f）PLC控制系統(tǒng)。

在企業(yè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中可對上述項目作必要的補(bǔ)充，并應(yīng)列出各個項目的具體內(nèi)容，包括型

號、規(guī)格和數(shù)量。

需方如對供方規(guī)定供應(yīng)的項目有不同要求，可按9.1提出。

6試驗方法

6.1一般要求

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的試驗按GB/T10066.1—2019和GB/T10066.4—2004進(jìn)行。

6.2壓升率的測量

真空抽到1*10-1Pa后，進(jìn)行關(guān)閉所有的閥門，保壓2h后，腔體內(nèi)壓力變化為≤5Pa。

6.3最大加熱功率的檢查

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備使用的石墨加熱器應(yīng)與加熱電源匹配，即電阻法碳化硅晶體

7

—

生長設(shè)備所配置的加熱電源，最大輸出電壓與最大輸出電流之比，為電源輸出內(nèi)阻，其數(shù)值

T/CESXXXXXXXX

應(yīng)與石墨加熱器的電阻接近，保證加熱電源的最大功率輸出。

6.4加熱能力和熱爐抽氣能力試驗

本試驗的目的在于測定電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的加熱能力和熱爐抽氣能力，并檢驗

電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的熱爐運(yùn)行情況。

先進(jìn)行加熱能力試驗，把爐溫設(shè)定在最高工作溫度上，當(dāng)爐室真空度達(dá)到5Pa時開始

充保護(hù)氣體至工藝要求的壓力，然后開始加熱，并根據(jù)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的升溫程序，把爐溫

升到設(shè)定值，爐室應(yīng)在工藝要求的時間內(nèi)達(dá)到規(guī)定的真空度。

6.5運(yùn)動參數(shù)相對偏差的測量

在規(guī)定的速度范圍內(nèi)，坩堝軸處于某一（任意選定）位置，取某一（任意設(shè)定）速度（指

示計指示值或顯示值），用秒表和百分表（或千分表）測量該速度下軸上升速度；用秒表測

量軸旋轉(zhuǎn)速度。測量時間以1min計，測量5次，相對偏差按式（1）計算：

相對偏差值=[指示值（顯示值）-實(shí)際測量值]/指示值（顯示值）

*100%.......................................................................(1)

6.6速度百分偏差的測量

在規(guī)定的速度范圍內(nèi)，坩堝軸處于某一（任意選定）位置，用秒表和百分表（千分表）

每間隔5min測量某一（任意設(shè)定）速度下軸上升速度；或用秒表測量某一（任意設(shè)定）轉(zhuǎn)

速下軸旋轉(zhuǎn)速度。每次測量時間以1min計，測量5次，速度百分偏差按式（2）計算：

速度百分偏差=（實(shí)際速度最大值-實(shí)際速度最小值）/實(shí)際速度平均值

*100%......................................................................(2)

6.7爬行量的測量

在坩堝軸以低速（速度范圍下限）上升時，用千分表檢查由運(yùn)動停頓到重新啟動的最大

磞跳間隔數(shù)值或用光柵爬行儀測量。

6.8晶體生長試驗

以晶體生長為例，生長晶體的試驗由制造廠與用戶商定。

將經(jīng)過處理好的多晶碳化硅料盛入坩堝中，把籽晶（籽晶尺寸大小及取向選擇應(yīng)在電阻

法碳化硅企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中具體規(guī)定）與石墨紙粘接，然后石墨紙粘接在石墨板上。生長出優(yōu)質(zhì)的

晶體，合格產(chǎn)品的特征：有效直徑不低于相應(yīng)規(guī)格尺寸，有效厚度≥15mm，有效面積內(nèi)無

多晶多型，微管密度≤0.5個/cm2。

6.9環(huán)境排放污染測量

對于環(huán)境中的油、氣、水的排放，運(yùn)行噪音和電磁輻射等按國家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

7檢測規(guī)則

7.1電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的出廠檢驗項目包括：

a）觸電防護(hù)措施的試驗；

b）絕緣電阻的測量；

8

T/CESXXXX—XXXX

c）控制電路試驗；

d）運(yùn)動機(jī)構(gòu)運(yùn)行或動作情況的檢驗；

e）運(yùn)動參數(shù)及相對偏差的測量（包括速度百分偏差的測量和爬行量的測量）；

f）水路系統(tǒng)的試驗；

g）氣路系統(tǒng)的試驗；

h）聯(lián)鎖報警系統(tǒng)的試驗；

i）極限真空的測量；

j）空爐抽真空時間的測量；

k）壓升率的測量；

l）配套件的檢查，包括型號、規(guī)格和出廠合格證的檢查；

m）供貨范圍，包括出廠技術(shù)文件完整性的檢查；

n）包裝檢查。

7.2型式檢驗項目包括：

a）全部出廠檢驗項目（在型式檢驗條件下）；

b）空爐升溫時間的測量；

c）額定功率的測量；

d）最高工作溫度的測量；

e）加熱試驗（加熱能力與熱爐抽氣能力的檢查）；

f）工作真空度的測量；

g）長晶試驗；

h）氣體耗量的測量；

i）水流量的測量；

j）運(yùn)動機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)情況或動作情況的熱態(tài)試驗；

k）熱態(tài)試驗后的檢查。

8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

8.1電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備的銘牌上應(yīng)標(biāo)出下列各項：

a）產(chǎn)品的型號和名稱；

b）電源電壓，V；

c）電源頻率，Hz；

d）相數(shù)；

e）額定功率，kW；

f）工作電壓，V；

g）熔料量，kg；

h）主工作室尺寸，mm；

i）主機(jī)的重量，t；

j）產(chǎn)品編號；

k）產(chǎn)品制造日期；

l）出口產(chǎn)品中英文對照；

m）制造廠名稱。

9

—

9訂購與供貨

T/CESXXXXXXXX

9.1需方有下列特殊要求時，可向供方提出：

a）對單位制、電源電壓、電源頻率等的不同要求；

b）對使用環(huán)境的不同要求；

c）要求在水冷系統(tǒng)中提供循環(huán)冷卻系統(tǒng)或其中部分裝置，如機(jī)械制冷裝置，水冷卻塔

裝置或水凈化裝置等，應(yīng)提出具體技術(shù)要求；

d）對安全和環(huán)境保護(hù)的附加要求；

e）對涂漆的不同要求；

f）對包裝的特殊要求；

g）對電源的不同要求；

h）對溫度控制器的不同要求；

i）對供方規(guī)定項目的不同要求；

j）對銘牌的不同要求。

9.2供方應(yīng)盡可能滿足需方的各項特殊要求，但實(shí)際可供需方選擇的特殊要求項目由供方

參照本部分各自的條件決定，其中一部分可列在企業(yè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中，其他部分在訂購時由供需

雙方商定。

10

《電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備》編制說明

（征求意見稿）

一、工作簡況

1任務(wù)來源

本項目來源于中國電工技術(shù)學(xué)會2024年第二批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃，項目編

號：CESBZ2024039，項目名稱：《電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備》。本標(biāo)準(zhǔn)為制定項

目，屬產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)，由蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司負(fù)責(zé)起草，計劃應(yīng)完成時

間2025年。

2主要工作過程

起草（草案、調(diào)研）階段：2023年6月成立標(biāo)準(zhǔn)起草工作組，分不同地域?qū)?/p>

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備進(jìn)行調(diào)研，收集設(shè)備穩(wěn)定生長碳化硅單晶時主要部件的

相關(guān)參數(shù)。2024年7月，由標(biāo)準(zhǔn)起草工作組負(fù)責(zé)起草標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿、編制說明。

2024年8月，由標(biāo)準(zhǔn)起草負(fù)責(zé)單位蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司召集行業(yè)內(nèi)

的專家和相關(guān)企業(yè)，共同討論并制定標(biāo)準(zhǔn)的初步內(nèi)容。根據(jù)中國電工技術(shù)學(xué)會專家

意見對標(biāo)準(zhǔn)所涉及的術(shù)語、技術(shù)要求、試驗方法和檢測規(guī)則等多個方面的內(nèi)容，進(jìn)

行了多次討論，并進(jìn)行了詳細(xì)的修改，對標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行進(jìn)一步完善形成征求意見稿、

編制說明。

征求意見階段：2024年10月，中國電工技術(shù)學(xué)會標(biāo)準(zhǔn)工作委員會電熱工作組

將標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿及編制說明發(fā)往60個相關(guān)單位征求意見。

審查階段：

報批階段：

3主要參加單位和工作組成員及其所做的工作

本文件由蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司負(fù)責(zé)具體的制定工作。

項目參加單位：西安電爐研究所有限公司、江蘇科技大學(xué)。

主要成員：蔡金榮、余維江、李琨、陳建明、張禮華、陳曙光、王葉松、裴永

勝、趙文超、袁長路、劉海娥。

主要起草人所做的工作：蔡金榮任起草工作組組長，全面協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)起草工作，

同時也是本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人。余維江、李琨、陳建明負(fù)責(zé)收集相關(guān)參數(shù)驗證數(shù)據(jù)，

對電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備相關(guān)指標(biāo)進(jìn)行調(diào)研、分析比對。張禮華、陳曙光、王

葉松、裴永勝負(fù)責(zé)對各方面的意見和建議進(jìn)行歸納整理和修訂，趙文超、袁長路、

劉海娥負(fù)責(zé)其他材料的編制。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容

1標(biāo)準(zhǔn)編制原則

本文件在制定過程中遵循“面向市場、服務(wù)產(chǎn)業(yè)、自主制定、適時推出、及時

修訂、不斷完善”的原則，標(biāo)準(zhǔn)制定與技術(shù)創(chuàng)新、試驗驗證、產(chǎn)業(yè)推進(jìn)、應(yīng)用推廣

相結(jié)合，統(tǒng)籌推進(jìn)。

本文件在結(jié)構(gòu)編寫和內(nèi)容編排等方面依據(jù)GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則

第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》進(jìn)行編寫。在確定本文件主要技術(shù)性能

指標(biāo)時，綜合考慮生產(chǎn)企業(yè)的能力和用戶的利益，尋求最大的經(jīng)濟(jì)、社會效益，充

分體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)在技術(shù)上的先進(jìn)性和合理性。

2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容

本文件規(guī)定了電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗

方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。本文件適用于物理氣相傳輸法

PVT(physicalvaportransport)生長半導(dǎo)體碳化硅、氮化鋁等單晶爐。

本文件主要性能指標(biāo)包括工作溫度、工作真空度、空爐抽氣時間、壓升率等。

對例行試驗方法以及產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證和合格評定進(jìn)行規(guī)定，并給出了各項性能指標(biāo)的

檢驗方法。

3解決的主要問題

本文件為首次制定，充分納入和反映了當(dāng)今新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的先進(jìn)技

術(shù)成果，保證了標(biāo)準(zhǔn)的時效性，為我國電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)提供了

統(tǒng)一的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，改變了國內(nèi)無標(biāo)可用的現(xiàn)狀，同時填補(bǔ)了電阻法碳化硅單晶生長

設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的空白，進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化升級，推動我國電阻法碳化硅單晶生

長設(shè)備技術(shù)快速發(fā)展。本文件的發(fā)布，對提升標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)性、合理性和適用性，提

高其節(jié)能水平起到了關(guān)鍵性的引導(dǎo)作用。

三、主要試驗（或驗證）情況

本文件經(jīng)驗證并結(jié)合當(dāng)前行業(yè)現(xiàn)狀制定，以企業(yè)超5年以上的實(shí)際生產(chǎn)實(shí)踐和

檢驗數(shù)據(jù)為參考依據(jù)，并根據(jù)目前國內(nèi)電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備制造企業(yè)的實(shí)際

技術(shù)水平，同時考慮用戶對電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的要求和對標(biāo)國際先進(jìn)水平，

提出了各項技術(shù)指標(biāo)。經(jīng)過廣泛征求意見，證明本文件規(guī)定的技術(shù)要求和試驗方法

先進(jìn)合理、切實(shí)可行。

四、標(biāo)準(zhǔn)中涉及專利的情況

本文件不涉及專利問題。

五、預(yù)期達(dá)到的社會效益、對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的作用等情況

第三代半導(dǎo)體材料SiC具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗

輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互

聯(lián)網(wǎng)、國防軍工等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵，在國家安全和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)

型升級（低碳、智能）方面均起到核心支撐作用。因此，第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)

體技術(shù)研究前沿和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。

我國已將碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用納入了重點(diǎn)發(fā)展方向，科

技部、工信部、國家發(fā)改委等多部委出臺了多項政策予以支持，也是“863”項目、

重大專項重點(diǎn)支持項目。我國多地紛紛投入巨資發(fā)展“三代半”產(chǎn)業(yè)，目前已形成

一定規(guī)模的生產(chǎn)能力，預(yù)計在今后10年，碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)將以超過30%的增

速發(fā)展。碳化硅單晶生長裝置經(jīng)過20多年的不斷研究實(shí)驗已經(jīng)得到了長足的發(fā)展，

國際國內(nèi)已有3000多臺套在運(yùn)轉(zhuǎn)使用；受碳化硅材料在國防、航空、航天、石油

勘探、光存儲、寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用

的快速發(fā)展，碳化硅單晶生長裝置的需求量快速擴(kuò)大，預(yù)計近10年將以每年30%

以上的增速發(fā)展，裝置保有量將超過30000臺套。

本文件的制定，將為我國“電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備”的發(fā)展提供一個重要

的基礎(chǔ)技術(shù)平臺，引導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研究，對提高產(chǎn)品質(zhì)量、提高用戶滿意度和樹

立企業(yè)品牌形象都具有重要意義。通過本標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施，能夠促進(jìn)“電阻法碳化硅單

晶生長設(shè)備”的推廣應(yīng)用，使用戶放心使用國產(chǎn)電