半導(dǎo)體生產(chǎn)廠常用名詞縮寫(xiě)手冊(cè)前言半導(dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，其生產(chǎn)流程涉及光刻、蝕刻、沉積、摻雜、封裝、測(cè)試等數(shù)十個(gè)環(huán)節(jié)，每個(gè)環(huán)節(jié)都有大量專業(yè)名詞及縮寫(xiě)。這些縮寫(xiě)是行業(yè)內(nèi)溝通的“語(yǔ)言”，但對(duì)新人而言，往往因“縮寫(xiě)壁壘”導(dǎo)致理解困難。本手冊(cè)旨在梳理半導(dǎo)體生產(chǎn)廠中高頻、核心的名詞縮寫(xiě)，涵蓋基礎(chǔ)概念、工藝環(huán)節(jié)、設(shè)備材料、質(zhì)量控制、封裝測(cè)試等六大類，每一條目均包含縮寫(xiě)、全稱、中文譯名、定義/說(shuō)明，力求專業(yè)嚴(yán)謹(jǐn)且實(shí)用。手冊(cè)可作為半導(dǎo)體從業(yè)者的“速查工具”，幫助快速理解技術(shù)文檔、會(huì)議討論及操作規(guī)范中的術(shù)語(yǔ)，提升工作效率。一、基礎(chǔ)概念類1.1晶圓相關(guān)縮寫(xiě)：Wafer（常用縮寫(xiě)：WFR）全稱：SemiconductorWafer中文譯名：半導(dǎo)體晶圓定義/說(shuō)明：以半導(dǎo)體材料（如硅Si、砷化鎵GaAs、碳化硅SiC等）為原料，通過(guò)拉晶、切片、拋光等工藝制成的圓形薄片。晶圓是集成電路（IC）、分立器件（如二極管、三極管）的基礎(chǔ)襯底，其直徑（如8英寸、12英寸）是工藝節(jié)點(diǎn)的重要標(biāo)志（如12英寸晶圓常用于7nm及以下工藝）?？s寫(xiě)：Die全稱：ChipDie中文譯名：芯片裸片定義/說(shuō)明：晶圓上切割下來(lái)的單個(gè)功能芯片，是集成電路的核心部分。每個(gè)晶圓可切割成數(shù)百至數(shù)千個(gè)Die（取決于晶圓直徑和芯片尺寸）?？s寫(xiě)：Substrate全稱：SemiconductorSubstrate中文譯名：半導(dǎo)體襯底定義/說(shuō)明：晶圓的“基底”材料，提供機(jī)械支撐和電氣特性。常見(jiàn)襯底包括硅（Si）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，其中硅襯底占全球晶圓市場(chǎng)的90%以上。1.2工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)縮寫(xiě)：Node全稱：TechnologyNode中文譯名：工藝節(jié)點(diǎn)定義/說(shuō)明：半導(dǎo)體工藝的代際標(biāo)志，通常以晶體管柵極長(zhǎng)度（如7nm、5nm）或半節(jié)距（Half-Pitch）表示。工藝節(jié)點(diǎn)越小，芯片集成度越高、性能越強(qiáng)（如7nm工藝的晶體管密度約為1.6億個(gè)/平方毫米）。縮寫(xiě)：VLSI全稱：VeryLargeScaleIntegration中文譯名：超大規(guī)模集成電路定義/說(shuō)明：指集成度超過(guò)10萬(wàn)個(gè)晶體管的集成電路（如CPU、GPU），是現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心產(chǎn)品類型。二、工藝環(huán)節(jié)類2.1光刻（Lithography）縮寫(xiě)：Litho全稱：Lithography中文譯名：光刻定義/說(shuō)明：半導(dǎo)體制造的“核心工藝”，通過(guò)光源、掩模、光刻膠將電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面的過(guò)程。光刻的分辨率（如7nm、5nm）決定了芯片的集成度，是工藝節(jié)點(diǎn)升級(jí)的關(guān)鍵瓶頸?？s寫(xiě)：EUV全稱：ExtremeUltraviolet中文譯名：極紫外線定義/說(shuō)明：波長(zhǎng)約13.5nm的紫外線，是高端光刻的核心光源。EUV光刻機(jī)（如ASML的NXE系列）通過(guò)極紫外線照射光刻膠，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案轉(zhuǎn)移，用于制造7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片（如CPU、GPU、高端手機(jī)SoC）?？s寫(xiě)：PR全稱：Photoresist中文譯名：光刻膠定義/說(shuō)明：一種對(duì)光敏感的聚合物材料，涂覆在晶圓表面后，經(jīng)曝光、顯影形成“圖案模板”，用于后續(xù)蝕刻或沉積工藝。光刻膠分為正膠（曝光后易溶于顯影液）和負(fù)膠（曝光后難溶于顯影液）。2.2蝕刻（Etching）縮寫(xiě)：DryEtch全稱：DryEtching中文譯名：干法蝕刻定義/說(shuō)明：采用氣體等離子體（如氟基CF?、氯基Cl?）對(duì)晶圓表面進(jìn)行蝕刻的工藝。具有高方向性、高分辨率、對(duì)材料選擇性好等特點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路（VLSI）制造中主要的蝕刻方法（如柵極、通孔蝕刻）?？s寫(xiě)：WetEtch全稱：WetEtching中文譯名：濕法蝕刻定義/說(shuō)明：采用化學(xué)溶液（如氫氟酸HF、硫酸H?SO?）對(duì)晶圓表面進(jìn)行蝕刻的工藝。具有成本低、效率高的優(yōu)點(diǎn)，但方向性差（易導(dǎo)致“側(cè)蝕”），常用于早期工藝或非關(guān)鍵層的蝕刻（如晶圓邊緣修整）。2.3沉積（Deposition）縮寫(xiě)：CVD全稱：ChemicalVaporDeposition中文譯名：化學(xué)氣相沉積定義/說(shuō)明：通過(guò)氣態(tài)反應(yīng)物在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積形成薄膜的工藝。常見(jiàn)的CVD技術(shù)包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）（用于沉積多晶硅、氮化硅）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）（用于沉積氧化硅、氮化硅）?？s寫(xiě)：PVD全稱：PhysicalVaporDeposition中文譯名：物理氣相沉積定義/說(shuō)明：通過(guò)物理過(guò)程（如蒸發(fā)、濺射）將材料（如鋁、銅）沉積到晶圓表面的工藝。PVD具有薄膜純度高、附著力強(qiáng)的特點(diǎn)，常用于金屬化工藝（如鋁導(dǎo)線沉積）。2.4摻雜（Doping）縮寫(xiě)：Implant全稱：IonImplantation中文譯名：離子注入定義/說(shuō)明：將摻雜離子（如硼B(yǎng)、磷P、砷As）加速到高能狀態(tài)，注入晶圓表面，通過(guò)后續(xù)退火（Annealing）工藝激活摻雜離子，形成特定導(dǎo)電類型（N型或P型）區(qū)域的工藝。離子注入具有摻雜濃度和深度可控、方向性好等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的主要摻雜方法?？s寫(xiě)：Diffusion全稱：ThermalDiffusion中文譯名：熱擴(kuò)散定義/說(shuō)明：通過(guò)高溫（如____℃）讓摻雜原子（如硼、磷）從晶圓表面擴(kuò)散到內(nèi)部，形成導(dǎo)電區(qū)域的工藝。熱擴(kuò)散是傳統(tǒng)摻雜方法，但因摻雜深度難以精確控制，目前主要用于非關(guān)鍵層（如阱區(qū)形成）。2.5平坦化（Planarization）縮寫(xiě)：CMP全稱：ChemicalMechanicalPlanarization中文譯名：化學(xué)機(jī)械拋光定義/說(shuō)明：結(jié)合化學(xué)腐蝕（如氧化硅與漿料中的OH?反應(yīng)）和機(jī)械研磨（如拋光墊摩擦），將晶圓表面凹凸不平的薄膜（如氧化物、金屬）拋光至平坦的工藝。CMP是多層金屬化工藝的關(guān)鍵步驟，確保后續(xù)光刻的分辨率。二、設(shè)備材料類2.1關(guān)鍵設(shè)備縮寫(xiě)：Stepper全稱：Step-and-RepeatLithographySystem中文譯名：步進(jìn)式光刻機(jī)定義/說(shuō)明：光刻工藝的核心設(shè)備，通過(guò)“步進(jìn)-曝光”循環(huán)將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。Stepper的對(duì)準(zhǔn)精度（如<1nm）和曝光分辨率（如7nm）決定了芯片的工藝節(jié)點(diǎn)?？s寫(xiě)：Etcher全稱：PlasmaEtchingSystem中文譯名：等離子體蝕刻機(jī)定義/說(shuō)明：用于干法蝕刻的設(shè)備，通過(guò)射頻電源激發(fā)氣體形成等離子體，利用等離子體中的離子轟擊和自由基反應(yīng)蝕刻晶圓表面。Etcher的選擇性（如對(duì)光刻膠與硅的蝕刻速率比）和均勻性是關(guān)鍵指標(biāo)?？s寫(xiě)：CVDTool全稱：ChemicalVaporDepositionTool中文譯名：化學(xué)氣相沉積設(shè)備定義/說(shuō)明：用于CVD工藝的設(shè)備，主要由反應(yīng)腔、氣體輸送系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)組成。不同類型的CVDTool（如LPCVD、PECVD）適用于沉積不同材料（如氧化硅、氮化硅）。2.2核心材料縮寫(xiě)：Si全稱：Silicon中文譯名：硅定義/說(shuō)明：半導(dǎo)體行業(yè)最常用的襯底材料，占全球晶圓市場(chǎng)的90%以上。硅的優(yōu)點(diǎn)是儲(chǔ)量豐富、工藝成熟、電性能穩(wěn)定，適用于制造邏輯芯片（如CPU）、存儲(chǔ)芯片（如DRAM）等。縮寫(xiě)：GaAs全稱：GalliumArsenide中文譯名：砷化鎵定義/說(shuō)明：一種化合物半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高頻率特性，適用于制造射頻芯片（如5G基站功放）、光電子芯片（如激光器）?？s寫(xiě)：SolderBall全稱：SolderBall中文譯名：錫球定義/說(shuō)明：封裝工藝中用于連接芯片與基板的金屬球（主要成分為錫鉛或無(wú)鉛錫），常見(jiàn)于BGA、CSP等封裝形式。三、質(zhì)量控制類3.1檢測(cè)與可靠性縮寫(xiě)：QA全稱：QualityAssurance中文譯名：質(zhì)量保證定義/說(shuō)明：通過(guò)流程規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)制定、audits等方式，確保產(chǎn)品符合質(zhì)量要求的體系。QA關(guān)注“預(yù)防”，而非“事后檢驗(yàn)”，是半導(dǎo)體生產(chǎn)的“質(zhì)量防火墻”?？s寫(xiě)：QC全稱：QualityControl中文譯名：質(zhì)量控制定義/說(shuō)明：通過(guò)檢驗(yàn)、測(cè)試、統(tǒng)計(jì)分析等方式，識(shí)別生產(chǎn)過(guò)程中的缺陷（如晶圓劃痕、光刻膠殘留），并采取糾正措施的活動(dòng)。QC關(guān)注“事后檢驗(yàn)”，確保不合格品不流入下一道工序?？s寫(xiě)：FA全稱：FailureAnalysis中文譯名：失效分析定義/說(shuō)明：對(duì)不合格芯片（或晶圓）進(jìn)行物理、電氣分析，確定失效原因（如光刻缺陷、金屬互連斷裂）的過(guò)程。FA是提升良率的關(guān)鍵手段，常用工具包括掃描電子顯微鏡（SEM）、聚焦離子束（FIB）。3.2良率相關(guān)縮寫(xiě)：Yield全稱：ProductionYield中文譯名：生產(chǎn)良率定義/說(shuō)明：合格芯片（或晶圓）數(shù)量占總生產(chǎn)數(shù)量的比例，是衡量生產(chǎn)效率和工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵指標(biāo)。良率分為：晶圓級(jí)良率（WaferYield）：合格晶圓數(shù)量占總晶圓數(shù)量的比例；芯片級(jí)良率（DieYield）：合格Die數(shù)量占晶圓總Die數(shù)量的比例。高良率（如>90%）是降低芯片成本的核心要素?？s寫(xiě)：DPU全稱：DefectsPerUnit中文譯名：?jiǎn)挝蝗毕輸?shù)定義/說(shuō)明：每片晶圓（或每個(gè)Die）上的缺陷數(shù)量，是良率的“反向指標(biāo)”。DPU越低，良率越高（如DPU=0.1時(shí)，良率約為90%）。四、封裝測(cè)試類4.1封裝類型縮寫(xiě)：DIP全稱：DualIn-LinePackage中文譯名：雙列直插封裝定義/說(shuō)明：早期的封裝形式，芯片引腳排列在封裝兩側(cè)，通過(guò)插入式安裝到電路板上。DIP的優(yōu)點(diǎn)是成本低、易焊接，但引腳密度低（如最多40引腳），目前主要用于低端器件（如電阻、電容）。縮寫(xiě)：SOP全稱：SmallOutlinePackage中文譯名：小外形封裝定義/說(shuō)明：DIP的改進(jìn)型，引腳從封裝兩側(cè)伸出并向下彎曲，采用表面貼裝（SMT）方式安裝。SOP的引腳密度高于DIP（如最多64引腳），適用于中低端芯片（如51單片機(jī)）?？s寫(xiě)：BGA全稱：BallGridArray中文譯名：球柵陣列封裝定義/說(shuō)明：高密度封裝形式，芯片通過(guò)底部的錫球（直徑約0.3-0.8mm）與基板連接。BGA的優(yōu)點(diǎn)是引腳密度高（如超過(guò)1000引腳）、散熱性好、電性能優(yōu)，廣泛應(yīng)用于高端芯片（如CPU、GPU、手機(jī)SoC）?？s寫(xiě)：CSP全稱：ChipScalePackage中文譯名：芯片級(jí)封裝定義/說(shuō)明：封裝尺寸與芯片裸片尺寸接近（封裝面積/芯片面積≤1.2）的封裝形式。CSP的優(yōu)點(diǎn)是體積小、重量輕，適用于便攜式設(shè)備（如手機(jī)、平板）。4.2測(cè)試術(shù)語(yǔ)縮寫(xiě)：ATE全稱：AutomaticTestEquipment中文譯名：自動(dòng)測(cè)試設(shè)備定義/說(shuō)明：用于半導(dǎo)體芯片測(cè)試的自動(dòng)化設(shè)備，可快速完成功能測(cè)試（如邏輯運(yùn)算）、性能測(cè)試（如頻率、功耗）、可靠性測(cè)試（如高溫老化）。ATE通常由測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、測(cè)試程序組成，是芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備。縮寫(xiě)：CP全稱：ChipProbing中文譯名：晶圓級(jí)測(cè)試定義/說(shuō)明：在晶圓未切割前，通過(guò)探針卡（ProbeCard）對(duì)每個(gè)Die進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程。CP的目的是篩選出不合格Die，避免后續(xù)封裝成本浪費(fèi)?？s寫(xiě)：FT全稱：FinalTest中文譯名：最終測(cè)試定義/說(shuō)明：芯片封裝完成后進(jìn)行的測(cè)試，主要驗(yàn)證封裝后的電性能（如引腳連接性、散熱性）和整體功能。FT是芯片出廠前的最后一道測(cè)試，確保產(chǎn)品符合客戶要求。五、其他常用類縮寫(xiě)：SEMI全稱：SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational中文譯名：半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際協(xié)會(huì)定義/說(shuō)明：全球半導(dǎo)體行業(yè)的權(quán)威組織，致力于制定設(shè)備、材料、工藝的標(biāo)準(zhǔn)（如SEMIS2（安全標(biāo)準(zhǔn)）、SEMIF47（電壓容忍標(biāo)準(zhǔn)）），促進(jìn)行業(yè)合作與發(fā)展。縮寫(xiě)：ISO全稱：InternationalOrganizationforStandardization中文譯名：國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織定義/說(shuō)明：制定全球通用標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際組織，半導(dǎo)體行業(yè)常用的ISO標(biāo)準(zhǔn)包括ISO9001（質(zhì)量管理體系）、ISO____（環(huán)境管理體系）?？s寫(xiě)：MO全稱：ManufacturingOrder中文譯名：生產(chǎn)訂單定義/說(shuō)明：半導(dǎo)體生產(chǎn)廠中用于指導(dǎo)生產(chǎn)的指令性文件，包含產(chǎn)品型號(hào)、數(shù)量、工藝要求、交付時(shí)間等信息。MO是生產(chǎn)計(jì)劃與執(zhí)行的核心依據(jù)?？s寫(xiě)：WIP全稱：WorkinProgress中文譯名：在制品定義/說(shuō)明：處于生產(chǎn)流程中尚未完成的晶圓或芯片，如“WIP庫(kù)存”指正在光刻、蝕刻等環(huán)節(jié)加工的晶圓數(shù)量。結(jié)