專題09晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考向五年考情（2021-2025）命題趨勢(shì)考點(diǎn)01晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2025·黑吉遼蒙卷、2025·廣東卷、2025·河北卷、2025·云南卷、2024·天津卷、2024·廣西卷、2024·貴州卷、2024·甘肅卷、2024·湖南卷、2024·山東卷、2023·北京卷、2022·天津卷、2022·湖北卷、2022·山東卷、2021·天津卷晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計(jì)算等是物質(zhì)結(jié)構(gòu)選考模塊的必考點(diǎn)試題側(cè)重晶體類型判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的比較與原因、晶胞中微粒數(shù)的判斷、配位數(shù)、晶胞密度計(jì)算、晶胞參數(shù)、空間利用率計(jì)算的考查?？键c(diǎn)02晶胞分析與計(jì)算2025·陜晉青寧卷、2025·浙江1月卷、2025·安徽卷、2025·河北卷、2025·云南卷、2025·黑吉遼蒙卷、2025·湖北卷、2025·湖南卷、2024·重慶卷、2024·江西卷、2024·河北卷、2024·湖南卷、2024·湖北卷、2024·安徽卷、2024·吉林卷、2023·河北卷、2023·重慶卷、2023·湖南卷、2023·湖北卷、2023·遼寧卷、2022·湖北卷、2021·江蘇卷、2021·湖北卷、2021·遼寧卷考點(diǎn)一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1．（2025·黑吉遼蒙卷）侯氏制堿法突破西方技術(shù)壟斷，推動(dòng)了世界制堿技術(shù)的發(fā)展，其主要反應(yīng)為NaCl+。下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)或說法正確的是A．的電子式： B．的空間結(jié)構(gòu)：直線形C．的晶體類型：離子晶體 D．溶解度：【答案】C【解析】A．CO2中C和O之間有兩對(duì)共用電子，其結(jié)構(gòu)為，A錯(cuò)誤；B．H2O的中心原子為O，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，其外層電子對(duì)數(shù)為4，VSEPR模型為四面體形，O原子與H原子形成共價(jià)鍵，剩余兩對(duì)孤電子對(duì)，因此，H2O為V形分子，B錯(cuò)誤；C．NH4Cl由NH和Cl-組成為離子化合物，晶體類型為離子晶體，C正確；D．NH4HCO3溶液中含有NH和HCO，NH可以與水分子形成氫鍵，增大了NH在水中的溶解度，D錯(cuò)誤；故答案選C。2．（2025·廣東卷）聲波封印，材料是音樂存儲(chǔ)技術(shù)的基礎(chǔ)。下列說法錯(cuò)誤的是A．制作黑膠唱片使用的聚氯乙烯，其單體是B．磁帶可由四氧化三鐵涂覆在膠帶上制成，具有磁性C．光碟擦寫過程中材料在晶態(tài)和非晶態(tài)間的可逆轉(zhuǎn)換，涉及物理變化D．固態(tài)硬盤芯片常使用單晶硅作為基礎(chǔ)材料，單晶硅是一種共價(jià)晶體【答案】A【解析】A．聚氯乙烯的單體應(yīng)為氯乙烯（CH2=CHCl），而選項(xiàng)中的CH3CH2Cl是氯乙烷，單體錯(cuò)誤，A錯(cuò)誤；B．四氧化三鐵（Fe3O4）具有磁性，常用于磁帶制作，B正確；C．光碟擦寫時(shí)晶態(tài)與非晶態(tài)轉(zhuǎn)換屬于物理變化(無(wú)新物質(zhì)生成)，C正確；D．單晶硅為共價(jià)晶體(原子晶體)，固態(tài)硬盤芯片使用單晶硅，D正確；故選A。3．（2025·河北卷）化學(xué)研究應(yīng)當(dāng)注重宏觀與微觀相結(jié)合。下列宏觀現(xiàn)象與微觀解釋不符的是選項(xiàng)宏觀現(xiàn)象微觀解釋A氮?dú)夥€(wěn)定存在于自然界中氮分子中存在氮氮三鍵，斷開該共價(jià)鍵需要較多的能量B苯不能使溴的溶液褪色苯分子中碳原子形成了穩(wěn)定的大鍵C天然水晶呈現(xiàn)多面體外形原子在三維空間里呈周期性有序排列D氯化鈉晶體熔點(diǎn)高于氯化鋁晶體離子晶體中離子所帶電荷數(shù)越少，離子半徑越大，離子晶體熔點(diǎn)越低【答案】D【解析】A．氮?dú)獾姆€(wěn)定性源于氮分子中的三鍵，鍵能高難以斷裂，A正確；B．苯因大π鍵結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，難以與溴發(fā)生加成或取代，B正確；C．水晶的規(guī)則外形由原子三維有序排列（晶體結(jié)構(gòu)）導(dǎo)致，C正確；D．氯化鈉熔點(diǎn)高于氯化鋁的真實(shí)原因是氯化鋁為分子晶體而非離子晶體，選項(xiàng)中將二者均視為離子晶體并用離子電荷和半徑解釋，不符合實(shí)際，D錯(cuò)誤；故選D。4．（2025·云南卷）Be及其化合物的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖。下列說法錯(cuò)誤的是A．是兩性氫氧化物B．和的晶體類型相同C．中Be原子的雜化方式為D．與反應(yīng)：【答案】B【解析】A．由圖中轉(zhuǎn)化信息可知，既能與鹽酸反應(yīng)生成鹽和水，又能與氫氧化鈉反應(yīng)生成鹽，因此其是兩性氫氧化物，A正確；B．由題中信息可知，的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于的，因此不可能是分子晶體，而的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)均較低，其為分子晶體，因此兩者的晶體類型不相同，B錯(cuò)誤；C．中Be原子與4個(gè)羥基形成4個(gè)σ鍵，沒有孤電子對(duì)，只有4個(gè)成鍵電子對(duì)，因此，其雜化方式為sp3，C正確；D．中的Be化合價(jià)為+2，C的化合價(jià)為-4，因此其與反應(yīng)生成和，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為，D正確；綜上所述，本題選B。5．（2024·天津卷）我國(guó)學(xué)者在碳化硅表面制備出超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯。下列說法正確的是A．是離子化合物 B．晶體的熔點(diǎn)高、硬度大C．核素的質(zhì)子數(shù)為8 D．石墨烯屬于烯烴【答案】B【解析】A．SiC晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；B．SiC晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，屬于共價(jià)晶體，熔點(diǎn)高、硬度大，B正確；C．C元素為6號(hào)元素，故核素的質(zhì)子數(shù)為6，C錯(cuò)誤；D．石墨烯是碳元素構(gòu)成的單質(zhì)，不屬于烯烴，D錯(cuò)誤；故選B。6．（2024·廣西卷）一定條件下，存在缺陷位的LiH晶體能吸附使其分解為N，隨后N占據(jù)缺陷位(如圖)。下列說法錯(cuò)誤的是A． B．半徑：C． D．LiH晶體為離子晶體【答案】C【解析】A．根據(jù)LiH立方晶胞的該部分結(jié)構(gòu)以及晶胞參數(shù)為a可得，因此，故A正確；B．H原子和的電子層數(shù)均為1，但比氫原子多一個(gè)電子，電子的運(yùn)動(dòng)軌道不重合，內(nèi)核對(duì)電子的束縛相對(duì)較弱，電子活動(dòng)的范圍更廣，因此的半徑較大，故B正確；C．根據(jù)LiH立方晶胞可知，b的長(zhǎng)度如圖，但當(dāng)N占據(jù)了空缺位后，由于比的半徑大，因此，故C錯(cuò)誤；D．LiH晶體中含有Li+和，相互間作用是離子鍵，因此LiH晶體為離子晶體，故D正確；故答案選C。7．（2024·貴州卷）我國(guó)科學(xué)家首次合成了化合物[K(2，2，2-crypt)]5[K@Au12Sb20]。其陰離子[K@Au12Sb20]5-為全金屬富勒烯(結(jié)構(gòu)如圖)，具有與富勒烯C60相似的高對(duì)稱性。下列說法錯(cuò)誤的是A．富勒烯C60是分子晶體B．圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi)C．全金屬富勒烯和富勒烯C60互為同素異形體D．銻(Sb)位于第五周期第ⅤA族，則其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25p3【答案】C【解析】A．富勒烯C60是由C60分子通過范德華力結(jié)合形成的分子晶體，A正確；B．由題圖可知，中心K+周圍有12個(gè)Au形成二十面體籠(每個(gè)面為三角形，上、中、下層分別有5、10、5個(gè)面)，B正確；C．全金屬富勒烯不是碳元素的單質(zhì)，因此其與富勒烯C60不能互為同素異形體，C錯(cuò)誤；D．銻(Sb)位于第五周期第ⅤA族，則根據(jù)元素位置與原子結(jié)構(gòu)關(guān)系可知：其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25p3，D正確；故合理選項(xiàng)是C。8．（2024·甘肅卷）晶體中，多個(gè)晶胞無(wú)隙并置而成的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中部分結(jié)構(gòu)顯示為圖乙，下列說法錯(cuò)誤的是A．電負(fù)性： B．單質(zhì)是金屬晶體C．晶體中存在范德華力 D．離子的配位數(shù)為3【答案】D【解析】A．電負(fù)性越大的元素吸引電子的能力越強(qiáng)，活潑金屬的電負(fù)性小于活潑非金屬，因此，Mg的電負(fù)性小于Cl，A正確；B．金屬晶體包括金屬單質(zhì)及合金，單質(zhì)Mg是金屬晶體，B正確；C．由晶體結(jié)構(gòu)可知，該結(jié)構(gòu)中存在層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間存在范德華力，C正確；D．由圖乙中結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)與周圍有6個(gè)最近且距離相等，因此，的配位數(shù)為6，D錯(cuò)誤；綜上所述，本題選D。9．（2024·湖南卷）通過理論計(jì)算方法優(yōu)化了P和Q的分子結(jié)構(gòu)，P和Q呈平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)，原子的連接方式如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是A．P為非極性分子，Q為極性分子 B．第一電離能：C．和所含電子數(shù)目相等 D．P和Q分子中C、B和N均為雜化【答案】A【解析】A．由所給分子結(jié)構(gòu)圖，P和Q分子都滿足對(duì)稱，正負(fù)電荷重心重合，都是非極性分子，A錯(cuò)誤；B．同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，氮原子的2p軌道為穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，第一電離能大于相鄰元素，則第一電離能由小到大的順序?yàn)锽<C<N，故B正確；C．由所給分子結(jié)構(gòu)可知，P分子式為C24H12，Q分子式為B12N12H12，P、Q分子都是含156個(gè)電子，故1molP和1molQ所含電子數(shù)目相等，C正確；D．由所給分子結(jié)構(gòu)可知，P和Q分子中C、B和N均與其它三個(gè)原子成鍵，P和Q分子呈平面結(jié)構(gòu)，故P和Q分子中C、B和N均為sp2雜化，D正確；本題選A。10．（2024·山東卷）下列物質(zhì)均為共價(jià)晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點(diǎn)最低的是A．金剛石(C) B．單晶硅() C．金剛砂() D．氮化硼(，立方相)【答案】B【解析】金剛石(C)、單晶硅(Si)、金剛砂(SiC)、立方氮化硼(BN)，都為共價(jià)晶體，結(jié)構(gòu)相似，則原子半徑越大，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，熔沸點(diǎn)越低，在這幾種晶體中，鍵長(zhǎng)Si-Si>Si-C>B-N>C-C，所以熔點(diǎn)最低的為單晶硅。故選B。11．（2023·北京卷）中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說法正確的是A．三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的鍵 B．三種物質(zhì)中的碳原子都是雜化C．三種物質(zhì)的晶體類型相同 D．三種物質(zhì)均能導(dǎo)電【答案】A【解析】A．原子間優(yōu)先形成鍵，三種物質(zhì)中均存在鍵，A項(xiàng)正確；B．金剛石中所有碳原子均采用雜化，石墨中所有碳原子均采用雜化，石墨炔中苯環(huán)上的碳原子采用雜化，碳碳三鍵上的碳原子采用雜化，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．金剛石為共價(jià)晶體，石墨炔為分子晶體，石墨為混合晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．金剛石中沒有自由移動(dòng)電子，不能導(dǎo)電，D項(xiàng)錯(cuò)誤；故選A。12．（2022·天津卷）一定條件下，石墨轉(zhuǎn)化為金剛石吸收能量。下列關(guān)于石墨和金剛石的說法正確的是A．金剛石比石墨穩(wěn)定B．兩物質(zhì)的碳碳鍵的鍵角相同C．等質(zhì)量的石墨和金剛石中，碳碳鍵數(shù)目之比為4∶3D．可以用X射線衍射儀鑒別金剛石和石墨【答案】D【解析】A．石墨轉(zhuǎn)化為金剛石吸收能量，則石墨能量低，根據(jù)能量越低越穩(wěn)定，因此石墨比金剛石穩(wěn)定，故A錯(cuò)誤；B．金剛石是空間網(wǎng)狀正四面體形，鍵角為109°28′，石墨是層內(nèi)正六邊形，鍵角為120°，因此碳碳鍵的鍵角不相同，故B錯(cuò)誤；C．金剛石是空間網(wǎng)狀正四面體形，石墨是層內(nèi)正六邊形，層與層之間通過范德華力連接，1mol金剛石有2mol碳碳鍵，1mol石墨有1.5mol碳碳鍵，因此等質(zhì)量的石墨和金剛石中，碳碳鍵數(shù)目之比為3∶4，故C錯(cuò)誤；D．金剛石和石墨是兩種不同的晶體類型，因此可用X射線衍射儀鑒別，故D正確。綜上所述，答案為D。13．（2022·湖北卷）在高溫高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂幸欢▽?dǎo)電性、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列關(guān)于該碳玻璃的說法錯(cuò)誤的是A．具有自范性 B．與互為同素異形體C．含有雜化的碳原子 D．化學(xué)性質(zhì)與金剛石有差異【答案】A【解析】A．自范性是晶體的性質(zhì)，碳玻璃為非晶態(tài)，所以沒有自范性，A錯(cuò)誤；B．碳玻璃和均是由碳元素形成的不同的單質(zhì)，所以是同素異形體，B正確；C．碳玻璃具有高硬度，與物理性質(zhì)金剛石類似，因而結(jié)構(gòu)具有一定的相似性，所以含有雜化的碳原子形成化學(xué)鍵，C正確；D．金剛石與碳玻璃屬于同素異形體，性質(zhì)差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)上，化學(xué)性質(zhì)上也有著活性的差異，D正確；故選A。14．（2022·山東卷）、屬于第三代半導(dǎo)體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在鍵、鍵。下列說法錯(cuò)誤的是A．的熔點(diǎn)高于 B．晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵C．晶體中所有原子均采取雜化 D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同【答案】A【分析】Al和Ga均為第ⅢA元素，N屬于第ⅤA元素，AlN、GaN的成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，則其為共價(jià)晶體，且其與金剛石互為等電子體，等電子體之間的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相似。AlN、GaN晶體中，N原子與其相鄰的原子形成3個(gè)普通共價(jià)鍵和1個(gè)配位鍵?！窘馕觥緼．因?yàn)锳lN、GaN為結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體，由于Al原子的半徑小于Ga，N—Al的鍵長(zhǎng)小于N—Ga的，則N—Al的鍵能較大，鍵能越大則其對(duì)應(yīng)的共價(jià)晶體的熔點(diǎn)越高，故GaN的熔點(diǎn)低于AlN，A說錯(cuò)誤；B．不同種元素的原子之間形成的共價(jià)鍵為極性鍵，故兩種晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵，B說法正確；C．金剛石中每個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵（即C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4），C原子無(wú)孤電子對(duì)，故C原子均采取sp３雜化；由于AlN、GaN與金剛石互為等電子體，則其晶體中所有原子均采取sp3雜化，C說法正確；D．金剛石中每個(gè)C原子與其周圍4個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，即C原子的配位數(shù)是4，由于AlN、GaN與金剛石互為等電子體，則其晶體中所有原子的配位數(shù)也均為4，D說法正確。綜上所述，本題選A。15．（2021·天津卷）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是A．SiO2和SO3 B．I2和NaCl C．Cu和Ag D．SiC和MgO【答案】C【解析】A．SiO2為原子晶體，SO3為分子晶體，晶體類型不同，故A錯(cuò)誤；B．I2為分子晶體，NaCl為離子晶體，晶體類型不同，故B錯(cuò)誤；C．Cu和Ag都為金屬晶體，晶體類型相同，故C正確；D．SiC為原子晶體，MgO為離子晶體，晶體類型不同，故D錯(cuò)誤；故選C?？键c(diǎn)二晶體分析與計(jì)算16．（2025·陜晉青寧卷）一種負(fù)熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說法錯(cuò)誤的是A．沿晶胞體對(duì)角線方向的投影圖為B．和B均為雜化C．晶體中與最近且距離相等的有6個(gè)D．和B的最短距離為【答案】A【解析】A．由晶胞圖可知，晶胞中Ag位于體心，B位于頂點(diǎn)，C、N位于體對(duì)角線上，沿晶胞體對(duì)角線方向投影，體對(duì)角線上的原子投影到中心(重疊)，其余6個(gè)頂點(diǎn)原子分別投影到六元環(huán)的頂點(diǎn)上，其他體內(nèi)的C、N原子都投影到對(duì)應(yīng)頂點(diǎn)原子投影與體心的連線上，則投影圖為，A錯(cuò)誤；B．Ag位于體心，與周圍4個(gè)N原子原鍵，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，且與4個(gè)N原子形成正四面體，則Ag為雜化；由晶胞中成鍵情況知，共用頂點(diǎn)B原子的8個(gè)晶胞中，有4個(gè)晶胞中存在1個(gè)C原子與該B原子成鍵，即B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，為雜化，B正確；C．晶胞中Ag位于體心，與最近且距離相等的就是該晶胞上、下、左、右、前、后6個(gè)相鄰的晶胞體心中的原子，為6個(gè)，C正確；D．B位于頂點(diǎn)，其個(gè)數(shù)為，Ag、C、N均位于晶胞內(nèi)，個(gè)數(shù)分別為1、4、4，由晶胞密度可知晶胞參數(shù)a=，和B的最短距離為體對(duì)角線的一半，即，D正確；故選A。17．（2025·浙江1月卷）某化合物的晶胞如圖所示，下列說法不正確的是A．晶體類型為混合晶體 B．與二價(jià)鐵形成配位鍵C．該化合物與水反應(yīng)有難溶物生成 D．該化合物熱穩(wěn)定性比高【答案】D【解析】A．由圖可知該化合物中存在離子鍵、配位鍵和分子間作用力，故晶體類型為混合晶體，A正確；B．與二價(jià)鐵通過配位鍵形成[Fe(NH3)2]2+，B正確；C．與水反應(yīng)可以生成Fe(OH)2沉淀，方程式為+2H2O=Fe(OH)2↓+2NH4Cl，C正確；D．中[Fe(NH3)2]2+離子半徑大于Fe2+，[Fe(NH3)2]2+與Cl-之間的鍵能小于Fe2+與Cl-之間的鍵能，熱穩(wěn)定性小于FeCl2，D錯(cuò)誤；答案選D。18．（2025·安徽卷）碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，層間作用為范德華力，層間距為。下圖給出了碘的單層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)碘分子間存在“鹵鍵”(強(qiáng)度與氫鍵相近)。為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．碘晶體是混合型晶體 B．液態(tài)碘單質(zhì)中也存在“鹵鍵”C．碘晶體中有個(gè)“鹵鍵” D．碘晶體的密度為【答案】A【解析】A．碘晶體中，分子間是“鹵鍵”(類似氫鍵)，層與層間是范德華力，與石墨不同(石墨層內(nèi)只存在共價(jià)鍵)所以碘晶體是分子晶體，A錯(cuò)誤；B．由圖可知，題目中的“鹵鍵”類似分子間作用力，只不過強(qiáng)度與氫鍵接近，則液態(tài)碘單質(zhì)中也存在類似的分子間作用力，即“鹵鍵”，B正確；C．由圖可知，每個(gè)分子能形成4條“鹵鍵”，每條“鹵鍵”被2個(gè)碘分子共用，所以每個(gè)碘分子能形成2個(gè)“鹵鍵”，碘晶體物質(zhì)的量是0.5mol，“鹵鍵”的個(gè)數(shù)是，C正確；D．碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，所給區(qū)間內(nèi)4個(gè)碘原子處于面心，則每個(gè)晶胞中碘原子的個(gè)數(shù)是，晶胞的體積是，密度是，D正確；故選A。19．（2025·河北卷）是一種具有優(yōu)異磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等領(lǐng)域中獲得重要應(yīng)用。的六方晶胞示意圖如下，晶胞參數(shù)、，M、N原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為、。設(shè)是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．該物質(zhì)的化學(xué)式為 B．體心原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．晶體的密度為 D．原子Q到體心的距離為【答案】D【解析】A．由晶胞圖知，白球位于體心，晶胞中數(shù)目為1，黑球位于頂角、棱心、體內(nèi)，六方晶胞上下表面中一個(gè)角60°，一個(gè)角為120°，晶胞中數(shù)目為，結(jié)合題意知，白球?yàn)镾m、黑球?yàn)镃o，該物質(zhì)化學(xué)式為，A正確；B．體心原子位于晶胞的中心，其分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，B正確；C．每個(gè)晶胞中含有1個(gè)“”，晶胞底面為菱形，晶胞體積為，則晶體密度為，C正確；D．原子Q的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，由體心原子向上底面作垂線，垂足為上底面面心，連接該面心與原子Q、體心與原子Q可得直角三角形，則原子Q到體心的距離，D錯(cuò)誤；故選D。20．（2025·云南卷）是優(yōu)良的固態(tài)電解質(zhì)材料，取代部分后產(chǎn)生空位，可提升傳導(dǎo)性能。取代后材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(未畫出)及其作為電解質(zhì)的電池裝置如下。下列說法錯(cuò)誤的是A．每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為12B．該晶胞在yz平面的投影為C．取代后，該電解質(zhì)的化學(xué)式為D．若只有發(fā)生遷移，外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的數(shù)目相等【答案】C【解析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Sc原子分布在晶胞的8個(gè)棱心和4個(gè)面心，由均攤法算出其原子個(gè)數(shù)為，由晶體的化學(xué)式可知，O原子的個(gè)數(shù)是Sc的4倍，因此，每個(gè)晶胞中O2-個(gè)數(shù)為12，A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，該晶胞在yz平面的投影就是其前視圖，B正確；C．Ce4+取代La3+后，Li+數(shù)目減小并產(chǎn)生空位，因此，根據(jù)化合價(jià)的代數(shù)和為0可知，取代后該電解質(zhì)的化學(xué)式為，C錯(cuò)誤；D．Li+與電子所帶的電荷數(shù)目相同，只是電性不同，原電池中內(nèi)電路和外電路通過的電量相等，因此，若只有Li+發(fā)生遷移，外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等，D正確；綜上所述，本題選C。21．（2025·黑吉遼蒙卷）晶體因x變化形成空位而導(dǎo)致顏色各異，當(dāng)時(shí)，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯(cuò)誤的是A．與W最近且等距的O有6個(gè) B．x增大時(shí)，W的平均價(jià)態(tài)升高C．密度為時(shí)， D．空位數(shù)不同，吸收的可見光波長(zhǎng)不同【答案】B【解析】A．W位于立方體的頂角，以頂角W為例，在此晶胞內(nèi)，離該頂角最近且距離相等的O原子位于該頂角所在3條棱的棱心，由于該頂角在8個(gè)晶胞里，而棱上的原子被4個(gè)晶胞共有，所以與W最近且距離相等的O原子有，故A正確；B．O元素化合價(jià)為-2價(jià)，負(fù)化合價(jià)總數(shù)為-6，設(shè)W元素的平均化合價(jià)為y，據(jù)正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為0可得：-6+y+x=0，y=6-x，x的值增大y減小，即W元素的平均化合價(jià)降低，故B錯(cuò)誤；C．時(shí)，立方晶胞中W個(gè)數(shù)為、O個(gè)數(shù)為，若x=0.5，晶胞質(zhì)量為，晶胞體積為，則密度，所以密度為時(shí)，x=0.5，故C正確；D．晶體因x變化形成空位而導(dǎo)致顏色各異，即空位數(shù)不同，吸收的可見光波長(zhǎng)不同，故D正確；故答案為：B。22．（2025·湖北卷）晶胞是長(zhǎng)方體，邊長(zhǎng)，如圖所示。下列說法正確的是A．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)O原子B．晶胞中分子的取向相同C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距為D．每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個(gè)【答案】D【解析】A．由晶胞圖可知，SO2分子位于長(zhǎng)方體的棱心和體心，1個(gè)晶胞中含(12×+1)個(gè)SO2分子，含有8個(gè)O原子，A錯(cuò)誤；B．由圖可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2，B錯(cuò)誤；C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距離為上、下面面對(duì)角線的一半，即pm，C錯(cuò)誤；D．以體心的S原子為例，由于a≠b≠c，每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰(距離最小)的S原子有4個(gè)，D正確；答案選D。23．（2025·湖南卷）摻雜的鉍酸鋇具有超導(dǎo)性。替代部分形成(摩爾質(zhì)量為)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該立方晶胞的參數(shù)為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是A．晶體中與鉍離子最近且距離相等的有6個(gè)B．晶胞中含有的鉍離子個(gè)數(shù)為8C．第一電離能：D．晶體的密度為【答案】A【解析】A．鉍離子位于頂點(diǎn)，與其最近且距離相等的位于棱心，有6個(gè)，分別位于上下、前后、左右，A正確；B．晶胞中含有的鉍離子個(gè)數(shù)為個(gè)，B錯(cuò)誤；C．Ba是堿土金屬，金屬性強(qiáng)于Ca，其易失電子，第一電離能小于O，C錯(cuò)誤；D．晶胞中Ba或K位于體心，個(gè)數(shù)為總和1，位于棱心，有，所以晶胞的質(zhì)量是，晶胞體積是，則晶體的密度是：，D錯(cuò)誤；故選A。24．（2024·重慶卷）儲(chǔ)氫材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，的摩爾質(zhì)量為，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法正確的是A．的配位數(shù)為2 B．晶胞中含有2個(gè)C．晶體密度的計(jì)算式為 D．(i)和(ii)之間的距離為【答案】B【解析】A．由圖可知，與距離最近且等距離的的個(gè)數(shù)是3，則的配位數(shù)為3，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．位于晶胞的頂點(diǎn)和體心上，該晶胞中的個(gè)數(shù)為，B項(xiàng)正確；C．該晶胞體積為，該晶胞中的個(gè)數(shù)為，的個(gè)數(shù)為，相當(dāng)于晶胞中含有2個(gè)，晶體密度為，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．(i)和(ii)之間的距離等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的一半，為，D項(xiàng)錯(cuò)誤；答案選B。25．（2024·江西卷）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法正確的是A．Nb的配位數(shù)是6B．Nb和O最短距離為anmC．晶體密度D．M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為【答案】D【解析】A．由圖可知，NbO的立方晶胞中距離Nb原子最近且距離相等的O原子有4個(gè)，Nb的配位數(shù)是4，故A錯(cuò)誤；B．由圖可知，Nb和O最短距離為邊長(zhǎng)的，晶胞參數(shù)為anm，Nb和O最短距離為anm，故B錯(cuò)誤；C．根據(jù)均攤法計(jì)算可知，Nb的個(gè)數(shù)為6×=3，O的個(gè)數(shù)為12×=3，即晶胞中含有3個(gè)NbO，晶胞密度為ρ=，故C錯(cuò)誤；D．P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），M位于正方體的面心，M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（，，），故D正確；故選：D。26．（2024·河北卷）金屬鉍及其化合物廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、醫(yī)藥等領(lǐng)域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點(diǎn)的截面圖，晶胞的邊長(zhǎng)為為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．該鉍氟化物的化學(xué)式為B．粒子S、T之間的距離為C．該晶體的密度為D．晶體中與鉍離子最近且等距的氟離子有6個(gè)【答案】D【解析】A．根據(jù)題給晶胞結(jié)構(gòu)，由均攤法可知，每個(gè)晶胞中含有個(gè)，含有個(gè)F-，故該鉍氟化物的化學(xué)式為，故A正確；B．將晶胞均分為8個(gè)小立方體，由晶胞中MNPQ點(diǎn)的截面圖可知，晶胞體內(nèi)的8個(gè)F-位于8個(gè)小立方體的體心，以M為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，令N的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，與Q、M均在同一條棱上的F-的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則T的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，S的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，所以粒子S、T之間的距離為，故B正確；C．由A項(xiàng)分析可知，每個(gè)晶胞中有4個(gè)Bi3+、12個(gè)F-，晶胞體積為，則晶體密度為=，故C正確；D．以晶胞體心處鉍離子為分析對(duì)象，距離其最近且等距的氟離子位于晶胞體內(nèi)，為將晶胞均分為8個(gè)小立方體后，每個(gè)小立方體的體心的F-，即有8個(gè)，故D錯(cuò)誤；故答案為：D。27．（2024·湖南卷）是一種高活性的人工固氮產(chǎn)物，其合成反應(yīng)為，晶胞如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是A．合成反應(yīng)中，還原劑是和CB．晶胞中含有的個(gè)數(shù)為4C．每個(gè)周圍與它最近且距離相等的有8個(gè)D．為V型結(jié)構(gòu)【答案】D【解析】A．LiH中H元素為-1價(jià)，由圖中化合價(jià)可知，N元素為-3價(jià)，C元素為+4價(jià)，根據(jù)反應(yīng)可知，H元素由-1價(jià)升高到0價(jià)，C元素由0價(jià)升高到+4價(jià)，N元素由0價(jià)降低到-3價(jià)，由此可知還原劑是和C，故A正確；B．根據(jù)均攤法可知，位于晶胞中的面上，則含有的個(gè)數(shù)為，故B正確；C．觀察位于體心的可知，與它最近且距離相等的有8個(gè)，故C正確；D．的中心原子C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，且與CO2互為等電子體，可知為直線型分子，故D錯(cuò)誤；故答案選D。28．（2024·湖北卷）黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為。合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是A．I為金B(yǎng)．Ⅱ中的配位數(shù)是12C．Ⅲ中最小核間距D．I、Ⅱ、Ⅲ中，與原子個(gè)數(shù)比依次為、、【答案】C【解析】A．由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%，則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為：

，I中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1:1，則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為：

，A正確；B．Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)，Au的配位數(shù)指距離最近的Cu，Cu處于面心處，類似于二氧化碳晶胞結(jié)構(gòu)，二氧化碳分子周圍距離最近的二氧化碳有12個(gè)，則Au的配位數(shù)為12，B正確；C．設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a，的核間距為，的最小核間距也為，最小核間距，C錯(cuò)誤；D．I中，處于內(nèi)部，處于晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)，其原子個(gè)數(shù)比為1:1；Ⅱ中，處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)，處于面心，其原子個(gè)數(shù)比為：；Ⅲ中，處于立方體的面心，處于頂點(diǎn)，其原子個(gè)數(shù)比為；D正確；故選C。29．（2024·安徽卷）研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導(dǎo)電氧化物()，其立方晶胞和導(dǎo)電時(shí)遷移過程如下圖所示。已知該氧化物中為價(jià)，為價(jià)。下列說法錯(cuò)誤的是A．導(dǎo)電時(shí)，和的價(jià)態(tài)不變 B．若，與空位的數(shù)目相等C．與體心最鄰近的O原子數(shù)為12 D．導(dǎo)電時(shí)、空位移動(dòng)方向與電流方向相反【答案】B【解析】A．根據(jù)題意，導(dǎo)電時(shí)Li+發(fā)生遷移，化合價(jià)不變，則Ti和La的價(jià)態(tài)不變，A項(xiàng)正確；B．根據(jù)“均攤法”，1個(gè)晶胞中含Ti：8×=1個(gè)，含O：12×=3個(gè)，含La或Li或空位共：1個(gè)，若x=，則La和空位共，n(La)+n(空位)=，結(jié)合正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為0，(+1)×+(+3)×n(La)+(+4)×1+(-2)×3=0，解得n(La)=、n(空位)=，Li+與空位數(shù)目不相等，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．由立方晶胞的結(jié)構(gòu)可知，與體心最鄰近的O原子數(shù)為12，即位于棱心的12個(gè)O原子，C項(xiàng)正確；D．導(dǎo)電時(shí)Li+向陰極移動(dòng)方向，即與電流方向相同，則空位移動(dòng)方向與電流方向相反，D項(xiàng)正確；答案選B。30．（2024·吉林卷）某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是A．結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為 B．晶胞2中S與S的最短距離為C．晶胞2中距最近的S有4個(gè) D．晶胞2和晶胞3表示同一晶體【答案】B【解析】A．由均攤法得，結(jié)構(gòu)1中含有Co的數(shù)目為，含有S的數(shù)目為，Co與S的原子個(gè)數(shù)比為9：8，因此結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式為Co9S8，故A正確；B．由圖可知，晶胞2中S與S的最短距離為面對(duì)角線的，晶胞邊長(zhǎng)為a，即S與S的最短距離為：，故B錯(cuò)誤；C．如圖：，以圖中的Li為例，與其最近的S共4個(gè)，故C正確；D．如圖，當(dāng)2個(gè)晶胞2放在一起時(shí)，圖中紅框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶體，故D正確；故選B。31．（2023·河北卷）鋯是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。下圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．該氧化物的化學(xué)式為B．該氧化物的密度為C．原子之間的最短距離為D．若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心【答案】B【解析】A．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含4個(gè)Zr、個(gè)O，則立方氧化鋯的化學(xué)式為ZrO2，A正確；B．結(jié)合A分析可知，晶體密度為，B錯(cuò)誤；C．原子之間的最短距離為面對(duì)角線的一半，即，C正確；D．根據(jù)晶胞的位置可知，若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則垂直向下，q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心，D正確；答案選B。32．（2023·重慶卷）配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)以及分子在晶胞中的位置如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是A．中心原子的配位數(shù)是4 B．晶胞中配合物分子的數(shù)目為2C．晶體中相鄰分子間存在范德華力 D．該晶體屬于混合型晶體【答案】D【解析】A．由題干配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)示意圖可知，中心原子M周圍形成了4個(gè)配位鍵，故中心原子M的配位數(shù)是4，A正確；B．由題干圖示晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中配合物分子的數(shù)目為=2，B正確；C．由題干信息可知，該晶體為由分子組成的分子晶體，故晶體中相鄰分子間存在范德華力，C正確；D．由題干信息可知，該晶體為由分子組成的分子晶體，D錯(cuò)誤；故答案為：D。33．（2023·湖南卷）科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法錯(cuò)誤的是

A．晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為B．晶體中與最近且距離相等的有8個(gè)C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面D．晶體的密度為【答案】C【解析】A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，其中K個(gè)數(shù)：8×=1，其中Ca個(gè)數(shù)：1，其中B個(gè)數(shù)：12×=6，其中C個(gè)數(shù)：12×=6，故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為，A正確；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于晶胞頂點(diǎn)，Ca2+位于體心，每個(gè)為8個(gè)晶胞共用，則晶體中與最近且距離相等的有8個(gè)，B正確；C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面，C錯(cuò)誤；D．根據(jù)選項(xiàng)A分析可知，該晶胞最簡(jiǎn)化學(xué)式為，則1個(gè)晶胞質(zhì)量為：，晶胞體積為a3×10-30cm3，則其密度為，D正確；故選C。34．（2023·湖北卷）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說法錯(cuò)誤的是A．晶體中La的配位數(shù)為8B．晶體中H和H的最短距離：C．在晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D．單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為【答案】C【解析】A．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個(gè)，則La的配位數(shù)為8，故A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：，故B正確；C．由題干信息可知，在晶胞中，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè)，頂點(diǎn)數(shù)為48=32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；D．1個(gè)晶胞中含有58=40個(gè)H原子，含H質(zhì)量為g，晶胞的體積為(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，則單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為，故D正確；答案選C。35．（2023·遼寧卷）晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1)，進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯(cuò)誤的是

A．圖1晶體密度為g?cm-3 B．圖1中O原子的配位數(shù)為6C．圖2表示的化學(xué)式為 D．取代產(chǎn)生的空位有利于傳導(dǎo)【答案】C【解析】A．根據(jù)均攤法，圖1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1個(gè)晶胞的質(zhì)量為g=g，晶