晶體考試題庫(kù)及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.晶體的基本特征是（）A.具有規(guī)則的幾何外形B.各向同性C.無(wú)固定熔點(diǎn)D.無(wú)規(guī)則排列答案：A2.以下哪種晶體屬于離子晶體（）A.金剛石B.干冰C.氯化鈉D.石墨答案：C3.晶體結(jié)構(gòu)中的最小重復(fù)單元稱為（）A.晶胞B.晶格C.點(diǎn)陣D.基元答案：A4.下列晶體中硬度最大的是（）A.氯化鈉B.冰C.金剛石D.硫磺答案：C5.金屬晶體的導(dǎo)電性是因?yàn)椋ǎ〢.有自由電子B.離子的定向移動(dòng)C.共價(jià)鍵的存在D.分子間作用力答案：A6.下列關(guān)于晶體對(duì)稱性的說(shuō)法正確的是（）A.所有晶體都具有平移對(duì)稱性B.晶體的對(duì)稱操作不包括旋轉(zhuǎn)C.晶體的對(duì)稱性與晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)D.晶體的對(duì)稱元素有對(duì)稱軸、對(duì)稱面等答案：D7.對(duì)于立方晶系，其晶胞的邊長(zhǎng)關(guān)系是（）A.a=b=cB.a≠b=cC.a=b≠cD.a≠b≠c答案：A8.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，（）起關(guān)鍵作用。A.溫度B.濃度C.過(guò)飽和度D.壓力答案：C9.以下不屬于晶體缺陷的是（）A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.體缺陷答案：D10.在晶體中，原子排列的緊密程度可以用（）來(lái)衡量。A.配位數(shù)B.晶胞體積C.原子半徑D.點(diǎn)陣常數(shù)答案：A二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.晶體的鍵合類型包括（）A.離子鍵B.共價(jià)鍵C.金屬鍵D.分子鍵答案：ABCD2.以下屬于離子晶體的性質(zhì)有（）A.較高的熔點(diǎn)B.硬度較大C.導(dǎo)電性差（固態(tài)）D.易溶于極性溶劑答案：ABCD3.晶胞的選取原則包括（）A.能夠充分反映晶體的對(duì)稱性B.平行六面體C.棱與棱之間夾角為直角D.體積最小答案：ABD4.影響晶體結(jié)構(gòu)的因素有（）A.原子或離子的半徑B.化學(xué)鍵的類型C.晶體的生長(zhǎng)環(huán)境D.原子或離子的電子云分布答案：ABD5.以下關(guān)于金屬晶體的描述正確的是（）A.具有良好的導(dǎo)電性B.具有良好的導(dǎo)熱性C.具有較高的硬度D.具有延展性答案：ABD6.晶體的對(duì)稱性操作有（）A.旋轉(zhuǎn)B.反映C.倒反D.平移答案：ABCD7.晶體缺陷按其幾何形狀可分為（）A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.混合缺陷答案：ABC8.對(duì)于晶體的X射線衍射，以下說(shuō)法正確的是（）A.利用了X射線的波動(dòng)性B.可以確定晶體結(jié)構(gòu)C.與晶體中的原子排列有關(guān)D.只適用于立方晶系答案：ABC9.以下哪些是晶體材料的應(yīng)用（）A.半導(dǎo)體器件B.光學(xué)鏡片C.建筑材料D.催化劑答案：ABC10.晶體生長(zhǎng)的方法有（）A.溶液生長(zhǎng)法B.熔體生長(zhǎng)法C.氣相生長(zhǎng)法D.固相生長(zhǎng)法答案：ABCD三、判斷題（每題2分，共10題）1.所有晶體都是各向異性的。（）答案：錯(cuò)誤2.原子晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體高。（）答案：錯(cuò)誤3.晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的最小單元。（）答案：正確4.金屬晶體中只有金屬鍵。（）答案：錯(cuò)誤5.晶體的對(duì)稱性越高，其可能的晶系種類越少。（）答案：錯(cuò)誤6.離子晶體在水溶液中都能導(dǎo)電。（）答案：錯(cuò)誤7.晶體缺陷對(duì)晶體的性能總是有害的。（）答案：錯(cuò)誤8.晶體的X射線衍射圖只與晶體的化學(xué)成分有關(guān)。（）答案：錯(cuò)誤9.所有的晶體都有固定的熔點(diǎn)。（）答案：正確10.分子晶體中分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。（）答案：正確四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。答案：離子晶體由陰陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為：離子晶體具有較高的配位數(shù)；離子鍵無(wú)方向性和飽和性，使得離子在空間呈緊密堆積；晶體結(jié)構(gòu)一般具有較高的對(duì)稱性；在離子晶體中，陽(yáng)離子周圍通常被陰離子包圍，反之亦然。2.什么是晶體的點(diǎn)陣？答案：晶體的點(diǎn)陣是表示晶體結(jié)構(gòu)中各類等同點(diǎn)排列規(guī)律的幾何圖形。它是一種抽象的幾何概念，通過(guò)在空間中選取一組周期性重復(fù)排列的點(diǎn)來(lái)描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性，這些點(diǎn)稱為點(diǎn)陣點(diǎn)，點(diǎn)陣反映了晶體結(jié)構(gòu)的平移對(duì)稱性。3.簡(jiǎn)述晶體缺陷中的點(diǎn)缺陷類型。答案：晶體點(diǎn)缺陷類型主要有空位、間隙原子和雜質(zhì)原子。空位是指正常結(jié)點(diǎn)位置沒有原子；間隙原子是原子進(jìn)入晶體點(diǎn)陣的間隙位置；雜質(zhì)原子是外來(lái)原子進(jìn)入晶體，可分為置換雜質(zhì)原子（取代原有原子）和間隙雜質(zhì)原子（進(jìn)入間隙位置）。4.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中過(guò)飽和度起什么作用？答案：過(guò)飽和度是晶體生長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力。過(guò)飽和度越高，溶液中溶質(zhì)分子或離子聚集形成晶核的概率增大，晶核生成速率加快；同時(shí)也影響晶體的生長(zhǎng)速率，適度的過(guò)飽和度有助于晶體的生長(zhǎng)，過(guò)高或過(guò)低可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)異常。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論金屬鍵對(duì)金屬晶體性能的影響。答案：金屬鍵使金屬晶體具有良好的導(dǎo)電性，因?yàn)樽杂呻娮涌稍诰w中定向移動(dòng)。良好的導(dǎo)熱性，自由電子傳遞熱量。具有延展性，金屬原子層可相對(duì)滑動(dòng)而金屬鍵不斷裂。金屬鍵無(wú)方向性，使金屬原子緊密堆積，導(dǎo)致較高的密度等性能。2.比較離子晶體和分子晶體的熔點(diǎn)差異并說(shuō)明原因。答案：離子晶體熔點(diǎn)較高，分子晶體熔點(diǎn)較低。離子晶體由離子鍵結(jié)合，離子鍵強(qiáng)，需較多能量破壞。分子晶體由分子間作用力結(jié)合，這種力較弱，較少能量就能破壞，所以熔點(diǎn)差異大。3.闡述晶體對(duì)稱性在晶體結(jié)構(gòu)研究中的意義。答案：晶體對(duì)稱性有助于確定晶胞的形狀和結(jié)構(gòu)。通過(guò)對(duì)稱元素的分析能減少確定晶體結(jié)構(gòu)所需的參數(shù)數(shù)量?？梢詫?duì)晶體進(jìn)行分類，方便對(duì)不同晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行