化學(xué)氣相淀積工技能測(cè)試題庫(kù)及答案工種：化學(xué)氣相沉積工等級(jí)：中級(jí)時(shí)間：90分鐘滿分：100分---一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共20分）1.化學(xué)氣相沉積（CVD）的基本反應(yīng)過(guò)程不包括以下哪一項(xiàng)？A.氣相原料的輸運(yùn)B.化學(xué)反應(yīng)生成沉積物C.物理氣相沉積（PVD）的等離子體刻蝕D.沉積物的生長(zhǎng)與附著力控制2.常用于CVD的載氣不包括以下哪種？A.氫氣（H?）B.氮?dú)猓∟?）C.氬氣（Ar）D.二氧化碳（CO?）3.以下哪種材料不適合通過(guò)CVD方法沉積？A.氮化硅（Si?N?）B.二氧化硅（SiO?）C.金（Au）D.氮化鋁（AlN）4.CVD設(shè)備中，熱壁式與冷壁式的主要區(qū)別在于？A.沉積速率B.原料利用率C.溫度控制方式D.沉積均勻性5.以下哪種催化劑常用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）？A.鈀（Pd）B.鉑（Pt）C.鎳（Ni）D.銅（Cu）6.CVD過(guò)程中，沉積速率主要受以下哪個(gè)因素影響最大？A.壓力B.溫度C.原料流量D.設(shè)備類(lèi)型7.以下哪種氣體常用于沉積氮化硅（Si?N?）？A.SiH?+N?B.CH?+O?C.C?H?+H?D.GeH?+Cl?8.CVD設(shè)備中，石英爐管的優(yōu)點(diǎn)不包括？A.耐高溫B.透光性好C.熱膨脹系數(shù)低D.成本低廉9.沉積層的附著力問(wèn)題通常與以下哪個(gè)因素?zé)o關(guān)？A.前驅(qū)體選擇B.溫度控制C.基板清潔度D.沉積速率10.以下哪種缺陷會(huì)顯著降低CVD沉積層的性能？A.氣孔B.沉積均勻性C.晶粒尺寸D.致密度11.CVD過(guò)程中，反應(yīng)氣體的分壓對(duì)沉積速率的影響是？A.線性關(guān)系B.指數(shù)關(guān)系C.對(duì)數(shù)關(guān)系D.無(wú)關(guān)12.以下哪種材料常用于沉積硬質(zhì)涂層？A.TiNB.CrC.Al?O?D.Mo13.CVD設(shè)備中，流量控制的主要目的是？A.提高能耗B.調(diào)節(jié)沉積速率C.增加原料浪費(fèi)D.降低設(shè)備壽命14.沉積層的晶相結(jié)構(gòu)主要受以下哪個(gè)因素影響？A.基板溫度B.原料純度C.沉積時(shí)間D.以上都是15.以下哪種方法常用于檢測(cè)CVD沉積層的厚度？A.光學(xué)顯微鏡B.超聲波測(cè)厚儀C.X射線衍射（XRD）D.熱重分析（TGA）16.CVD過(guò)程中，以下哪種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致沉積層出現(xiàn)針孔缺陷？A.溫度過(guò)高B.原料流量過(guò)大C.基板未清潔D.壓力過(guò)高17.以下哪種前驅(qū)體常用于沉積金剛石薄膜？A.甲烷（CH?）B.乙炔（C?H?）C.乙烯（C?H?）D.丙烷（C?H?）18.CVD設(shè)備中，真空系統(tǒng)的作用是？A.提供反應(yīng)氣體B.排除反應(yīng)副產(chǎn)物C.增加原料消耗D.提高設(shè)備成本19.沉積層的應(yīng)力問(wèn)題主要與以下哪個(gè)因素?zé)o關(guān)？A.沉積速率B.晶格匹配C.前驅(qū)體化學(xué)計(jì)量比D.設(shè)備類(lèi)型20.以下哪種方法常用于提高CVD沉積層的均勻性？A.增加反應(yīng)時(shí)間B.優(yōu)化氣體流量C.降低基板溫度D.使用較便宜的原料---二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10分）21.CVD技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)包括？A.沉積速率快B.可沉積多種材料C.沉積層純度高D.設(shè)備成本低22.影響CVD沉積層質(zhì)量的參數(shù)包括？A.溫度B.壓力C.前驅(qū)體濃度D.設(shè)備類(lèi)型23.CVD設(shè)備中，常用的反應(yīng)氣體包括？A.SiH?B.N?C.NH?D.H?24.沉積層的缺陷可能包括？A.氣孔B.空洞C.晶界D.針孔25.提高CVD沉積層附著力的方法包括？A.增加基板溫度B.優(yōu)化前驅(qū)體選擇C.提高沉積速率D.基板預(yù)處理---三、判斷題（每題1分，共10分）26.CVD技術(shù)只能在高溫下進(jìn)行沉積。（×）27.氮化硅（Si?N?）可以通過(guò)CVD方法沉積。（√）28.CVD沉積層的厚度與沉積時(shí)間成正比。（√）29.PECVD比傳統(tǒng)CVD的沉積速率更慢。（×）30.沉積層的應(yīng)力問(wèn)題通?？梢酝ㄟ^(guò)增加沉積速率來(lái)解決。（×）31.石英爐管適用于高溫CVD設(shè)備。（√）32.CVD過(guò)程中，原料的純度對(duì)沉積層質(zhì)量影響不大。（×）33.沉積層的晶粒尺寸與沉積溫度成正比。（√）34.CVD設(shè)備中，真空度越高越好。（×）35.沉積層的均勻性與氣體流量無(wú)關(guān)。（×）---四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）36.簡(jiǎn)述化學(xué)氣相沉積（CVD）的基本原理。37.比較熱壁式CVD與冷壁式CVD的優(yōu)缺點(diǎn)。38.列舉三種常用的CVD沉積材料及其應(yīng)用領(lǐng)域。39.簡(jiǎn)述提高CVD沉積層附著力常用的方法。---五、論述題（每題10分，共20分）40.闡述CVD過(guò)程中沉積速率的影響因素及調(diào)控方法。41.分析CVD沉積層常見(jiàn)缺陷的產(chǎn)生原因及解決措施。---答案及解析一、單項(xiàng)選擇題1.C2.C3.C4.C5.B6.B7.A8.D9.B10.A11.A12.A13.B14.D15.B16.C17.A18.B19.D20.B二、多項(xiàng)選擇題21.ABC22.ABCD23.ABCD24.ABD25.ABCD三、判斷題26.×27.√28.√29.×30.×31.√32.×33.√34.×35.×四、簡(jiǎn)答題36.化學(xué)氣相沉積（CVD）的基本原理：CVD通過(guò)氣態(tài)前驅(qū)體在高溫或等離子體作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)沉積物并覆蓋在基板上。主要步驟包括：-原料氣體的輸運(yùn)至反應(yīng)區(qū)；-前驅(qū)體在高溫下分解或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；-產(chǎn)物沉積在基板上，副產(chǎn)物排出系統(tǒng)。37.熱壁式CVD與冷壁式CVD的優(yōu)缺點(diǎn)：-熱壁式CVD：優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低；缺點(diǎn)：沉積層均勻性差、易污染。-冷壁式CVD：優(yōu)點(diǎn)：沉積均勻性好、污染少；缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜、成本高。38.常用CVD沉積材料及其應(yīng)用：-氮化硅（Si?N?）：半導(dǎo)體器件的絕緣層；-二氧化硅（SiO?）：芯片的鈍化層；-金剛石薄膜：耐磨涂層、光學(xué)器件。39.提高CVD沉積層附著力方法：-優(yōu)化前驅(qū)體選擇；-增加基板溫度；-基板預(yù)處理（如清洗、活化）；-調(diào)節(jié)沉積速率。五、論述題40.沉積速率的影響因素及調(diào)控方法：沉積速率受以下因素影響：-溫度：溫度越高，反應(yīng)速率越快；-壓力：壓力影響氣體分子碰撞頻率；-前驅(qū)體濃度：濃度越高，沉積速率越快；-反應(yīng)氣體流量：流量越大，沉積速率越快。調(diào)控方法：-優(yōu)化溫度曲線；-調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量；-控制反應(yīng)壓力；-選擇合適的前驅(qū)