標(biāo)準(zhǔn)解讀

《T/CIE 152-2022 微電子器件假冒翻新物理特征識(shí)別方法與程序》這一標(biāo)準(zhǔn)旨在提供一套系統(tǒng)化的方法和步驟，用于識(shí)別微電子器件是否為假冒或經(jīng)過非法翻新的產(chǎn)品。該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈中可能出現(xiàn)的假冒偽劣問題，通過定義一系列物理檢測(cè)手段來幫助行業(yè)參與者辨別真?zhèn)巍?/p>

首先，標(biāo)準(zhǔn)明確了適用范圍，涵蓋了各種類型的微電子元件，包括但不限于集成電路、分立半導(dǎo)體等。它強(qiáng)調(diào)了在采購(gòu)、使用前對(duì)這些組件進(jìn)行驗(yàn)證的重要性，以確保產(chǎn)品質(zhì)量符合預(yù)期，并防止?jié)撛诘陌踩[患。

接著，文件詳細(xì)描述了多種可用于鑒別真假及翻新產(chǎn)品狀態(tài)的技術(shù)手段。其中包括但不限于外觀檢查（如標(biāo)記清晰度、包裝完整性）、X射線透視分析、顯微鏡觀察、以及化學(xué)成分測(cè)試等。每種技術(shù)都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)要求，且需由具備相應(yīng)專業(yè)知識(shí)背景的人員操作執(zhí)行。

此外，《T/CIE 152-2022》還規(guī)定了一套完整的識(shí)別流程，從樣品準(zhǔn)備到最終報(bào)告出具都給出了明確指導(dǎo)。這包括如何正確地收集樣本、選擇合適的檢測(cè)方法、記錄并分析數(shù)據(jù)，直至根據(jù)結(jié)果做出判斷。整個(gè)過程強(qiáng)調(diào)了準(zhǔn)確性與客觀性，力求減少人為因素帶來的誤差。

最后，標(biāo)準(zhǔn)指出，所有相關(guān)活動(dòng)都應(yīng)遵循一定的管理規(guī)范，比如建立文檔管理體系、保護(hù)客戶隱私信息等。同時(shí)鼓勵(lì)企業(yè)之間加強(qiáng)合作交流，共同提升行業(yè)內(nèi)對(duì)于假冒翻新產(chǎn)品的防范能力。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-12-31 頒布
  • 2023-01-31 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS19020

CCSL.74

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE152—2022

微電子器件假冒翻新物理特征識(shí)別方法

與程序

Testmethodandprocedureforidentificationofphysicalcharacteristicsof

fakeandcounterfeitmicroelectronicsdevices

2022-12-31發(fā)布2023-01-31實(shí)施

中國(guó)電子學(xué)會(huì)發(fā)布

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE152—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

縮略語(yǔ)

4……………………2

方法與程序

5………………2

識(shí)別流程

5.1……………2

外部特征分析

5.2………………………3

內(nèi)部特征分析射線檢查法

5.3(X)……………………5

內(nèi)部特征分析聲學(xué)掃描顯微鏡檢查法

5.4()…………5

內(nèi)部微觀特征分析

5.5…………………6

附錄資料性典型圖片

A()………………8

參考文獻(xiàn)

……………………12

Ⅰ

T/CIE152—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所中國(guó)空間技術(shù)研究院天津大學(xué)武漢大學(xué)廣

:、、、、

東工業(yè)大學(xué)深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司

、。

本文件主要起草人周帥馬凌志邱寶軍羅宏偉王小強(qiáng)王斌羅捷羅軍林曉玲武慧薇崔華楠

:、、、、、、、、、、、

馬凱學(xué)吳裕功蔡念常勝溫長(zhǎng)清

、、、、。

Ⅲ

T/CIE152—2022

引言

微電子器件的假冒翻新現(xiàn)象日益泛濫制假以次充好的手段層出不窮而目前國(guó)內(nèi)尚未有微電子

,、。

器件假冒翻新物理特征識(shí)別方法的國(guó)標(biāo)軍標(biāo)及行標(biāo)也沒有形成統(tǒng)一流程化的識(shí)別指南造成行業(yè)內(nèi)

、,、,

的檢測(cè)人員器件使用人員僅依據(jù)現(xiàn)有的元器件破壞性物理分析失效分析的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或方法開展工

、、

作無法準(zhǔn)確有效地識(shí)別微電子器件的假冒翻新特征本文件規(guī)定了微電子器件假冒翻新物理特征識(shí)

,。

別方法與程序用以指導(dǎo)微電子器件行業(yè)的各方人員開展微電子器件的假冒翻新物理特征識(shí)別工作

,。

Ⅳ

T/CIE152—2022

微電子器件假冒翻新物理特征識(shí)別方法

與程序

1范圍

本文件規(guī)定了微電子器件假冒翻新物理特征識(shí)別方法與程序包括外部特征分析內(nèi)部特征分析以

,、

及內(nèi)部微觀特征分析

。

本文件適用于塑封及氣密封裝的微電子器件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導(dǎo)體集成電路外形尺寸

GB/T7092

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB9178

膜集成電路和混合膜集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T12842

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548B

軍用電子元器件破壞性物理分析方法

GJB4027A—2006

半導(dǎo)體器件機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法第部分塑封電子器件的聲學(xué)顯微檢測(cè)方

IEC60749-3535:

法

(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part35:Acousticmicroscopyfor

plasticencapsulatedelectroniccomponents)

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GJB548B、GB9178GB/T12842。

31

.

假冒counterfeit

通過特定的加工處理在產(chǎn)品的外形安裝功能和等級(jí)方面作假以此冒充某品牌的同一生產(chǎn)批

,、、,

次同型號(hào)或質(zhì)量

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