全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析_第1頁
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析_第2頁
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析_第3頁
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析_第4頁
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析_第5頁
已閱讀5頁,還剩40頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀分析

半導(dǎo)體是數(shù)字經(jīng)濟的基石,對全球信息科技產(chǎn)一業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。此

篇報告作為我們中觀科技產(chǎn)業(yè)系列專題報告的開篇,我們將從宏觀到

中觀,通過復(fù)盤全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程,對我們基于供給和需求

視角的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析框架進行詳細闡釋,對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的

成長性、周期性進行觀察總結(jié)和實證分析,對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價值鏈

分布、全球市場現(xiàn)狀與特征,以及中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與問題進

行詳細歸納。通過與美國等海外地區(qū)對比,發(fā)現(xiàn)中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

鏈的不足;通過對全球產(chǎn)業(yè)趨勢的分析,來理解當下中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

的發(fā)展機遇。

分析框架:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供給端由企業(yè)主導(dǎo),需求端由下游應(yīng)用領(lǐng)

域主導(dǎo),供給、需求和貿(mào)易共同創(chuàng)造了銷售市場,需求波動向上傳導(dǎo)

的時間差造成了企業(yè)和渠道商的庫存。企業(yè)的邊際盈利能力變化傳導(dǎo)

到二級市場,與其他因素交織共同影響了股價波動。在整個框架中,

技術(shù)是根因,技術(shù)迭代降低制造成本并創(chuàng)造下游電子設(shè)備需求,促進

信息科技產(chǎn)業(yè)持續(xù)繁榮發(fā)展。復(fù)盤歷史:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從上世紀四

五十年代在美國起源后開始蓬勃發(fā)展,在成長過程中歷經(jīng)了從美國到

日木,從日木到韓國和中國臺灣,以及再到中國大陸的三次產(chǎn)業(yè)區(qū)域

轉(zhuǎn)移。在此過程中,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工不斷細化,從IDM到Fabless,

純晶圓代工模式出現(xiàn)。同時,全球半導(dǎo)體市場下游歷經(jīng)多輪增長周期,

從1976年的約29億美元成長202倍到2022年的5832億美元,下

游已經(jīng)滲入到消費電子、計算機、通信、汽車、工業(yè)等多個應(yīng)用領(lǐng)域,

成為信息科技產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟的基石。

成長與周期:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過幾十年的發(fā)展,已經(jīng)從快速增長的

成長行業(yè)轉(zhuǎn)變?yōu)闈u進式增長的成熟行業(yè),成長性逐漸變?nèi)?,周期性?/p>

斷增強。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局集中度不斷提升,頭部企業(yè)成長速度放

緩但盈利能力變強。周期性方面,我們從長期、中期和短期三個維度

進行拆解:(1)在長期維度上,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要受技術(shù)迭代因

素影響,呈現(xiàn)出約10年左右的產(chǎn)品周期,宏觀經(jīng)濟波動對這一特征

進行加強;(2)在中期維度上,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要受企業(yè)資本開

支驅(qū)動,表現(xiàn)出約3至4年的產(chǎn)能周期;(3)在短期維度上,半導(dǎo)

體銷售市場短期供需錯配導(dǎo)致企業(yè)庫存波動,呈現(xiàn)出約3至6個季度

的庫存周期。產(chǎn)業(yè)鏈:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計、制造、封測三大

核心環(huán)節(jié),和基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料三大支撐環(huán)節(jié),

以及多種下游應(yīng)用領(lǐng)域。在價值量分布上,呈現(xiàn)出“設(shè)計>晶圓制造

>設(shè)備〉封測〉材料”的特征。在區(qū)域分布上,主要與各區(qū)域生產(chǎn)要

素優(yōu)勢類型有關(guān):(1)設(shè)計、設(shè)備等研發(fā)密集型環(huán)節(jié),主要由美國、

歐洲等區(qū)域主導(dǎo);(2)材料和晶圓制造等資本開支密集型環(huán)節(jié),主

要由歐美以外地區(qū)主導(dǎo);(3)封裝測試等資木開支和勞動力密集型

環(huán)節(jié),主要由中國大陸主導(dǎo)。

市場結(jié)構(gòu):分地區(qū)來看,亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體銷售額中超過60%,

而中國大陸在亞太市場份額最高,2021年以1877億美元銷售額成

為全球半導(dǎo)體產(chǎn)品最大消費地區(qū)。從供給端來看,美國在全球半導(dǎo)體

市場供應(yīng)端占據(jù)接近一半份額。分產(chǎn)品來看,集成電路占半導(dǎo)體產(chǎn)品

銷售額的比重維持在80%以上,其中邏輯IC和存儲IC比重最高,

MCU份額呈下降趨勢。分下游應(yīng)用來看,計算機和通信是主要應(yīng)用

領(lǐng)域,不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域的占比有所區(qū)別。中國

大陸現(xiàn)狀:中國大隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚,目前在全球市場份額第一

且仍保持上升趨勢。中國大陸在供給端較為薄弱,IC產(chǎn)值雖然快速

增長,但自給率水平仍然不高。去除大陸之外廠商在內(nèi)地的晶圓廠貢

獻的產(chǎn)值,中國本土廠商對市場的供給比例2021年僅為6.6%左右。

此外,從進出口的角度看,中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)品貿(mào)易逆差仍在擴大,

進口高端芯片、出口低端芯片現(xiàn)象仍然顯著,半導(dǎo)體產(chǎn)品在整體進口

金額占比也屢創(chuàng)新高。

海內(nèi)外對比:從產(chǎn)業(yè)投資力度來看,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為依賴研發(fā)投入,

在全行業(yè)中研發(fā)支出占收入比重最高。分地區(qū)對比,美國在全球主要

國家和地區(qū)中研發(fā)投入最高,中國大陸最低。對比中外半導(dǎo)體企業(yè),

中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)龍頭公司與海外龍頭公司相比在收入

規(guī)模與盈利水平等方面仍然存在一定的差距。產(chǎn)業(yè)趨勢:(1)長期

來看,量子隧穿效應(yīng)導(dǎo)致的物理極限和先進制程工藝成本陡增等因素

致使集成電路沿摩爾定律發(fā)展的經(jīng)驗規(guī)律迎來瓶頸,臺積電先進制程

的新工藝收入占比提升速度不及前代、滲透速度或?qū)p緩。集成電路

進入后摩爾時代后,技術(shù)迭代速度放緩,中國有望通過先進封裝和

Chiplet等技術(shù)實現(xiàn)加速追趕。(2)中期來看,2020年新冠疫情大

流行對全球半導(dǎo)體市場造成了先緊后松的局面,加劇了市場需求波動,

是指集成電路芯片,因此絕大多數(shù)時候,芯片、集成電路、IC等術(shù)

語可以混用。

091:半導(dǎo)體和集成電路定義電,

2.2.產(chǎn)品類型:芯片功能向集成化趨勢發(fā)展

半導(dǎo)體產(chǎn)品類型繁多,通常按照WSTS統(tǒng)計數(shù)據(jù),分為集成電路、

分立器件、光電子器件、傳感器共4大類,1)集成電路,即通常所

稱的芯片,英文簡稱IC或Chip,占據(jù)半導(dǎo)體銷售額的絕大部分,主

要包括模擬芯片和數(shù)字芯片。模擬芯片,主要是指由電阻、電容、晶

體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理連續(xù)函數(shù)形式模擬信號

的集成電路,主要包括以放大器、比較器、接口IC等為代表的信號

鏈類芯片,和以驅(qū)動IC、交直流轉(zhuǎn)換(AC/DC、DC/DC、DC/AC等)、

充電/電池管理IC等為代表的電源管理類芯片。

數(shù)字芯片,是對離散的數(shù)字信號進行算術(shù)和邏輯運算的集成電路,其

基本組成單位為邏輯門電路,包括邏輯芯片、微處理器和存儲芯片三

大類。(1)邏輯芯片,廣義上可以是所有采用邏輯門的大規(guī)模集成

電路,這里主要是指僅包含邏輯運算能力的集成電路,包括以CPU、

GPU為代表的通用計算芯片、專用芯片(ASIC等)和FPGA等。

(2)存儲芯片,主要承擔數(shù)據(jù)存儲功能,包括易失性存儲和非易失

性存儲,易失性存儲主要以隨機存取器RAM為主,使用量最大的為

動態(tài)隨機存儲DRAM;非易失性存儲較為常見的是NORFIash與

NANDFIashoNORFIash的讀取速度較快,被廣泛用十代碼存儲的

主要器件,NANDFIash則在高容量時具有成本優(yōu)勢,是目前SSD固

態(tài)硬盤的主要存儲介質(zhì)。(3)微處理器(MPU),主要是指將計算、

存儲等多種功能封裝成一個芯片之上的微控制單元(MCU)。

圖4:常見數(shù)字芯片示例

GPUDPU

DRAM內(nèi)存條NANDFlash硬盤MCU

2)分立器件,是相對于集成電路而言的半導(dǎo)體另一大產(chǎn)品分支。分

立器件早于集成電路出現(xiàn),至今仍然被廣泛地應(yīng)用在消費電子、計算

機、通信、汽車電子等廣泛領(lǐng)域。分立器件可分為普通二極管、三極

管、以電容/電阻/電感為代表的三大被動元件,和占據(jù)分立器件主要

地位的功率器件。功率半導(dǎo)體分為功率IC和功率器件,功率IC主要

以電源管理類模擬IC為主,功率器件主要包括功率二極管、晶管、

功率晶體管等類型。其中,功率晶體管還可細分為雙極結(jié)型晶體管

(BT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(FET)、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶

體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等多種類型,主

要用于放大器、大功率半導(dǎo)體開關(guān)和逆變器等場景。

3)光電子器件,主要是指利用光子■電子轉(zhuǎn)換效應(yīng)(光電效應(yīng))設(shè)計

的功能器件,可大致分為光電導(dǎo)器件、光器件、發(fā)光器件和受光器件。

光電導(dǎo)器件包括光電阻、光電二極管、光電三極管等,其中光電二極

管是構(gòu)成CCD和CMOS圖傳感器的基本單元。光器件是利用光效

應(yīng)進行工作的半導(dǎo)體器件,主要包括光電池、光電測與光電控制器件

等。發(fā)光器件,主要包括發(fā)光二極管(ED)和半導(dǎo)體光器。ED按化

學(xué)性質(zhì)又分有機發(fā)光二極管OED和無機發(fā)光二極管ED,最初用于

儀器儀表的指示性照明,后來用作文字或數(shù)字顯示,近些年又發(fā)展出

mini?ED和micro-ED等新技術(shù)。半導(dǎo)體光器,也稱光二極管(D),

可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種類型,主要用作光通信、

光存儲、光陀螺、光卬、測距以及雷達等領(lǐng)域。半導(dǎo)體光器可以按照

材料、波長、功率、發(fā)方式等多種維度分類,其中VSCE光器得益

于3D結(jié)構(gòu)光(蘋果FacelD采用的方案)和iDAR等下游應(yīng)用場景

的拓展而在近幾年市場規(guī)??焖侔l(fā)展。受光器件,即接受光信號轉(zhuǎn)換

為電信號的光電器件,主要包括圖傳感器、紅外接收器、光電倍增管

等產(chǎn)品,在下游應(yīng)用產(chǎn)品中通常與發(fā)光器件集成在一起使用。

4)半導(dǎo)體傳感器,是指利用半導(dǎo)體材料物理、化學(xué)、生物特性制成

的傳感器,按照信號感知方式,可以分為溫度傳感器、度傳感器、力

傳感器等多種類型。傳感器作為數(shù)字世界的眼耳口鼻,在幾乎所有行

業(yè)都有著廣泛的應(yīng)用場景。除以上分類外,半導(dǎo)體產(chǎn)品還有多種分類

維度,例如按照下游需求場景可分為民用級(消費級)、汽車級(車

規(guī)級)、工業(yè)級、軍工級和航天級等。半導(dǎo)體產(chǎn)品向功能集成化趨勢

發(fā)展。隨著智能手機、智能手表、TWS耳機等下游消費電子應(yīng)用對

芯片性能、功能和集成度的要求越來越高,半導(dǎo)體產(chǎn)品功能集成化發(fā)

展成為重要趨勢,出現(xiàn)了諸如片上系統(tǒng)芯片(SoC)、芯片(RF)、

電源管理芯片(PMIC)等將傳統(tǒng)單一半導(dǎo)體芯片的多種功能?;?/p>

成化的芯片類型。例如高通驍龍8Gen1SoC集成了CPU、GPU、ISP、

5GRF等多種數(shù)字和模擬芯片模,恩智浦PMIC芯片集成了多種模擬

電路功能。

圖8:思智浦PMIC芯片架構(gòu)圖

2xLowVoltageBUCK

OTP

1xHighVoltage

BUCKcontrolier

IxLowVonageLDO

cv

vs

ocOTP2xReset

srcIntedsceManagement

uCRCOutput

wf

u.

2.3.研究框架:基于供給與需求視角的產(chǎn)業(yè)分析框架

供給端:供給端由企業(yè)主導(dǎo),企'業(yè)的供給能力主要由不同階段的固有

產(chǎn)能和產(chǎn)線整體的產(chǎn)能利用率決定,其他戾定供給能力的因素還包括

庫存水平、上游原材料供應(yīng)情況等。產(chǎn)能主要由企業(yè)資本開支決策、

國家或地IX的產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)政策等因素決定。常見的產(chǎn)業(yè)政策類型包括國

民經(jīng)濟計劃(包括指令性計劃和指導(dǎo)性計劃)、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整計劃、

產(chǎn)業(yè)扶持計劃、財政投融資等。當產(chǎn)能利用率持續(xù)高企,甚至長時間

以最高水平運行時,或者企業(yè)判斷未來較長時間內(nèi)需求端較為旺盛時,

會增加資本支出預(yù)算,升級改造舊產(chǎn)線或新建產(chǎn)線,以提升未來產(chǎn)能。

需求端:半導(dǎo)體產(chǎn)品的下游需求包括消費電子、計算機/服務(wù)器、汽

車、工業(yè)等多個領(lǐng)域,但各領(lǐng)域最下游的應(yīng)用端多由個人消費者主導(dǎo)。

需求端的影響因素包括宏觀經(jīng)濟、政治、區(qū)域文化、產(chǎn)業(yè)政策、產(chǎn)品

迭代等因素,其中產(chǎn)業(yè)政策多為消費類政策,產(chǎn)品迭代主要由消費者

和系統(tǒng)集成商共同推動,而技術(shù)進步是產(chǎn)品迭代的根本因素。

銷售市場:供給、需求和貿(mào)易共同創(chuàng)造了銷售市場,同時市場供需的

變化也會及時向上反饋給供給和需求,起到一定的調(diào)節(jié)作用。例如:

產(chǎn)品銷量較好,企業(yè)庫存水位下降,將會提升產(chǎn)線稼動率,以增加庫

存補給;產(chǎn)品價格下降,將會對價格感型人群的消費決策產(chǎn)生較大的

影響,進而影響總需求。社會庫存:供給端的企業(yè)通常有直銷和經(jīng)銷

兩種銷售模式,直銷模式下企業(yè)直接將產(chǎn)品銷售給客戶,經(jīng)銷模式下

企業(yè)通過層層經(jīng)銷商將產(chǎn)品銷售給客戶。經(jīng)銷商(或者稱渠道商、貿(mào)

易商、流通企業(yè)等)可以促進產(chǎn)品流通效率、分擔企業(yè)庫存風(fēng)險,同

時獲取部分利潤。因此整個供給端庫存,可以分為生產(chǎn)廠商庫存和流

通企業(yè)庫存(也稱渠道庫存),二者共同構(gòu)成了總的社會庫存。二級

市場:銷售市場上整體行業(yè)的銷售額和利潤,由規(guī)模大小不等的企業(yè)

共同貢獻,企業(yè)的邊際盈利變化與資本市場對企業(yè)值水平的判斷,共

同影響了企業(yè)股價走勢,同時各企業(yè)股價變化疊加其權(quán)重因子共同決

定了行業(yè)指數(shù)的波動周期。另外,企業(yè)盈利能力和值的變化,同時也

在一定程度上影響企業(yè)投資決策,進而影響到產(chǎn)能端的資本開支節(jié)奏。

技術(shù)因素:隨著科技的發(fā)展和知識產(chǎn)權(quán)制度的建立,技術(shù)也作為相對

獨立的要素投入生產(chǎn),成為第四大生產(chǎn)要素。對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,

制造端的技術(shù)進步最為重要。隨著制程節(jié)點按照摩爾定律演進,性能

更高、功耗更小、更加輕巧的芯片使下游各類應(yīng)用成為現(xiàn)實,新產(chǎn)品

不斷涌現(xiàn),產(chǎn)品迭代促進了消費需求,維持整個產(chǎn)業(yè)不斷成長。

2.4.發(fā)展特征:產(chǎn)業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移與分工模式細化

1)從電子管到晶體管,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起源。19世紀60年代后期開

始的第二次工業(yè)革命,使人類進入了電時代。電時代以電子設(shè)備為載

體,電路則是電子設(shè)備的核心。1904年美國弗萊明發(fā)明了具有整流

和波兩種作用真空電子二極管,1907年美國福雷斯特制造出的第一

只真空電子三極管,成為后來無線電發(fā)機和接收機的核心部件。自此,

人們可以使用真空電子管構(gòu)建電子設(shè)備的電路系統(tǒng),并在1946年成

功研發(fā)出人類歷史上第一臺基于電子真空管的數(shù)字積分計算機

(ENIAC),每秒可執(zhí)行5000次加法運算。僅1年后的1947年12

月,美國貝爾實驗室由肖克利、巴丁和布拉頓組成的固體物理小組成

功研發(fā)出點接觸型錯三極管,是世界上第一個晶體管,人類自此進入

晶體管電路時代。

aio:金*率導(dǎo)體美/大局女事件機JK

1tS44IMS4mt41t744

■一?電,?紂雄何魚”?今?鼻展體■x■,?京,?4?*?4*AM)^4A三?t一?隼,體50%

BKEMACM1早餐?宜★■■-0▲修?計<??<?<▲tt?.■入軍,修

OQOQQOQOQQ

1MMMS#1M74195a41MS41t714

?*泉?駕&*悅8★■■-&英"卡"啟■

?三■??代”登▲修?&??繪成414004

2020420074200041M341M14

?M電?工JL?C?*Fhont.#4電*<HBMI>AMBM

t^s?wi?ii*色今?.終之<.<f1<^5iso:與leoee

QQQQQQQQQQQ

20224201”20034im41M741”“

?M電加ASXf^EUV€tK.AflX0M電,ASMLAQ7??!?士(Morc?256.電

3nm*^3nm?f<^fAHM?史加久且*級由8U?9

2)從晶體管到集成也路,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大發(fā)展。晶體管的發(fā)明開創(chuàng)

了微電子學(xué)的先河,很快受到市場青睞。1954年,貝爾實驗室發(fā)明

第一臺晶體管計算機。1957年,舊M開始銷售使用了3000個銘晶

體管的608計算機,這是世界上第一種投入商用的計算機,同年,

被譽為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),,西點軍校,,的仙童半導(dǎo)體在硅谷創(chuàng)立,奠定了美國

硅谷的發(fā)展基礎(chǔ)。1958年9月,德州儀器的基爾比發(fā)明了第一款基

于錯晶體管的集成電路,標志著集成電路的誕生。1959年7月,仙

童公司的諾伊斯申請了基于硅平面工藝的集成電路專利,奠定了集成

電路大批量產(chǎn)的技術(shù)基礎(chǔ),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自此開始快速發(fā)展:1965年,

摩爾在當年第35期《電子》雜志上發(fā)表了著名的“摩爾定律”;1968、

1969年,摩爾、諾伊斯和桑德斯相繼離開仙童半導(dǎo)體,分別創(chuàng)立了

英特爾和AMD,并開了兩家公司數(shù)十年競爭史;1971年英特爾推出

第一款商用處理器此到4004,1978年推出X86芯片鼻祖lntel8086,

并在1981年被舊M用于第一款個人電舊M5150H,取得了巨大的

商業(yè)成功。而后隨著小型計算機步入千家萬戶、晶圓代工模式創(chuàng)新發(fā)

展和微納制程節(jié)點不斷突破,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大。

3)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三次區(qū)域遷移:美國―日本-韓國&中國臺灣T中

國大陸。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國起源后,伴隨地緣政治、地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策、

制造模式變革等多種因素,經(jīng)歷了三次產(chǎn)業(yè)重心的轉(zhuǎn)移。(1)1950

年代到1960年代,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國本土起源并蓬勃發(fā)展。最初晶

體管產(chǎn)品在美國僅被用于軍事用途,后來德州儀器發(fā)明IC,計算機

成本不斷下降、性能不斷提升,集成電路規(guī)模不斷提升,1967年

DRAM和NVSM開始作為計算機的核心存儲器問世,美國硅谷引領(lǐng)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。(2)第一次轉(zhuǎn)移,從創(chuàng)新國美國到日本。1976

年3月,日本政府以富士通、日立、三菱、NEC和東芝五家公司為

核心,合日本工業(yè)技術(shù)研究員、電子綜合研究所和計算機綜合研究所

共同實'超大規(guī)模集成電路研究計劃”(VSI),該計劃取得了巨大成

功,日本超越美國、一躍成為世界第一的DRAM大國,半導(dǎo)體主要

市場從美國轉(zhuǎn)移至日本。但70年代末,美國在半導(dǎo)體設(shè)計、設(shè)備、

材料等上游環(huán)節(jié)仍然保持著較大的技術(shù)領(lǐng)先實力。(3)第二次轉(zhuǎn)移,

從日本到韓國和中國臺灣。1969年,韓國電子工業(yè)振興法及電子工

業(yè)振興8年計劃的出臺為擴大電子產(chǎn)品的生產(chǎn)確立了強有力的政府

支援體制。此后,三電子、G、現(xiàn)代電子開始致力于半導(dǎo)體產(chǎn)品的生

產(chǎn)。70年代美國、日本的半導(dǎo)體公司在韓國建立了存儲芯片組裝廠,

由此奠定了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基礎(chǔ)。1974年,三收了韓國半導(dǎo)

體公司50%的股份,初步進入半導(dǎo)體行業(yè);1977年收剩余50%股份,

同時收當時在韓國市場處于領(lǐng)先地位的仙童半導(dǎo)體子公司,獲得其芯

片加工技術(shù),在半導(dǎo)體行業(yè)逐漸贏得一席之地。1983年,韓國政府

對外發(fā)布“進軍SI領(lǐng)域(DRAM)的計劃”,通過四年時間掌握了

256KDRAM技術(shù),并通過向日本大量進口高性能制造設(shè)備,快速壯

大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),最終三在16MDRAM市場超過H本。而與此同時,

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模的壯大,為產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)分工細化下基礎(chǔ),1987

年張忠謀從德州儀器離開后在中國臺灣創(chuàng)立了臺積電,推動半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)由IDM模式向晶圓代工模式的轉(zhuǎn)變。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心從E本

逐漸轉(zhuǎn)移到韓國和中國臺灣。(4)第三次轉(zhuǎn)移,從韓國、中國臺灣

向中國大陸轉(zhuǎn)移。2001年后,隨著加入世貿(mào)組織,中國大陸逐漸深

度參與到全球產(chǎn)業(yè)中。半導(dǎo)體下游應(yīng)用從臺式機逐漸拓展到筆記本電、

手機等各類電子設(shè)備,終端產(chǎn)品更加復(fù)雜多樣。美國、日本、韓國等

地區(qū)逐漸把勞動力密集型的封裝、測試等環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移到中國大陸。中國

大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了低端組裝和制造承送、長期的技術(shù)引進和消化

吸收、高端人才培育等較長時間周期,逐步完成了原始積累,并以國

家戰(zhàn)略及產(chǎn)業(yè)政策為驅(qū)動力,推動半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈高速發(fā)展。

4)從到晶圓代工,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈走向細化分工。最初,半導(dǎo)體廠商

均為垂直整合制造商(IDM),即自己完成設(shè)計、制造、封裝測試等

所有環(huán)節(jié)。隨著1987年臺積電設(shè)立6英寸晶圓代工廠,中國臺灣地

區(qū)率先進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)分工階段,并開始承接以美國半導(dǎo)體公司

為主的全球半導(dǎo)體產(chǎn)品廠商的委托制造業(yè)務(wù),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成了以美

國為主的負責設(shè)計的Fabless廠商,和以中國臺灣為主的負責制造

Foundry廠商進行分工作的局面。中國臺灣憑借專業(yè)代工,成為世界

半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)基地。

2.5.從宏觀總量到中觀產(chǎn)業(yè):半導(dǎo)體是數(shù)字經(jīng)濟的基石

2.5.1.數(shù)字經(jīng)濟:傳統(tǒng)P的數(shù)字化部分,比重高、增長快

數(shù)字經(jīng)濟是以數(shù)字化的知識和信息為關(guān)鍵生產(chǎn)要素,以數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新

為核心驅(qū)動力,以現(xiàn)代信息網(wǎng)絡(luò)為重要載體,通過數(shù)字技術(shù)與實體經(jīng)

濟深度融合,不斷提高傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化水平,加速重構(gòu)經(jīng)濟

發(fā)展與政府治理模式的新型經(jīng)濟形態(tài)。

S13:從友/馬充用十山牛導(dǎo)體,金:GDP.數(shù)乎收濟.科權(quán)估名/*A4號體

?伯$1枚,金AH?

廣》■■■■

依中,生it?代字化?代字牝心雙

■才?速?電館域■?代傳繪名的停金G中包-X&WJT工

?伐&今?口?

4,?人工

??<

金4fa

■f$

.「y?

?jQ

?4R?t??

???金,大

*電—“X■WA

I卜44“*,、計處■子統(tǒng)。}-??<

/*M

U1UA*??伸

一n值,

a<<<

C4<m?

館兒傳?/裝件/ft鳥&加,分

?■.;?.“?義?

電子C“蜃電/?局一

amM?制?

RX

根據(jù)信通院白皮書,2021年全球47個主要經(jīng)濟體數(shù)字經(jīng)濟規(guī)模為

38.1萬億美元,較2020年增長5.1萬億美元,數(shù)字經(jīng)濟占GDP比

重為45.0%,較2020年提升1個百分點c2021年全球數(shù)字經(jīng)濟在

第一產(chǎn)業(yè)滲透率為8.6%,在第二產(chǎn)業(yè)滲透率為24.3%,在第三產(chǎn)業(yè)

滲透率為46.3%。在增速上,數(shù)字經(jīng)濟成為全球經(jīng)濟增長的主要動力

之一,2021年全球47個經(jīng)濟體數(shù)字經(jīng)濟同比名義增長15.6%,高

于同期GDP名義增速2.5個百分點,有效支撐全球經(jīng)濟持續(xù)復(fù)蘇。

數(shù)字經(jīng)濟包括數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化和數(shù)字化治理三大部分。數(shù)字

產(chǎn)業(yè)化,即信息通信產(chǎn)業(yè),具體包括傳統(tǒng)GDP結(jié)構(gòu)中第二產(chǎn)業(yè)下面

的電子信息制造業(yè),和第三產(chǎn)業(yè)下血的電信業(yè)、軟件和信息技術(shù)服務(wù)

業(yè)、互網(wǎng)行業(yè)等;產(chǎn)業(yè)數(shù)字化,即傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)由于應(yīng)用數(shù)字技術(shù)所帶來

的生產(chǎn)數(shù)量和生產(chǎn)效率提升,其新增產(chǎn)出構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟的重要組成部

分;數(shù)字化治理,包括治理模式創(chuàng)新,利用數(shù)字技術(shù)完善治理體系,

提升綜合治理能力等。產(chǎn)業(yè)數(shù)字化依然是全球數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的主導(dǎo)力

量,數(shù)字技術(shù)加速向傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)滲透。根據(jù)信通院數(shù)據(jù),2021年全球

47個主要經(jīng)濟體數(shù)字產(chǎn)業(yè)化規(guī)模為5.7萬億美元,占數(shù)字經(jīng)濟比重

為15%,占GDP比重為6.8%,產(chǎn)業(yè)數(shù)字化規(guī)模為32.4萬億美元,

占數(shù)字經(jīng)濟比重為85%,占GDP比重約為38.2%。盡管產(chǎn)業(yè)數(shù)字化

占比較高,但傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型的核心支撐仍然是信息科技產(chǎn)業(yè)。

2.5.2.信息科技產(chǎn)業(yè):數(shù)字經(jīng)濟的重要支撐和組成部分

美國信息科技產(chǎn)業(yè)增加值在P中百分比接近中國2倍。美國經(jīng)濟分

析局將“信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)”在傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)劃分框架外單列,2021

年美國“信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)”增加值占其GDP比重約為7.6%。中

國國家統(tǒng)計局將“信息傳、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)”列示在第三產(chǎn)業(yè)下

面,2021年中國“信息傳、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)”占GDP比重約為

3.9%o我們忽略可能存在的細微統(tǒng)計口徑差異,將以上數(shù)據(jù)理解為

兩國“信息科技產(chǎn)業(yè)”占GDP比重,可以發(fā)現(xiàn)美國科技行業(yè)在GDP的

百分比約為中國的1.95倍。

圖16:2021年中國和美國科技行業(yè)主要大美行業(yè)增加值占GDP比立

■美國

農(nóng)

<批

宿

發(fā)

息_

產(chǎn)

業(yè)

和/

倉_

業(yè)

*商

術(shù)_

業(yè)

)務(wù)

售M

/軟

業(yè)

業(yè)

M膠

務(wù)

政_

業(yè)

;_務(wù)

佶_

美國制造業(yè)中信息設(shè)備比重超過中國2倍。信息科技產(chǎn)業(yè)包括硬件、

軟件和互網(wǎng)應(yīng)用等,硬件屬于制造業(yè)。根據(jù)美國經(jīng)濟分析局數(shù)據(jù),

2021年“計算機和電子產(chǎn)品”行業(yè)增加值約占美國制造業(yè)的13.4%,

在美國制造業(yè)中排名第2o中國國家統(tǒng)計局2020年發(fā)布了最新版投

入產(chǎn)出表,“通信設(shè)備、計算機和其他電子設(shè)備”行業(yè)增加值約占制造

業(yè)的6.6%,在中國制造業(yè)中排名第6。忽略統(tǒng)計口徑可能帶來的微

小差異,美國信息設(shè)備在制造業(yè)比重約為中國的2.03倍。

2.5.3.半導(dǎo)體:信息科技產(chǎn)業(yè)的核心硬件

半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用廣泛,下游包括消費電子、計算機與服務(wù)器、通信和

物網(wǎng)、汽車、工業(yè)、、軍事與航空航天等多個應(yīng)用領(lǐng)域,是信息科技

產(chǎn)業(yè)的核心硬件,也是數(shù)字經(jīng)濟的基石。

根據(jù)Wind二級行業(yè)分類標準,分別測算中國和美國2021年半導(dǎo)體

和其他二級行業(yè)的收入與凈利潤在總量中的比重。2021年,美國半

導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1.9%,凈利潤占比約為3.9%;中國半導(dǎo)體行

業(yè)收入占比約為1.2%,凈利潤整體虧損約7億元。我們將“半導(dǎo)體與

半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,,,以及“電信服務(wù)”、“技術(shù)硬件與設(shè)備”、“體”和“軟件

與服務(wù)”等泛TMT行業(yè)作為信息科技產(chǎn)業(yè),美國上市公司中,2021

年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比19.1%,凈利潤占比約為26.9%,凈利率

約為16.1%;中國上市公司中,2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比約為

11.0%,凈利潤占比約為3.3%,凈利率約為1.1%。

3.全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長性與周期性

自上世紀60年代以來,在宏觀、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)政策、供需關(guān)系等多種

因素的影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在波動中增長,呈現(xiàn)出螺旋式上升趨

勢,表現(xiàn)出一定的周期性和成長性。成長性主要包括需求成長、供給

成長、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)成長三個層次:需求成長即銷售端市場規(guī)模不斷增大;

供給成長與需求相互耦合,企業(yè)產(chǎn)能跟隨市場需求不斷提升;產(chǎn)品結(jié)

構(gòu)成長,即由于技術(shù)升級推動產(chǎn)品迭代,隨著時間推移,原有的高端

產(chǎn)品將逐漸下沉成為中低端產(chǎn)品,而原有的低端產(chǎn)品則被淘汰,整體

上產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化成長。周期性方面,我們將從長期、中期、短期

三個維度拆解為:由技術(shù)迭代驅(qū)動的產(chǎn)品周期,由供給端企業(yè)資本支

出驅(qū)動的產(chǎn)能周期,和由銷售端短期供需錯配驅(qū)動的庫存周期。

3.1.成長性:復(fù)盤,溯因,歸納

3.1.1.下游終端更迭推動上游半導(dǎo)體持續(xù)增長

全球半導(dǎo)體歷經(jīng)半個多世紀的發(fā)展,已成長為年銷售額約5500億美

元的重要支柱產(chǎn)業(yè)。根據(jù)美國半導(dǎo)體會統(tǒng)計數(shù)據(jù),自1976年以來,

全球半導(dǎo)體市場銷售金額從最初的約29億美元成長為2022年的

5832億美元,增長了約202倍,年均復(fù)合增速達到12.2%,遠高于

全球GDP同時期約3.1%的年均增速水平。我們根據(jù)下游電子產(chǎn)品

應(yīng)用市場在不同時期的興衰更迭,大致上劃分為6個成長周期:1)

1980年前,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)萌芽期。半導(dǎo)體產(chǎn)品下游應(yīng)用以收機、電視

機、早期商用電等民用產(chǎn)品和其他軍用產(chǎn)品為主。此階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

蓬勃發(fā)展,1976年至1980年間全球半導(dǎo)體銷售額年均復(fù)合增速達

35.9%o2)1981至1990年,家用電器時代。1980年代,以電視機、

洗衣機為代表的家用電器產(chǎn)品開始走進千家萬戶,催生上游半導(dǎo)體產(chǎn)

品銷售額以年均20.5%復(fù)合增速快速增長。3)1991年至2000年,

臺式機時代。90年代改進后的微軟Windows視窗操作系統(tǒng)大獲成功,

引發(fā)計算機革命,推翻了大型計算機的“統(tǒng)治地位”,使個人電成為計

算機世界的新中心。全球半導(dǎo)體銷售額在此期間CAGR達到15.6%,

繼續(xù)保持高速增長。

a21:1976疊2022年金*率導(dǎo)體例■金■及叁階段用速

■金"牟?。4(<c<c>-----???WV(S)

4)2001年至2008年,功能手機和筆記本電時代。2000年科技互

網(wǎng)后,半導(dǎo)體銷售額從2000年的2011億美元收縮至2002年的1383

億美元,下跌幅度達31.2%。此后功能手機、筆記本電、MP3等消

費電子產(chǎn)品的興起帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸復(fù)蘇回暖,該階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

增速約為8.2%。5)2009年至2014年,智能手機時代。這一階段,

蘋果發(fā)明智能手機,疊加全球3G/4G網(wǎng)絡(luò)接替升級,移動互網(wǎng)步入

高速時代、接入流量快速增長,半導(dǎo)體產(chǎn)品充分受益下游消費電子和

通信設(shè)備需求,年均成長8.7%。6)2015年至今,5G網(wǎng)絡(luò)更新?lián)Q代,

物網(wǎng)與人工智能技術(shù)推動智能手機以外的下游應(yīng)用場景不斷涌現(xiàn),汽

車智能化、電動化推動半導(dǎo)體用量不斷提升。2015年至2022年,

全球半導(dǎo)體銷售額CAGR約為8.1%o

3.12從“強成長、弱周期”到“強周期、弱成長”

整體上看,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“強成長、弱周期”走向“強周期、弱成長”,

產(chǎn)'也成熟度不斷提升。從萌芽到成熟,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了1980

年前的爆發(fā)期和1980至2000年間的高速成長期后,增速下降至

2000至2020年間的8%左右,從高速成長的新興產(chǎn)業(yè),演變?yōu)闈u進

式增長的成熟產(chǎn)業(yè),其成長性逐漸削弱,周期性不斷加強。隨著半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)逐漸成熟,其在電子設(shè)備中的價值量不斷提升,而各類電子設(shè)

備是數(shù)字經(jīng)濟的硬件支撐,這使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與宏觀經(jīng)濟的相關(guān)性不

斷增強。

1、半導(dǎo)體在電子設(shè)備中價值量占比不斷提升。

根據(jù)《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》中的測算,半導(dǎo)體產(chǎn)品在電子設(shè)備價值量

占比已經(jīng)從1997年的19.10%提升9.8pct至2021年的28.90%。未

來隨著數(shù)字經(jīng)濟的發(fā)展,各類電子設(shè)備的算力與智能化程度需求將不

斷提升,半導(dǎo)體產(chǎn)品在整機中的價值量也將進一步提升。

2、集成電路銷售增速與P增速相關(guān)性將進一步加強。

根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù),1980年至今全球GDP增速和IC市場增速的

相關(guān)性在不同階段出現(xiàn)了一定的變化。1980至2010年間,全球GDP

和IC市場增速相關(guān)系數(shù)最低時為(基本不相關(guān)),最高為0.63

(弱相關(guān)),但在2010至2019年間,相關(guān)系數(shù)提升到了0.85,如

果排除2017-2018年間存儲器市場的表現(xiàn),該階段相關(guān)系數(shù)提升至

0.96,表現(xiàn)出明顯的強相關(guān)。ICInsights為并事件的增加導(dǎo)致IC制造

商減少,供應(yīng)端基本面發(fā)生變化,行業(yè)競爭格局更加成熟,這些因素

加強了全球GDP和IC市場的相關(guān)性。隨著IC下游應(yīng)用從商業(yè)應(yīng)用

驅(qū)動轉(zhuǎn)向消費產(chǎn)品驅(qū)動,ICInsights為GDP和IC市場的相關(guān)性將在

下一階段更加明顯,預(yù)計2019至2024年二者相關(guān)系數(shù)將達到0.90o

3.1.3?成熟的表征:增速放緩、盈利增強

費城半導(dǎo)體指數(shù)由費城交易所創(chuàng)立于1993年,是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景

主要指標之一,其成分均為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中比較具有市場代表性的

頭部企業(yè)。自創(chuàng)立以來,該指數(shù)成分股隨著時間變化有所調(diào)整。截至

2022年12月,費城半導(dǎo)體指數(shù)共涵蓋包括臺積電、英偉達、阿斯麥、

博通、德州儀器在內(nèi)的等半導(dǎo)體設(shè)計、設(shè)備和代工制造等環(huán)節(jié)共30

家公司。

按前述對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷程的分析,將1991至2021年間劃分為4個

時間區(qū)間:1)半導(dǎo)體龍頭企業(yè)的收入與利潤在1991至2021年間的

四個階段,均呈現(xiàn)下降趨勢,且在每段時間區(qū)間內(nèi)表現(xiàn)出“全球半導(dǎo)

體銷售額增速〈龍頭企業(yè)收入增速〈龍頭企業(yè)毛利潤增速〈龍頭企

業(yè)凈利潤增速”的特征。2)排除2000年科網(wǎng)前的異常增長與后面異

常衰退后,半導(dǎo)體龍頭企業(yè)的毛利率、凈利率、ROE和自由現(xiàn)金流

水平在2001年至2021年的三個階段,均呈現(xiàn)上升趨勢。

3.2.長周期:宏觀與技術(shù)驅(qū)動的10年左右的產(chǎn)品周期

長期維度上,全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)10年左右的周期性波動特征。在

長跨度時間周期上,全球半導(dǎo)體年度銷售額歷史增速呈現(xiàn)出大約每

10年一個“M”形的波動特征,主要與基礎(chǔ)技術(shù)更迭驅(qū)動的產(chǎn)品更新?lián)Q

代有關(guān),宏觀經(jīng)濟波動等因素起到一定的加強作用,我們稱之為產(chǎn)品

周期。

3.2.1,技術(shù)迭代推動下游市場更迭是產(chǎn)品周期的主要原因

半導(dǎo)體制造技術(shù)更新?lián)Q代推動晶體管密度和芯片算力沿摩爾定律的

預(yù)測路徑演進,給下游應(yīng)用終端市場帶來周期性變革。

1、全球半導(dǎo)體制造技術(shù)大約每10年跨上一個新臺階

半導(dǎo)體產(chǎn)品制造關(guān)鍵技術(shù)指標主要包括晶圓代工環(huán)節(jié)光設(shè)備光源波

長與制程節(jié)點、晶圓片尺寸大小、主流設(shè)工具與封裝形式等。據(jù)王陽

元等人編著的《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》,半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)約每10

年進步一代,目前已經(jīng)發(fā)展到以EUV光機為代表的第六代技術(shù),制

程節(jié)點突破至以臺積電N3系列工藝為代表的3nm特征尺寸。同時,

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)從最初研發(fā)儲備到終端產(chǎn)品應(yīng)用并量產(chǎn)的周期大

約也在10年左右,驅(qū)動信息市場的引擎也大概10年左右產(chǎn)生一次

新變化。

2、摩爾定律推動集成電路晶體管單價約10年下降兩個量級,晶體

管數(shù)量每隔18至24個月翻倍

1965年,仙童半導(dǎo)體公司研究開發(fā)實驗室主任摩爾發(fā)現(xiàn)集成電路上

可容納的晶體管數(shù)目,大約每隔18至24個月便會增加一倍,這意

味著處理器性能提升一倍,而價格下降一半。該定律成為集成電路處

理器性能預(yù)測的基礎(chǔ),此后英特爾和AMD等廠商推出的處理器參數(shù),

基本上也沿著摩爾定律預(yù)測的路徑發(fā)展,從1971年的lntel4004.到

1978年的lntel8086>到1982年的80286>1985年的80386,1989

年的80486、1993年的Pentium,處理器性能越來越強,價格越來

越低,每一次更新?lián)Q代都是摩爾定律的直接結(jié)果。

fi27:1970£2010年處及8平均曷體,歙量沿摩爾定律北停叟化

ioe*io

10E*09

i.oe*oe

106*07

10E?06

1.0E*05

1.0E*04

i.oe*o3

10E?02

10E“)1

ioe*oo

1970197519601W519901995200020052010

?---------&?0

3、制造技術(shù)升級降低集成電路生產(chǎn)成本,全球超算算力快速提升

根據(jù)Intel數(shù)據(jù),1968年至2002年間,集成電路中單個晶體管價格

大約每1.6年減少一半,每10年下降兩個數(shù)量級。得益于處理器晶

體管尺寸不斷縮小、密度不斷提升,全球超級計算機的運算能力也呈

指數(shù)級上升,2021年全球最快的超級計算機每秒浮點數(shù)運算次數(shù)超

過44.2億億次。

3.2.2.宏觀經(jīng)濟在長期維度上強化了半導(dǎo)體產(chǎn)品周期波動

半導(dǎo)體產(chǎn)品下游應(yīng)用廣泛,包括消費電子、汽車、通信和服務(wù)器、工

業(yè)、、軍工、航空航天等眾多行業(yè)。宏觀經(jīng)濟波動會影響居民部門的

消費意愿,以及政府和企業(yè)部門的投資節(jié)奏,進而影響到上游半導(dǎo)體

產(chǎn)品的需求。我們在前述分析中,對全球集成電路銷售額增速與GDP

增速在不同階段的相關(guān)系數(shù)也進行了討論。將1976年以來的全球半

導(dǎo)體銷售額同比增速與GDP增速進行比較,可以發(fā)現(xiàn)全球半導(dǎo)體年

度銷售額歷史增速呈現(xiàn)出大約每10年一個“M”形的波動特征:經(jīng)濟過

熱時,半導(dǎo)體銷售額增速往往持續(xù)提升;經(jīng)濟預(yù)冷、GDP增速水平

下降時,半導(dǎo)體銷售額增速往往呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢。

3.3.中周期;資本支出驅(qū)動的3?4年的產(chǎn)能周期

中期維度上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由資本支出驅(qū)動的約3?4年的產(chǎn)能

周期。經(jīng)典的產(chǎn)能周期由法國經(jīng)濟學(xué)家朱格拉于1862年提出,即市

場經(jīng)濟存在一個由企業(yè)設(shè)備投資和產(chǎn)能擴張驅(qū)動的周期波動,也稱朱

格拉周期、設(shè)備投資周期。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),我們?yōu)楫a(chǎn)能周期大致分為

以下幾個階段:(1)新周期動,行業(yè)資本升支處于低點,但下游需

求旺盛,半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)能供應(yīng)緊張,產(chǎn)品價格提升、利潤率提升,企

業(yè)為獲取更多利潤,增加資本支出用于舊產(chǎn)線更新改造、新產(chǎn)線建設(shè),

以提升產(chǎn)能、實現(xiàn)擴張;(2)隨著新增產(chǎn)能投入使用,產(chǎn)能供需逐

漸得到緩解,產(chǎn)品價格增長放緩,利潤率水平趨于穩(wěn)定,但企業(yè)仍在

增加資本支出;(3)企業(yè)資本開支達到高點,行業(yè)開始預(yù)期產(chǎn)能將

出現(xiàn)過剩,開始縮減資本支出預(yù)算。(4)隨著先前新增產(chǎn)能繼續(xù)投

產(chǎn),行業(yè)產(chǎn)能達到供需平衡,并出現(xiàn)產(chǎn)能過剩,產(chǎn)品價格下降、利潤

率下行,繼續(xù)驅(qū)動資本收縮并降至低點。

3.3.1,投資端的觀測

根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出從1983年的43億

美元增長到2021年的1531億美元,年均復(fù)合增速約為10%o我們

將資本支出同比增速曲線按照極大值點進行劃分,可以觀察到每個極

大值時點的間隔長短不一,平均而言大約在3?4年左右,因此我們

為全球半導(dǎo)體資本開支周期約為3?4年。另一方面,全球半導(dǎo)體行

業(yè)資本支出也體現(xiàn)出較強的成長性,這與我們在成長性章節(jié)所述的產(chǎn)

能端成長特性一致。

3.3.2.產(chǎn)能端的實證

綜合ICInsights報告數(shù)據(jù),可以看到1994年到2022年,全球IC晶

圓新增產(chǎn)能在歷史年份中呈現(xiàn)波動特征,波動周期大約為3?4年,

與我們在投資端數(shù)據(jù)觀察到的規(guī)律基本一致。

3.3.3.銷售端的觀察

產(chǎn)能周期在半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售端上也有所體現(xiàn),以全球半導(dǎo)體月度銷售

額為例,1976年3月至今,半導(dǎo)體月銷售額同比增速(3個月移動

平均值)呈現(xiàn)出周期波動特征,將同比增速的極大值點(月銷售額二

階導(dǎo)為的點,即數(shù)學(xué)意義上的拐點)標識出來,每個周期間隔大約在

3-4年,平均數(shù)值為2.95年。因此,我們?yōu)殇N售端的實證分析與我們

對半導(dǎo)體中周期的結(jié)論基本一致。

3.4,短周期:短期供需驅(qū)動的3?6個季度的庫存周期

短期維度上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由短期供需關(guān)系驅(qū)動的約3~6個季

度的庫存周期。庫存周期也稱為基欽周期,由美國經(jīng)濟學(xué)家約瑟夫?基

欽在1923年的《經(jīng)濟因素中的周期與傾向》一文中最先提出,是指

平均長度為40個月左右的周期性經(jīng)濟波動。結(jié)合經(jīng)典的基欽周期,

我們?yōu)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的庫存周期主要由短期供需關(guān)系驅(qū)動,由于下游需

求端向上傳導(dǎo)存在時滯,導(dǎo)致了庫存周期的產(chǎn)生。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存周

期可以分為4個階段,各階段特征如下:(1)主動補庫存:在新一

輪庫存周期的起點,由于短期需求端指標上升,企業(yè)提升產(chǎn)線稼動率,

主動補充庫存水平,產(chǎn)成品存貨環(huán)比上升,行業(yè)處于短期繁榮階段。

(2)被動補庫存:這一階段需求端指標已經(jīng)見頂,但企業(yè)稼動率無

法立即下降,存貨水平仍然保持上升,導(dǎo)致利潤率水平到達頂部后開

始下降,行業(yè)開始進入短期衰退階段。(3)主動去庫存:需求端指

標持續(xù)下降,企業(yè)稼動率開始下降,但已經(jīng)出現(xiàn)庫存過剩,企業(yè)主動

降價去庫存,減少存貨力,行業(yè)處于蕭階段。(4)被動去庫存:需

求端指標企跌回升,企業(yè)稼動率降至低點,庫存水平持續(xù)降低至低點,

庫存力得到緩解,隨著需求回溫,行業(yè)開始進入下一輪庫存周期起點。

圖34:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)余存周期各階段

需求水年厚存水平厚樸高以

被動補主動去厚存//

\主為:厚\動杼

、、一/

球今周期起點厚今低點,新一輪周期勒

存儲器市場價格周期主要與產(chǎn)能周期有關(guān),庫存周期表現(xiàn)不明顯。以

2013年11月至今主要NAND和DRAM品類的現(xiàn)貨平均價的十日移

動平均值為例,可以看出存儲器價格也存在較為明顯的周期,但這個

周期大約在3-4年,說明存儲器價格主要受產(chǎn)能周期影響,與庫存周

期關(guān)性較弱。

4.全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:價值量分布與生產(chǎn)要素特征

4.1?產(chǎn)業(yè)鏈概況:3大環(huán)節(jié)3個支撐種下游應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括3個核心環(huán)節(jié)、3個重要支撐和種下游應(yīng)用。半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)鏈是數(shù)字經(jīng)濟的支柱,其主體包括設(shè)計、制造、封裝與測試三

大環(huán)節(jié),產(chǎn)業(yè)支撐包括基礎(chǔ)科學(xué)技術(shù)研發(fā)、半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體產(chǎn)品下游是電子整機與系統(tǒng)廠商,包括消費電子、計算機與服

務(wù)器、通信和物網(wǎng)、汽車、工'業(yè)、、軍事與航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域。不

同分工模式下,各環(huán)節(jié)承擔廠商不同。IDM模式下,芯片設(shè)計、制造、

封裝測試等環(huán)節(jié)均由IDM廠商承擔;晶圓代工模式下,設(shè)計、制造、

封測等環(huán)節(jié)分別由Fabless廠、Foundry廠和OSAT廠承擔。隨著集

成電路技術(shù)與產(chǎn)品更迭速度加快,IDM廠為了降低制造成本,實現(xiàn)更

高的經(jīng)濟收益,開始發(fā)展Fab-lite模式,即輕晶圓廠模式,將部分成

熟制程的制造環(huán)節(jié)外包給助廠商代工,部分制造環(huán)節(jié)留下,因此這種

方式也稱混合模式。

4.2.區(qū)域特征:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈價值量與生產(chǎn)要素特征

全球主要國家與地區(qū)通過細化分工、緊密配合,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮

演了迥異的角色,同時也獲取不同程度的,’介值量。

1)各環(huán)節(jié)價值量:設(shè)計〉晶圓制造〉設(shè)備〉封測〉材料

根據(jù)SIA和BCG報告,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)計環(huán)節(jié)在整個產(chǎn)業(yè)鏈中大

約占59%價值量,其中:EDA工具和IP授權(quán)業(yè)務(wù)占3%;邏輯芯片

設(shè)計占30%,且以Fabless模式的廠商為主;存儲芯片設(shè)計占9%,

且以IDM模式的廠商為主;DAO產(chǎn)品設(shè)計占17%,且以Fabdte模

式的廠商為主。作為產(chǎn)業(yè)鏈支撐的半導(dǎo)體制造設(shè)備和材料,分別占

12%和5%,晶圓制造環(huán)節(jié)占19%,封裝與測試環(huán)節(jié)僅占6%。

2)區(qū)域分布特征:基于地區(qū)在不同生產(chǎn)要素優(yōu)勢的分工與合作

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域分布與各環(huán)節(jié)的生產(chǎn)要素特征有關(guān)。整體上看:

1)美國、韓國、日本和中國臺灣等發(fā)達國家或地區(qū)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)價值鏈占比高于消費占比。美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體價值鏈中占比

約35%,高于25%的消費占比。韓國的價值鏈占比約16%,消費僅

2%o日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中貢獻13%價值,消費占比約6%。中

國臺灣在產(chǎn)業(yè)價值鏈占比約10%,但僅消費約1%。2)歐洲、中國

大陸則是價值鏈占比低十消費。2021年歐洲在半導(dǎo)體價值鏈占比約

10%,消費占比約20%,中國大陸在價值鏈占比約11%,消費占比

卻高達24%o

圖40:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)域各環(huán)節(jié)研發(fā)支出和資本支出占比

在市場經(jīng)濟的主導(dǎo)下,各國家與地區(qū)負責不同環(huán)節(jié),共同構(gòu)全球半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)鏈。以某款智能手機AP為例,歐洲和美國主要負責提供EDA

工具、IP授權(quán)和芯片設(shè)計環(huán)節(jié)。智能手機OEM廠商通過型比較,最

終確定芯片供應(yīng)商和芯片型號,然后得到訂單的芯片供應(yīng)商,將

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論