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文檔簡介

目錄1．BJT模型：E-M模型與G-P模型2.4.7BJT模型與模型參數(shù)2．E-M1模型3．E-M2模型4．E-M3模型5．討論3．E-M2模型

在描述直流特性的EM-1模型基礎(chǔ)上，再考慮串聯(lián)電阻、勢壘電容和擴(kuò)散電容的影響，就得到考慮寄生電阻和交流特性和瞬態(tài)響應(yīng)的EM-2模型考慮基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)3個區(qū)域的串聯(lián)電阻，新增3個模型參數(shù)：

RB、RE、RC3．E-M2模型(1)串聯(lián)電阻

外加電壓減去串聯(lián)電阻上的壓降就是加在勢壘區(qū)兩端的壓降3．E-M2模型(2)勢壘電容反偏情況下勢壘電容的一般表達(dá)式為：CJ＝CT0(1-V/VJ)-mj

包含3個模型參數(shù)：CT0

:零偏勢壘電容；

VJ

:勢壘內(nèi)建電勢；

mj

:電容指數(shù)。對eb結(jié)勢壘電容，新增3個模型參數(shù)：

CTE0、VJE和MJE對bc結(jié)勢壘電容，新增3個模型參數(shù)：

CTC0、VJC和MJC對IC考慮襯底結(jié)勢壘電容，新增3個模型參數(shù)：CTS0、VJS和MJS3．E-M2模型(3)擴(kuò)散電容

發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容為：Cde＝τF(eICC/kT)

新增一個模型參數(shù)：TF(正向渡越時間)

集電結(jié)擴(kuò)散電容為：Cdc＝τR(eIEC/kT)

新增一個模型參數(shù)：TR(反向渡越時間)。3．E-M2模型(4)等效電路在EM-1模型等效電路中新增三個電阻、三個勢壘電容、兩個擴(kuò)散電容，成為EM-2模型等效電路。

外加電壓加在晶體管引出端B、E、C，減去相應(yīng)串聯(lián)電阻上的壓降就是勢壘區(qū)兩端壓降。3．E-M2模型(4)等效電路EM-2模型新增14個模型參數(shù)新增的參數(shù)中串聯(lián)電阻、零偏勢壘電容、渡越時間

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