TechnicalSpecificationforMassStITAF-WG1-AS0052-V1.0. 通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特 TAF-WG1-AS0052-V1.0.1通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特性技術(shù)規(guī)范注：本文中，將帶有大容量存儲子單元的通用集成電路卡，簡稱為SDUI是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GlobPlatformCardSpecificationPart1PhysicalLayerSp24.1概述1、SIM單元，通過UICC觸點，與內(nèi)置在終端的基帶進行數(shù)據(jù)通2、SD單元，SD控制子單元通過MicroSD觸點，與內(nèi)置在終端的存儲管理單元進行數(shù)據(jù)通信，通信1、SIM單元，通過UICC觸點，與內(nèi)置在終端的基帶進行數(shù)據(jù)通2、SD單元，SD控制子單元通過MicroSD觸點，與內(nèi)置在終端的存儲管理單元進行數(shù)據(jù)通信，通信注：SDUICC與終端應(yīng)支持對SDUICC2、將SDUICC置入僅支持MicroS4.3接口形式34.5觸點功能SDUICC和支持SDUICC的終端間的SD通信觸點功能，遵循MicroSD規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第2.1節(jié)。SDUICC和支持SDUICC的終端間的UICC通信觸點功能，遵循ISO/78167816規(guī)范，具體參見“Identificationcards-In45.1物理特性SDUICC的SD單元的物理特性，如靜電放電，遵循MicroSD規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第3.1.3節(jié)。-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第3.1.4節(jié)。SDUICC的SD單元的物理特性，如紫外線和X射線，遵循GB/T16649.1-2006標(biāo)準(zhǔn)，具體參見其中第SDUICC的SD單元的電氣特性，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecificationsPhysicalandlogicalcharacteB類SDUICC的SIM單元的電氣特性，除休眠功耗外，均遵循ETSITS102221標(biāo)準(zhǔn)，具體參見“UICC-Terminalinterface;Physicalandlogicalchara相較于普通SIM卡，SDUICC增加了SD控制子單元，其時鐘SBC1電源等級ClassB/C，C3時鐘處-5.3功能要求5.3.1.1概述51、卡片系統(tǒng)特征，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer此外，本標(biāo)準(zhǔn)對其中部分可選參數(shù)提出具體要求如下表5.3.2、卡片功能描述，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer3、卡片寄存器，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer4、卡片硬件接口，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer此外，本標(biāo)準(zhǔn)對其中部分可選參數(shù)提出具體要求，如下表565.3.2.1概述從個人、企業(yè)和國家安全角度考慮，大容量卡應(yīng)支持硬件注：從國家安全的角度考慮，可選支持國密算法，并符合國密二級6從抗外部攻擊的角度，本標(biāo)準(zhǔn)從物理安全、側(cè)信道安全和環(huán)境安全三方面規(guī)定了安全A.物理攻擊包括但不限于：B.側(cè)信道安全機制包括但不限于：B.在受到故障攻擊的情況下，SIM單75.4性能要求5.4.1.1概述5.4.1.25.4.1.2讀取速度本標(biāo)準(zhǔn)將大容量卡SD接口的讀取速度量化，如表5.44K視頻4K視頻81放入85℃環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元/2/3連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入-25℃環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元和/2/3連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單12/3整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操整個測試過程中讀卡器對SIM和SD的所912/3連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入25℃、相對濕度95%環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行/2/3連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操溫度40℃、相對濕度93%環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進1放入40℃、相對濕度93%環(huán)境中,持續(xù)放2/3連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入35℃、鹽霧濃度3%環(huán)境中,持續(xù)放置2取出后，對卡片進行沖洗干燥并在室溫25℃/3整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操12取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操0.1Gy的中等能量輻射（70keV至140keV，年累積劑量）環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD123取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM/接觸式靜電放電，+/-2kV和+/-4kV,150pF,331對卡片上的每一個觸點進行5次+2KV的放電，在每次/2/3取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操空氣靜電放電，最高+/-15kV,11/2按順序?qū)τ|點面的位置(1)-(2)進行4KV放電，每個點進行4次放電/3按順序?qū)Ρ趁娴奈恢?1)-(5)進行4KV放電，每個點進行5/4分別更改電壓為-4KV、+8KV、-8KV、+15KV和-1/5/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操機器模型靜電放電，最高+/-0.2kV,200pF,1供電觸點接地，其他所有觸點逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測到的觸點/2接地觸點接地，其他所有觸點逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測到的觸點/3供電和接地懸空，其他所有觸點逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測到的觸/4取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操SpecificationVersion2.01”1在1.5米的高度對卡片的每個面進行10次的2/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1/滿足本標(biāo)準(zhǔn)中大容量卡技術(shù)要求中的視覺檢磁場79500A/m環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進12取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操室溫25℃環(huán)境下，連接讀卡器（支持大容量卡的讀寫設(shè)備）對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進1在讀卡器（含手機等讀寫設(shè)備）中進行10000次插入2取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1設(shè)定主機給卡片的供電電壓VDD為2.7V，設(shè)定主時DAT0的高電壓(VOH)為0.75*VDD，低電壓/2/3從卡片讀出測試文件，測量讀出時DAT0的高電壓(VIVDD+0.3VSS-0.3<VIL<4修改主機給卡片的供電電壓VDD為3.6V，然后調(diào)整VOH和/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常，且滿足測量的高低1/2/3/4/1/2），/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1根據(jù)說明文檔，確認(rèn)大容量卡可防護的物理攻擊的/2通過實驗驗證大容量卡抵抗探針監(jiān)聽、信號注入、聚焦離子束攻擊的能力/3查看是否存在信息泄露，信息包括但不限于敏感信息、密鑰、/整個測試過程中不存在非法獲得或篡改敏感信息、密鑰、整個測試過程中不存在非法獲得或篡改敏感信息、密鑰、1根據(jù)說明文檔，確認(rèn)大容量卡可防護側(cè)信道攻擊的/2/3/1類/2/3況/整個測試過程中側(cè)信道安全機制有效，不存在功SDUICCSD單元的測試，應(yīng)遵循存儲卡的通用規(guī)范，具體參見“SJT11528-2015信息技術(shù)移動1/整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的