半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語 編制說明_第1頁
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編制說明根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2023年國家標(biāo)準(zhǔn)復(fù)審修訂計劃的通（計劃項目代號：20233861-T-339由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC599）歸口，主要承辦單位為中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，副電路封裝技術(shù)也得到了快速發(fā)展，新的半導(dǎo)體集成電路封裝形式和種類不斷增2023年12月～2024年2月，收到國家標(biāo)準(zhǔn)制定任務(wù)，中國電子科技集團(tuán)公司段的主要工作內(nèi)容。編制組首先收集GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)行修訂。同時該標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：除編輯性修改外，標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)與GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路語》保持一致，內(nèi)容在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，修改11項術(shù)語，刪除2項術(shù)語，位置調(diào)1）范圍：半導(dǎo)體集成電路封裝在生產(chǎn)制造、工程應(yīng)用“支座”修改為“支撐高度”；現(xiàn)行的GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》的標(biāo)齡已有31年，標(biāo)三、試驗驗證的分析、綜述報告，技術(shù)經(jīng)濟(jì)論證，預(yù)期的經(jīng)濟(jì)效益、社會與同級別封裝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對比評估，術(shù)語定義內(nèi)容與GB/T7092-2021、GB/T連接區(qū)引線引線節(jié)距引出端寬度密封環(huán)金屬化封裝高度封裝體厚度跨度鍵合區(qū)芯片粘接區(qū)引線框架薄層引出端基面引出端識別標(biāo)志安裝面支撐高度引出端厚度跨度鍵合區(qū)芯片粘接區(qū)引線框架薄層引出端基面引出端識別標(biāo)志安裝面支撐高度引出端厚度封裝長度MicroelectronicPackages標(biāo)準(zhǔn)中，與附錄A的內(nèi)容協(xié)調(diào)一PackagesandCovers標(biāo)準(zhǔn)中，與第三章的內(nèi)五、以國際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國際國外本標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)，屬于基礎(chǔ)通用標(biāo)準(zhǔn)，是GB/T1411

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