半導(dǎo)體光電子學(xué)作業(yè)一答案_第1頁(yè)
半導(dǎo)體光電子學(xué)作業(yè)一答案_第2頁(yè)
半導(dǎo)體光電子學(xué)作業(yè)一答案_第3頁(yè)
半導(dǎo)體光電子學(xué)作業(yè)一答案_第4頁(yè)
半導(dǎo)體光電子學(xué)作業(yè)一答案_第5頁(yè)
全文預(yù)覽已結(jié)束

付費(fèi)下載

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

作業(yè)一答案[3分]設(shè)InP在室溫(300K)下的電子和空穴的有效質(zhì)量分別為0.077m0和0.61m0,禁帶寬度為1.35eV。計(jì)算導(dǎo)帶和價(jià)帶的有效態(tài)密度;計(jì)算本征載流子濃度;一個(gè)摻雜了濃度為1017S原子/cm3的樣品,它的平衡態(tài)空穴密度為多少?它的費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于本征費(fèi)米能級(jí)的距離是多少?一個(gè)p-n結(jié)的摻雜濃度為Na=1017cm-3,Nd=1016cm-3。分別計(jì)算p區(qū)和n區(qū)的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的濃度,并計(jì)算該p-n結(jié)的擴(kuò)散勢(shì)能和耗盡區(qū)寬度。答:(a)導(dǎo)帶有效態(tài)密度:價(jià)帶有效態(tài)密度:(b)本征載流子濃度(c)平衡態(tài)空穴密度(d)p區(qū)多數(shù)載流子為空穴少數(shù)載流子n區(qū)多數(shù)載流子為電子,==少數(shù)載流子p-n結(jié)的擴(kuò)散勢(shì)能耗盡區(qū)寬度[1分]一個(gè)光源在波長(zhǎng)范圍0.4~2.0m內(nèi)發(fā)出均勻的光強(qiáng)。在光源和光頻譜分析儀之間放置一片拋光的GaAs晶片,其兩個(gè)表面都鍍有抗反射涂層。簡(jiǎn)單畫(huà)出接收到的波長(zhǎng)譜形狀。哪種光學(xué)過(guò)程是構(gòu)成該頻譜的關(guān)鍵?答:(a)(b)吸收過(guò)程。[2分]Giventheexpressionsforthethermalequilibriumcarrierconcentrationsintheconductionandvalencebands,and,DetermineanexpressionfortheFermilevelEfofanintrinsicsemiconductorandshowthatitfallsexactlyinthemiddleofthebandgaponlywhentheeffectivemassoftheelectronsmcispreciselyequaltotheeffectivemassoftheholesmv.DetermineanexpressionfortheFermilevelofadopedsemiconductorasafunctionofthedopingleveln(orp)andshowthatitbecomestheexpressiondeterminedinpart(a)whenn=ni(orp=ni).Solution:(a)Forintrinsicsemiconductor,wehaven=p.Therefore, ,. Whenmc=mv,.(b)Foradopedsemiconductor,,.Therefore,,,.When,asinpart(a).4.[3分]GaAshasanintrinsiccarrierconcentrationni=1.8x106cm-3,arecombinationlifetime=50ns,abandgapenergyEg=1.42eV,aneffectiveelectronmassmc=0.07m0,andaneffectiveholemassmv=0.5m0.AssumethatT=0K.Determinethecenterfrequency,bandwidthandpeaknetgainwithinthebandwidthforaGaAsamplifieroflengthd=200m,widthw=10m,andthicknessl=2m,when1mAofcurrentispassedthroughthedevice.Solution:,From,weobtainthecentralfrequencyThebandwidthThegainisdeterminedbyWiththeopticaljointdensityofstateandtheFermiinversionfactorAtT=0,wehaveThepeaknetgainoccursat.Therefore,wehaveForGaAs,theinternalquantumefficiency.5.[1分]AcurrentisinjectedintoanInGaAsPdiodeofbandgapenergyEg=0.91eVandrefractiveindexn=3.5suchthatthedifferenceinFermilevelsisEfc-Efv=0.96eV.Iftheresonatorisoflengthd=250mandhasnoloss,determinethemaximumnumberoflongitudi

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論