證券研究報(bào)告自主可控邏輯繼續(xù)強(qiáng)化，聚焦低國產(chǎn)化率、先進(jìn)制程突破——半導(dǎo)體設(shè)備2023年中期投資策略行業(yè)評級：看好2023年5月26日半導(dǎo)體設(shè)備：聚焦低國產(chǎn)化率、先進(jìn)制程突破1、

核心觀點(diǎn)：半導(dǎo)體設(shè)備四大核心驅(qū)動(dòng)——自主可控需求、先進(jìn)制程突破、資本開支持續(xù)、政策支持加強(qiáng)n

美日荷先進(jìn)設(shè)備封鎖，自主可控推動(dòng)國產(chǎn)化率快速提升。全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司（以營收排名）中三家美國、四家日本、兩家荷蘭、一家韓國公司。去年10月美國封鎖國內(nèi)先進(jìn)制程，日本對六類23項(xiàng)先進(jìn)設(shè)備禁止出口，荷蘭亦跟進(jìn)先進(jìn)光刻機(jī)制裁，在此外部制裁背景下，自主可控勢在必行，國內(nèi)頭部邏輯、3DNAND龍頭及二線晶圓廠積極推進(jìn)設(shè)備國產(chǎn)化，國產(chǎn)成熟設(shè)備加速補(bǔ)短板增長板，國產(chǎn)化率提升有望快速提升。n

先進(jìn)制程突破有望提速，部分環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)工藝突破。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商持續(xù)加大研發(fā)，除光刻機(jī)外，其他重點(diǎn)環(huán)節(jié)均實(shí)現(xiàn)28nm制程突破，去膠、部分刻蝕和清洗已經(jīng)達(dá)到先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。外部制裁下國內(nèi)晶圓廠積極向設(shè)備廠商開放各個(gè)工藝環(huán)節(jié)驗(yàn)證機(jī)會(huì)，設(shè)備驗(yàn)證、調(diào)試機(jī)會(huì)大大增多，推動(dòng)性能指標(biāo)、穩(wěn)定性逐步提升，我國半導(dǎo)體設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)制程的節(jié)奏有望提速。n

23年資本開支持續(xù)高位，芯片國產(chǎn)化率低設(shè)備長期需求大。23年國內(nèi)晶圓廠逆周期擴(kuò)產(chǎn)，中芯預(yù)計(jì)23年投資額與去年持平，頭部存儲(chǔ)有序擴(kuò)產(chǎn)，疊加國內(nèi)地方晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，今年半導(dǎo)體資本開支有望維持去年高水平。且上半年招投標(biāo)主要集中在中小廠商，預(yù)計(jì)下半年頭部晶圓廠資本開支相較上半年提速。遠(yuǎn)期來看，當(dāng)前芯片國產(chǎn)化率低2021年中國大陸芯片自給率16.7%（國產(chǎn)線占6.6%），低國產(chǎn)化率、自主可控是晶圓廠長期擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力，設(shè)備長期需求無虞。n

國內(nèi)政策支持預(yù)期升溫，“舉國體制”扶持力度不斷增強(qiáng)。今年以來國家層面不斷加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持力度：重組科技部、組建中央科技委員會(huì)；國資委要求央企加大對集成電路領(lǐng)域的科技投入，加強(qiáng)“卡”核心技術(shù)攻關(guān)，舉國體制推動(dòng)行業(yè)加速發(fā)展。2、核心數(shù)據(jù)：n

2022年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約1900億人民幣，占全球26%，連續(xù)三年成為全球最大市場。n

關(guān)注國產(chǎn)化率低、市場空間大的環(huán)節(jié)。當(dāng)前我國ALD、光刻、量測檢測、離子注入等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率極低，均低于5%。涂膠顯影、CVD、刻蝕、PVD等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。清洗（34%）、熱處理（40%）、去膠（90%）國產(chǎn)化率較高。刻蝕、薄膜沉積（包括CVD、PVD、ALD）、光刻、量測檢測市場空間居前四，分別約418、399、323、228億元人民幣。量測檢測市場空間大，當(dāng)前國產(chǎn)化率低，空間廣闊。n

業(yè)績回顧：22年板塊業(yè)績高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)亮眼。22年半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收同比+50%，歸母凈利潤同比+72%，毛利率45.7%（同比+2.6pct），凈利率18.6%（同比+2.3pct），營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升。合同負(fù)債、存貨、新簽訂單等前瞻指標(biāo)高增長。23Q1末，半導(dǎo)體設(shè)備板塊合同負(fù)債預(yù)收款項(xiàng)167.6億元，同比+68.7%，存貨368.2億元，同比+68.0%。22年中微公司、拓荊、至純新簽訂單同比+53%、95%、61%，華海清科新簽訂單創(chuàng)歷史新高，微導(dǎo)納米23年前四月新簽訂單近去年全年水平。3、投資建議：自主可控邏輯繼續(xù)強(qiáng)化，關(guān)注低國產(chǎn)化率的環(huán)節(jié)和具備先進(jìn)制程突破能力的公司。推薦北方華創(chuàng)、中微公司、晶盛機(jī)電、微導(dǎo)納米、拓荊科技、芯源微、盛美上海、華海清科、華峰測控、精測電子、賽騰股份、羅博特科，關(guān)注中科飛測、至純科技、萬業(yè)企業(yè)、長川科技。24、風(fēng)險(xiǎn)提示：國產(chǎn)化進(jìn)程低于預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)、美國半導(dǎo)體加劇風(fēng)險(xiǎn)、零部件供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。010203行業(yè)趨勢：半導(dǎo)體設(shè)備長坡厚雪，破繭成蝶市場規(guī)模：中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場1900億元，全球第一大競爭格局：全球美日荷壟斷，我國國產(chǎn)化亟待突破細(xì)分設(shè)備：關(guān)注低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)及核心技術(shù)突破核心觀點(diǎn)：國產(chǎn)設(shè)備破局而后立，四輪驅(qū)動(dòng)持續(xù)發(fā)展目錄四大核心驅(qū)動(dòng)：自主可控需求、先進(jìn)制程突破、資本開支持續(xù)、政策支持加強(qiáng)業(yè)績回顧：C

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S22年&23Q1板塊業(yè)績高增長，新簽訂單亮眼營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升前瞻指標(biāo)高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)兩眼04投資建議及風(fēng)險(xiǎn)提示關(guān)注低國產(chǎn)化率的環(huán)節(jié)、具備先進(jìn)制程突破能力的公司3市場規(guī)模：中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市01場1900億元，全球第一大行業(yè)趨勢：競爭格局：全球美日荷壟斷，我國國產(chǎn)化亟待突破半導(dǎo)體設(shè)備長坡厚雪破繭成蝶細(xì)分設(shè)備：關(guān)注低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)及核心技術(shù)突破401

22年全球半導(dǎo)體規(guī)模5801億美元，預(yù)計(jì)23年末迎來周期上行n

2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模達(dá)到5801億美元，達(dá)到歷史新高，過去十年復(fù)合增長率7.4%。n

當(dāng)前全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下行周期，2023年1月全球半導(dǎo)體銷售額413億美元，同比減少19%。預(yù)計(jì)2023年下半年迎來下行周期拐點(diǎn)。2024年，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)芯片將進(jìn)入庫存拐點(diǎn)，另一方面AIGC對算力需求的大幅提升，將帶動(dòng)新興芯片需求的爆發(fā)，將加快上行周期的到來。圖：全球半導(dǎo)體呈波動(dòng)性增長，十年一大周期汽車電子、疫情臺式電腦普及7,0006,0005,0004,0003,0002,0001,000050%40%30%20%10%0%筆記本電腦等消費(fèi)電子興起帶來的個(gè)人電子需求爆發(fā)智能手機(jī)、智能手環(huán)等可穿戴設(shè)備興起互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅金融危機(jī)存儲(chǔ)價(jià)格崩盤-10%-20%-30%-40%2000

2001

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2023E全球半導(dǎo)體銷售額（億美元）

全球同比5資料：集成電路產(chǎn)業(yè)全書，WSTS，iFinD，浙商證券研究所02

22年我國半導(dǎo)體設(shè)備283億美元市場，為全球最大市場n

2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場為1076億美元。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)283億美元（約合1900億元人民幣），占全球銷售額26%，為全球最大市場。超出中國臺灣（25%）、韓國（20%）、北美（10%）。n

2012-2022年全球及中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模年復(fù)合增長率分別達(dá)11%、27%，中國市場增速快于全球。圖：中國在全球設(shè)備市場占比從2006年的6%提升至2022年的26%圖：2022年中國大陸連續(xù)三年成為全球半導(dǎo)體設(shè)備最大市場5%1,2001,000800600400200035%30%25%20%15%10%5%6%29%26%26%26%8%23%20%10%16%15%13%12%11%9%8%7%7%6%6%6%20%25%0%2006

2007

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2022全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）

中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）

中國占比中國大陸

中國臺灣

韓國

北美洲

日本

歐洲

其他6資料：SEMI，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)，浙商證券研究所03

22年全球半導(dǎo)體設(shè)備處于下行周期，預(yù)計(jì)2024年迎來周期反轉(zhuǎn)n

全球半導(dǎo)體資本開支：ICinsights預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體資本開支1817億美元，同比增長19%。內(nèi)存市場疲軟及美國對華制裁下，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本開支預(yù)計(jì)1466億美元，同比下降19%。n

周期性分析：從2000年至今全球半導(dǎo)體資本開支同比增速來看，全球半導(dǎo)體資本開支約3年一個(gè)周期。2023年處于行業(yè)周期底部，預(yù)計(jì)2024年資本開支迎來反轉(zhuǎn)。圖：全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支圖：全球半導(dǎo)體資本開支周期波動(dòng)，約3年一個(gè)周期120%100%80%60%40%20%0%2,0001,8001,6001,4001,2001,000800120%100%80%107%85%60%52%41%35%40%25%19%

20%

19%14%20%11%0%6%

4%1%0%600-1%-3%-20%-40%-60%-6%-12%400-20%-19%200-29%-29%-37%-40%-60%-40%07全球半導(dǎo)體資本開支（億美元）同比資料：ICinsights，麥肯錫，浙商證券研究所04

全球半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)n

2022年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司中三家美國、四家日本、兩家荷蘭、一家韓國公司，前十占據(jù)全球84.5%市場。n

中國半導(dǎo)體設(shè)備公司2021年全球市占率為1.7%，2019年為1.4%。全球市占率逐步提升且空間廣闊。表：2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備營收及市場占比圖：2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備公司市場占比2022年?duì)I收（百萬美金）排名公司名稱國家市場占比12AppliedMaterialsASML美國荷蘭美國日本美國日本荷蘭日本韓國日本19992.31601919.9%15.9%18.5%13.1%8.2%應(yīng)用材料19.2%其他廠商24.9%3LamResearchTokyoElectronKLA15615.613183.18230.72203.92111.11640.61604.11384.645中國廠商,1.7%阿斯麥,17.5%6ScreenSemiconductorASMInternationalHitachiHigh-TechSEMES2.2%KLA,6.5%72.1%81.6%東京電子15.3%泛林,14.9%91.6%10KokusaiElectric1.4%8資料：Gartner，浙商證券研究所04

全球半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)n

美國在薄膜沉積、離子注入、量測領(lǐng)域占據(jù)壟斷地位。2021年應(yīng)用材料在PVD、CMP、離子注入全球市占率分別為86%、68%、64%，泛林在刻蝕、電鍍設(shè)備占率分別為46%、78%，科磊在量測領(lǐng)域市占率54%。n

日本在涂膠顯影、清洗設(shè)備占據(jù)優(yōu)勢。2021年東京電子涂膠顯影設(shè)備市占率89%、迪恩士清洗設(shè)備市占率40%。n

荷蘭光刻機(jī)是絕對龍頭，原子層沉積處于領(lǐng)先地位。2021年阿斯麥占據(jù)全球77%市場份額，先晶半導(dǎo)體ALD設(shè)備市占率45%。圖：各國優(yōu)勢環(huán)節(jié)概覽9資料：Gartner，全球半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)04圖：2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場空間及市占率全球市場空間（億美元）美國日本荷蘭韓國中國設(shè)備類型公司名稱

全球市占率

合計(jì)

公司名稱

全球市占率

合計(jì)

公司名稱

全球市占率

合計(jì)

公司名稱

全球市占率

合計(jì)公司名稱全球市占率

合計(jì)2.0%北方華創(chuàng)中微半導(dǎo)體屹唐半導(dǎo)體泛林應(yīng)用材料?46.0%16.0%?刻蝕222.862.0%

東京電子尼康29.0%29.0%??????2.0%0.2%4.2%10.0%9.9%光刻機(jī)TrackCVD175.137.1?19.9%89.0%阿斯麥?76.5%?76.5%??細(xì)美事??7.0%??7.0%?上海微電子芯源微＜1%2.1%＜1%2.1%1.2%2.0%佳能???東京電子89.0%應(yīng)用材料泛林27.0%23.0%東京電子20.0%8.8%北方華創(chuàng)拓荊科技0.2%1.0%118.247.950.0%86.0%28.8%

先晶半導(dǎo)體10.0%?10.0%?科意半導(dǎo)體PVD應(yīng)用材料86.0%???????北方華創(chuàng)2.0%微導(dǎo)納米拓荊科技北方華創(chuàng)盛美半導(dǎo)體至純科技芯源微0.1%0.1%0.4%3.1%2.0%0.8%ALD30.6泛林8.6%8.6%

東京電子29.0%29.0%

先晶半導(dǎo)體45.0%45.0%???0.7%迪恩士40.0%25.0%26.0%清洗54.230泛林12.0%12.0%65.0%26.0%??????細(xì)美事?16.0%?16.0%5.9%3.6%東京電子CMP應(yīng)用材料應(yīng)用材料68.0%45.0%68.0%

日本荏原東京電子????華海清科3.6%19.0%19.0%屹唐半導(dǎo)體北方華創(chuàng)5.0%1.0%0.8%?熱處理離子注入ECP2923.29.945.0%86.0%95.0%?38.0%???????????6.0%＜1%4.0%29.0%0.7%科意半導(dǎo)體應(yīng)用材料亞舍立泛林64.0%22.0%78.0%17.0%萬業(yè)（凱世通）中科信??????????????盛美半導(dǎo)體4.0%應(yīng)用材料干法去膠量測檢測8??????比思科?42.0%?42.0%

屹唐半導(dǎo)體中科飛測29.0%科磊54.0%13.0%0.5%0.2%10104.167.0%?阿斯麥6.0%6.0%?應(yīng)用材料精測電子資料：Gartner（2021），wind，浙商證券研究所國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備迅速發(fā)展，芯片制造各環(huán)節(jié)全布局05表：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司布局Wanye萬業(yè)企業(yè)（凱世通）Changchuan長川科技全球領(lǐng)先公

NAURAAMECACMRHwatsing

Piotech

LeadMicroSMEEPNC

KingsemiMattson

Jingce

AccoTestRaintree上海睿勵(lì)I(lǐng)C設(shè)備熱處理分類氧化司北方華創(chuàng)

中微公司

盛美上海

華海清科

沈陽拓荊

微導(dǎo)納米

上海微電子

至純科技

芯源微屹唐精測電子

華峰測控√√????????????????????????????TELAMATASM擴(kuò)散退火Hitachi√??????????????光刻機(jī)刻蝕DUV/EUV硅刻蝕介質(zhì)刻蝕金屬刻蝕涂膠顯影去膠ASML?√√?√???√?√√??????√????????????????????√??????????√?????????√??√?????????????????????????????LAMTELAMATTELMattson涂膠去膠CVD?LPCVDPECVDALD√√??√?????√?√????????????????????????AMATTELLAM?√?√??ASMI√?√MOCVDAI-padHard

maskAMEC?√√√?????????????????????????????????????????AMATEvatecPVDCuBS√?????????????????√??????????高能量?AMATAxcelis離子注入機(jī)高電流??????????????????√??????????低離子電流?AMATEbaraSCREENLAMCMP清洗??????√√????????????????????單一晶圓?√??√?BatchAnalogSoCTEL√?????√??????????????√??√?????????????√????TeradyneAdvantestCohu檢測測量Memory??????????????????????√????√11KLA/AMAT?√?資料：公開信息整理，浙商證券研究所06

我國多環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破，關(guān)注國產(chǎn)化率低、市場空間大的環(huán)節(jié)n

關(guān)注低國產(chǎn)化率、高市場空間的環(huán)節(jié)。n

國產(chǎn)化率：2022年我國ALD、光刻、量測檢測、離子注入等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率極低，均低于5%。涂膠顯影、CVD、刻蝕、PVD等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。清洗（34%）、熱處理（40%）、去膠（90%）國產(chǎn)化率較高。n

市場空間：2022年刻蝕、薄膜沉積（包括CVD、PVD、ALD）、光刻、量測檢測市場空間居前四，分別約418、399、323、228億元人民幣。量測檢測市場空間大，當(dāng)前國產(chǎn)化率不足5%，空間廣闊。圖：2022年各環(huán)節(jié)市場空間及國產(chǎn)化率45040035030025020015010050100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%90%40%34%29%PVD25%17%11%CVD10%5%5%3%1.40%0刻蝕光刻機(jī)量測檢測清洗涂膠顯影ALDCMP熱處理離子注入干法去膠中國大陸市場空間（億元）國產(chǎn)化率12資料：Gartner，wind，浙商證券研究所我國多環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破，關(guān)注國產(chǎn)化率低、市場空間大的環(huán)節(jié)06n

根據(jù)2022年中國招標(biāo)網(wǎng)公開半導(dǎo)體設(shè)備中標(biāo)情況，2022年中標(biāo)1068項(xiàng)，國產(chǎn)化率約36%。圖：2022年我國半導(dǎo)體設(shè)備中標(biāo)情況及國產(chǎn)化率統(tǒng)計(jì)13資料：中國招標(biāo)網(wǎng)，浙商證券研究所整理（備注：鑒于部分產(chǎn)線不公開招投標(biāo)及統(tǒng)計(jì)產(chǎn)線較多為特殊工藝產(chǎn)線國產(chǎn)化率高，實(shí)際國產(chǎn)化率低于該數(shù)值。）四大核心驅(qū)動(dòng)：自主可控需求先進(jìn)制程突破資本開支持續(xù)政策支持加強(qiáng)02核心觀點(diǎn)：國產(chǎn)設(shè)備破局而后立，四輪驅(qū)動(dòng)持續(xù)發(fā)展1401

驅(qū)動(dòng)一：美日荷半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，

國產(chǎn)化率快速提升n

2018年以來，美國對華半導(dǎo)體n

2022年10月7日，美國BIS對華進(jìn)行半導(dǎo)體n

美國半導(dǎo)體設(shè)備

范圍：16/14nm以下的先進(jìn)邏輯工藝芯片、128層以上的NAND閃存芯片、18納米半間距或更低的DRAM不斷加碼，從、、等下游不斷向上游延申。，范圍擴(kuò)大至先進(jìn)芯片、設(shè)備、零部件、人員等。存儲(chǔ)器芯片所需的制造設(shè)備。圖：美國對華半導(dǎo)體制裁范圍不斷擴(kuò)大，先進(jìn)設(shè)備納入禁止出口范圍美國兩家芯片設(shè)備公司LamResearch和KLA收到美國商務(wù)部通知，美國BIS宣布新一輪的對華芯片出口及附屬公司加

禁止出口14nm以下制程制造設(shè)備到

措施，具體包括：先進(jìn)芯片、超入“實(shí)體清單”，含美技術(shù)設(shè)備采購

中國大陸；美國游說荷蘭停止向中國出口ASML

制程設(shè)備公司的先進(jìn)產(chǎn)品。美國商務(wù)部將特朗普簽署《國防授權(quán)法》禁止美國

美國BIS宣布限制使用美國特定算；代生產(chǎn)或研發(fā)；人才；先進(jìn)；未核實(shí)政府雇員使用包括和在內(nèi)的

技術(shù)和軟件在美國境外設(shè)計(jì)和制造半

需美國批準(zhǔn)，14nm及以下原則上不批準(zhǔn)（推定拒絕）。多家中國科技公司的某些設(shè)備或服務(wù)。

導(dǎo)體的能力。名單（UVL）規(guī)則修訂。2018.082019.052020.052020.082020.122021.112022.072022.082022.10美國商務(wù)部BIS將機(jī)構(gòu)納入出口部分采購。及其70個(gè)分支“實(shí)體清單”，限美國商務(wù)部進(jìn)一步限制交易中

作為購買者、中間人或最終使用者，均需受到“實(shí)體清單”限，當(dāng)一項(xiàng)英特爾中國工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃被拜登政府以危及“國家安全”的理由拒絕；美國阻止韓國存儲(chǔ)芯片企業(yè)SK海力士無錫工廠引進(jìn)EUV光刻機(jī)。美國總統(tǒng)拜登簽署芯片法案，禁止受益企業(yè)自接受資助之日起10年內(nèi)在中國增產(chǎn)先進(jìn)制程半導(dǎo)體；美國BIS通過發(fā)布臨時(shí)規(guī)則對用于GAAFET集成電路開發(fā)的EDA軟件進(jìn)制制，同時(shí)增加38家入“實(shí)體清單”。附屬機(jī)構(gòu)進(jìn)行出口。15資料：芯謀研究，浙商證券研究所整理01

驅(qū)動(dòng)一：美日荷半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，

國產(chǎn)化率快速提升n

荷蘭：2023年3月8日荷蘭政府發(fā)布消息，計(jì)劃在夏季之前對半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域?qū)嵤┬碌某隹谙拗?。?jù)此，ASML公告表示僅最先進(jìn)的光刻設(shè)備受限：1、僅NXT2000i及以上先進(jìn)浸沒式光刻機(jī)受限（主要應(yīng)用在7nm及以下），成熟節(jié)點(diǎn)不需要使用先進(jìn)的浸沒式光刻機(jī)。2、最先進(jìn)的浸沒式DUV光刻機(jī)需要出口許可，但自2019年該設(shè)備已禁止對華出口。n

日本：2023年5月23日，日本政府正式宣布，把尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備六類等23項(xiàng)設(shè)備列入出口管理限制對象名單，該限制措施預(yù)計(jì)于7月23日生效。新增出口包括11項(xiàng)薄膜沉積設(shè)備、3項(xiàng)刻蝕設(shè)備、

4項(xiàng)光刻設(shè)備、

3項(xiàng)清洗設(shè)備、

1項(xiàng)熱處理設(shè)備、1項(xiàng)檢測設(shè)備。中國需要單獨(dú)得到批準(zhǔn)方可進(jìn)口清單中的設(shè)備。表：日本對華六類23項(xiàng)出口設(shè)備清單設(shè)備類型設(shè)備指標(biāo)設(shè)備類型設(shè)備指標(biāo)6.利用離子束（IonBeam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設(shè)備的掩膜)的設(shè)備。1.下列各類成膜設(shè)備利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設(shè)備屬于管控范圍。（1）擁有多個(gè)腔體，在多個(gè)工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態(tài)（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環(huán)境）的設(shè)備。（2）用于半導(dǎo)體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設(shè)計(jì)的腔體的設(shè)備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設(shè)備。利用自下而上（Bottom-up）成膜技術(shù)，填充鈷（Co）或者鎢（W）時(shí)，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設(shè)備。在同一個(gè)腔體（Chamber）內(nèi)進(jìn)行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設(shè)備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設(shè)備、在維持晶圓溫度為100度一500度的同時(shí)、利用有機(jī)化合物形成鎢（W）膜的設(shè)備。成膜設(shè)備

8.可利用等離子技術(shù)，形成厚度超過100納米、而且應(yīng)力低于450MPa的碳硬掩膜（CarbonHardMask）的設(shè)備。（11類）9.可利用原子層沉積法或者化學(xué)氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內(nèi)氟原子數(shù)量低于10的19次方個(gè)）的設(shè)備?？杀３謿鈮簽?.01Pa以下真空狀態(tài)（或者惰性環(huán)境）的、含多個(gè)腔體的、可處理多個(gè)工序的成膜設(shè)備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設(shè)備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。利用以下所有工藝形成銅線路的設(shè)備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用PVD技術(shù)，形成銅（Cu）層膜的工藝。利用金屬有機(jī)化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設(shè)備。在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設(shè)備2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設(shè)備。10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對介電常數(shù)（RelativePermittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設(shè)備。11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設(shè)備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。熱處理相關(guān)在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）任何一種元素進(jìn)行回流的退火設(shè)備。EUV曝光方向的光掩膜版的檢測設(shè)備、或者帶有線路的掩膜的檢測設(shè)備。成膜設(shè)備（11類）（1類）檢測設(shè)備（1類）1.用于EUV曝光的護(hù)膜。2.用于EUV曝光的護(hù)膜的生產(chǎn)設(shè)備。3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設(shè)備。曝光相關(guān)（4類）4.用于處理晶圓的步進(jìn)重復(fù)式、步進(jìn)掃描式光刻機(jī)設(shè)備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數(shù)值孔徑得到的數(shù)值為45及以下）。3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設(shè)備。4.“空間原子層沉積設(shè)備（僅限于支持與旋轉(zhuǎn)軸晶圓的設(shè)備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區(qū)域的“等離子屏蔽體（PlasmaShield）”或相關(guān)技術(shù)手法。干法清洗設(shè)

1.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘?jiān)?、氧化銅膜，形成銅膜的設(shè)備。備、濕法清

2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻的多反應(yīng)腔設(shè)備。洗設(shè)備（3類）3.單片式濕法清洗設(shè)備（在晶圓表面性質(zhì)改變后，進(jìn)行干燥）。1.同向性蝕刻設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設(shè)備；屬于異向性刻蝕設(shè)備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設(shè)備。5.可在400度一一650度溫度下成膜的設(shè)備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內(nèi)產(chǎn)生的自由基(Radical)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成薄膜的設(shè)備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設(shè)備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數(shù)（Relative

Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。蝕刻（3類）

2.濕法蝕刻設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。163.異向性蝕刻設(shè)備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥的設(shè)備。資料：華爾街見聞，麥肯錫，SEMI，浙商證券研究所整理驅(qū)動(dòng)二：先進(jìn)制程有望突破，國產(chǎn)設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)02n

國內(nèi)先進(jìn)制程已實(shí)現(xiàn)部分工藝突破，逐步邁向先進(jìn)。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商持續(xù)加大研發(fā)，除光刻機(jī)外，其他重點(diǎn)環(huán)節(jié)均實(shí)現(xiàn)28nm制程突破，去膠、部分刻蝕和清洗已經(jīng)達(dá)到先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。外部制裁下國內(nèi)晶圓廠給予設(shè)備驗(yàn)證機(jī)會(huì)增多，我國半導(dǎo)體設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)制程的節(jié)奏有望提速。表：國內(nèi)重點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司制程節(jié)點(diǎn)突破圖17資料：各公司公告，浙商證券研究所整理02

驅(qū)動(dòng)二：先進(jìn)制程有望突破，國產(chǎn)設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)表：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司制程逐步推進(jìn)公司名稱北方華創(chuàng)設(shè)備類型當(dāng)前制程及先進(jìn)制程研發(fā)進(jìn)展刻蝕先進(jìn)制程刻蝕機(jī)已在客戶端通過多道制程工藝驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用薄膜沉積先進(jìn)制程薄膜沉積設(shè)備（14nm）已在客戶端通過多道制程工藝驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。1、邏輯：12英寸設(shè)備已應(yīng)用于65nm到5nm及更先進(jìn)生產(chǎn)線上。應(yīng)用于28nm及以下的一體化大馬士革刻蝕進(jìn)展良好。2、存儲(chǔ)：設(shè)備已在64層和128層3DNAND量產(chǎn)先上應(yīng)用，已通過動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器工藝驗(yàn)證并取得訂單，60:1極高深寬比刻蝕進(jìn)展良好。CCPICP可滿足55nm到28nm邏輯芯片ICP刻蝕工藝，在DRAM、3DNAND和存儲(chǔ)器件刻蝕應(yīng)用范圍不斷拓展，已在20家客戶產(chǎn)線上量產(chǎn)。中微公司拓荊科技1、LPCVD設(shè)備：首臺CVD鎢設(shè)備已交付關(guān)鍵存儲(chǔ)客戶端驗(yàn)證，滿足先進(jìn)邏輯接觸填充、64層和128層3DNAND應(yīng)用。正在開發(fā)新的金屬鎢填充工藝方案，以滿足更高深寬比接觸孔及溝道電極需求。2、ALD設(shè)備：ALD鎢設(shè)備正在開發(fā)，可應(yīng)用于高端存儲(chǔ)，已開始實(shí)驗(yàn)室測試及與客戶對接驗(yàn)證。應(yīng)用于高端存儲(chǔ)和邏輯的ALD氮化鈦設(shè)備已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測試階段。薄膜沉積PECVD覆蓋全系列PECVD薄膜材料，包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介質(zhì)薄膜材料，以及LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si等先進(jìn)介質(zhì)薄膜材料。1、邏輯：完成28nm量產(chǎn)應(yīng)用，14nm/10nm驗(yàn)證中。2、存儲(chǔ)：SiN、SiON、TEOS、ACHM材料已在64層3DNAND應(yīng)用，128層3DNAND、19/17nmDRAM產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證中。SACVDALDSATEOS、BPSG、SAF工藝取得客戶驗(yàn)證。PEALDSiO2、SiN產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中，TALDAl2O3已在客戶端驗(yàn)證。HDPCVD可以同時(shí)進(jìn)行薄膜沉積和濺射，薄膜致密度更高，已通過產(chǎn)線驗(yàn)證，可以沉積SiO2、FSG、PSG等介質(zhì)薄膜材料。微導(dǎo)納米華海清科薄膜沉積CMP1、ALD：獲得邏輯、存儲(chǔ)、化合物、新型顯示批量訂單，12寸28nm邏輯high-k設(shè)備獲得量產(chǎn)驗(yàn)證。2、CVD設(shè)備已與客戶試樣。1、邏輯：實(shí)現(xiàn)28nm及以上成熟制程的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，高端工藝技術(shù)水平14nm制程仍處于客戶驗(yàn)證階段。2、存儲(chǔ)：128層3DNAND、1X/1YDRAM實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。芯源微Track清洗28nm及以上制程全覆蓋，offline、I-line、KrF機(jī)臺實(shí)現(xiàn)批量銷售，浸沒式已完成驗(yàn)證。盛美上海至純科技萬業(yè)企業(yè)已應(yīng)用于邏輯28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及DRAM19nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并可拓展至邏輯芯片14nm、DRAM17/16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)、32/64/128層3DNAND。備已能滿足28nm全部濕法工藝需求，14nm及以下有4臺訂單交付。清洗離子注入28nm低能大束流、低能大束流重金屬、低能大束流超低溫和高能離子注入機(jī)以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。膜厚設(shè)備、OCD設(shè)備、電子束設(shè)備均已取得多家客戶批量性訂單，半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測量設(shè)備取得客戶訂單并完成交付，明場光學(xué)缺陷檢測設(shè)備已取得突破性訂單，且精測電子中科飛測量檢測量檢測完成首臺套交付。1、光學(xué)膜厚測量設(shè)備：可用于28nmFEOL和14nmBEOL節(jié)點(diǎn)制程。2、OCD設(shè)備適用于28nm節(jié)點(diǎn)及以上制程。3.電子束檢測設(shè)備：1xnm正在驗(yàn)證。已量產(chǎn)多款28nm及以上量檢測設(shè)備，2Xnm套刻精度量測設(shè)備正在驗(yàn)證，已取得客戶訂單，1Xnm無圖形晶圓檢測設(shè)備處于研發(fā)中。18資料：各公司公告，浙商證券研究所整理03

驅(qū)動(dòng)三：23年資本開支持續(xù)高位；芯片國產(chǎn)化率低長期擴(kuò)產(chǎn)需求大n

國內(nèi)頭部晶圓廠逆周期擴(kuò)產(chǎn)，23年資本開支預(yù)計(jì)持平。國內(nèi)晶圓廠逆周期擴(kuò)產(chǎn)，中芯預(yù)計(jì)23年投資額與去年持平，頭部存儲(chǔ)有序擴(kuò)產(chǎn)，疊加國內(nèi)地方晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，今年半導(dǎo)體資本開支有望維持去年高水平。展望長期，芯片國產(chǎn)化是長期擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)力，設(shè)備長期需求無虞。表.：我國12英寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃2021年底產(chǎn)能（萬片/月）

（萬片/月）規(guī)劃產(chǎn)能2021年底產(chǎn)能（萬片/月）

（萬片/月）規(guī)劃產(chǎn)能編號廠商主體工廠代碼地點(diǎn)晶圓尺寸編號廠商主體工廠代碼地點(diǎn)晶圓尺寸12中芯南方中芯南方中芯北京中芯北方中芯京城中芯京城中芯京城中芯京城中芯西青中芯東方中芯深圳上海華力上海華力華虹無錫上海華力上海華力長江存儲(chǔ)長江存儲(chǔ)長江存儲(chǔ)武漢新芯武漢新芯SN1SN2上海上海北京北京北京北京北京北京天津上海臨港深圳上海上海無錫上海無錫武漢武漢武漢武漢武漢12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸1.503.53.5622232425262728293031323334353637383940紫光集團(tuán)紫光集團(tuán)合肥長鑫合肥長鑫合肥長鑫晶合集成晶合集成S晶合集成晶合集成廣州粵芯芯恩CDFab1Fab2Fab3N1成都合肥合肥合肥合肥合肥合肥合肥廣州青島重慶廈門廈門上海南京青島淮安泉州重慶12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸12英寸043012.53B1(Fab4、6)B25.26.20合肥長鑫晶合集成012.54105012.55B3P1B3P2B3P3B3P4?44605N204705N304805N4049010104廣州粵芯芯恩?24101112131415161718192021?0?0.3-4Fab16A/BF50華潤微電子華潤微電子士蘭集科士蘭集科積塔半導(dǎo)體臺積電?-3.533.54Fab1Fab2?48士蘭微（士蘭集科）F6-8華虹集團(tuán)長江存儲(chǔ)Fab7Fab8Fab9Fab1Fab2Fab3Fab1Fab22.508積塔半導(dǎo)體臺積電5524NJFab16?208矽力杰矽力杰4451010102.511.5時(shí)代芯存福建晉華萬國半導(dǎo)體時(shí)代芯存福建晉華萬國半導(dǎo)體?-0.8360F1-F2CQ-037武漢新芯武漢新芯2.52.5合計(jì)（萬片/月）60.2270.8未來新增產(chǎn)能（萬片/月）210.619資料：ittbank，浙商證券研究所整理（數(shù)據(jù)更新或存在不及時(shí)）驅(qū)動(dòng)三：23年資本開支持續(xù)高位；芯片國產(chǎn)化率低長期擴(kuò)產(chǎn)需求大03n

當(dāng)前芯片國產(chǎn)化率極低，帶動(dòng)設(shè)備長期需求。2021年中國大陸集成電路市場規(guī)模1870億美元，ICInsights預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到2740億美元，復(fù)合增長率8%。2021年中國大陸集成電路產(chǎn)值為312億美元，純國產(chǎn)線集成電路產(chǎn)值約123億美元，占比約7%。國大陸集成電路市場的13%，其中圖：中國大陸集成電路產(chǎn)值及市場規(guī)模30022%20%18%16%14%12%10%8%250200150100506%4%2%00%2010201120122013201420152016201720182019202020212026F20中國大陸集成電路產(chǎn)值（十億美元）：ICinsights，滿天芯，浙商證券研究所整理中國大陸集成電路市場規(guī)模（十億美元）自給率（右軸，%）資料04

驅(qū)動(dòng)四：我國政策端支持預(yù)期加強(qiáng)，集成電路發(fā)展需要“舉國體制”n

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆全球化成趨勢，2022年以來各國積極制定支持政策扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。n

2023年3月10日，十四屆全國人大一次會(huì)議決議重組科學(xué)技術(shù)部，組建中央科技委員會(huì)，此舉有利于統(tǒng)籌科技創(chuàng)新各方力量，推動(dòng)健全新型舉國體制、優(yōu)化科技創(chuàng)新全鏈條管理、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化、促進(jìn)科技和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展相結(jié)合。n

2023年4月6日，全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)成立，對推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有重要作用。圖：2022年全球各國半導(dǎo)體行業(yè)政策國家/地區(qū)

時(shí)間政策要點(diǎn)規(guī)模達(dá)2800億美元，其中約520億美元用于支持本國半導(dǎo)體行業(yè)制造工廠的建造與擴(kuò)張，針對投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的廠房及設(shè)備，每案最高提供30億美元的補(bǔ)助，另提供15億美元用于發(fā)展5G開放式架構(gòu)、無線技術(shù)相關(guān)軟件開發(fā)。美國

2022.08

《芯片與科學(xué)法案》歐盟將投入超過450億歐元公共和私有資金，用于支持歐盟的芯片制造、試點(diǎn)項(xiàng)目和初創(chuàng)企業(yè)，以提升歐洲在全球芯片制造市場的份額，降低對于亞洲2022.022022.11《歐洲芯片法案》

及美國的依賴。其中，110億歐元將用于加強(qiáng)現(xiàn)有的研究、開發(fā)和創(chuàng)新，以確保部署先進(jìn)的半導(dǎo)體工具以及用于原型設(shè)計(jì)、測試的試驗(yàn)生產(chǎn)線等。此外還將在量子芯片方面建立先進(jìn)的技術(shù)和工程能力。歐盟各國特使一致同意歐盟委員會(huì)2月的芯片計(jì)劃提案的修訂版，修改部分包括允許政府對更廣泛的芯片提供補(bǔ)貼，而不僅僅是最先進(jìn)的芯片。補(bǔ)貼將覆蓋《歐洲芯片法案》

在計(jì)算能力、能源效率、環(huán)境效益和人工智能方面帶來創(chuàng)新的芯片。還增加了對歐盟委員會(huì)的限制措施，以防止該機(jī)構(gòu)在觸發(fā)緊急情況時(shí)干預(yù)公司的供應(yīng)鏈。日本

2022.02《半導(dǎo)體援助法》

對符合條件的企業(yè)，將予以最高50%的設(shè)備投資金額補(bǔ)助。新法案將籌措總額約6000億日元(52億美元)的基金用于支持芯片制造商。對投資半導(dǎo)體、電池、疫苗等三大領(lǐng)域國家戰(zhàn)略技術(shù)研發(fā)的中小企業(yè)，最多可享受投資額50%的稅額抵扣優(yōu)惠，大企業(yè)最多可抵扣30-40%；對機(jī)械裝備、生產(chǎn)線等設(shè)備的投資最多可抵扣20%（中小企業(yè))稅金，中堅(jiān)企業(yè)可抵扣12%，大企業(yè)為10%。2022.03韓國新修訂稅法圍繞四大行動(dòng)方向發(fā)展本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，包括：大力支持企業(yè)投資；官民合作培養(yǎng)半導(dǎo)體人才；確保系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)居世界領(lǐng)先地位；構(gòu)建穩(wěn)定的材料、零部件和設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。2022.07

《半導(dǎo)體超級強(qiáng)國戰(zhàn)略》將向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資2.4億加元（約合1.89億美元)，以支持對國家安全和技術(shù)進(jìn)步至關(guān)重要的芯片的研究和制造。其中1.5億加元的半導(dǎo)體ChallengeCallout基金將支持研發(fā)和供應(yīng)半導(dǎo)體，9000萬加元將分配給加拿大國家研究委員會(huì)下屬的光子學(xué)制造中心。加拿大

2022.03/意大利

2022.03印度

2022.01尚為法令草案一攬子計(jì)劃計(jì)劃在2030年之前撥出超過40億歐元(約合46億美元)來促進(jìn)國內(nèi)芯片制造業(yè)，以吸引英特爾等科技公司的更多投資。印度提供了7600億盧比(102億美元)的激勵(lì)計(jì)劃。新的一攬子計(jì)劃涵蓋了在該國建立芯片制造中心高達(dá)一半的初始成本，包括晶圓制造的前端工藝。21資料：集微網(wǎng)，浙商證券研究所整理03營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升前瞻指標(biāo)高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)兩眼業(yè)績回顧：22年&23Q1板塊業(yè)績高增長，新簽訂單亮眼2201

業(yè)績回顧：22年及23Q1營收高增長，前道設(shè)備景氣度高n

22年半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收同比增長50%，前道制造環(huán)節(jié)收入增速高于后道封裝設(shè)備。n

2022年半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入409億元，同比增長50%。其中拓荊科技、華海清科營收實(shí)現(xiàn)翻倍增長，盛美上海、長川科技、芯源微、微導(dǎo)納米、中微公司、北方華創(chuàng)營收增速同比超過50%。2023年一季度，半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)營收99億元，同比增長46%。拓荊科技、北方華創(chuàng)、華海清科、盛美上海、賽騰股份、芯源微營收同比高增長，均增速超50%。n

2022年，前道制造設(shè)備和后道封裝設(shè)備收入均實(shí)現(xiàn)高增長，同比分別增長52%、40%；2023年一季度前道封裝設(shè)備營收同比+59%，后道封裝設(shè)備受下游景氣度影響收入下滑較大，營收同比-32%。圖：22年板塊營收同比+50%，23Q1營收同比+46%圖：22年重點(diǎn)公司營收同比圖：23Q1重點(diǎn)公司營收同比4504003503002502001501005060%50%40%30%20%10%0%140%120%100%80%60%40%20%0%409125%300%250%200%150%100%50%274%52%50%105%46%41%27277%70%67%60%17952%

52%46%81%77%

74%9969%57%26%22%43%29%13%0%

-4%

-23%

-37%

-40%

-43%2%1%00%2020202120222023Q1-50%營業(yè)收入（億元）同比2023Q1營收同比2022營收yoy-100%23資料：Wind，浙商證券研究所（注：

以14家公司代表半導(dǎo)體設(shè)備板塊，包括前道芯片制造的10家公司（北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、微導(dǎo)納米、盛美上海、芯源微、華海清科、至純科技、精測電子、賽騰股份）和后道封測4家公司（華峰測控、長川科技、金、聯(lián)動(dòng)科技）

）01

業(yè)績回顧：利潤增速高于營收增速，前道設(shè)備景氣度高n

22年板塊歸母凈利潤同比增長72%，前道設(shè)備利潤大幅增長，后道設(shè)備利潤下滑。n

2022年半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤74億元，同比增長72%，其中拓荊科技、芯源微、華海清科、盛美上海、北方華創(chuàng)、長川科技?xì)w母凈利潤實(shí)現(xiàn)翻倍增長。n

2023年一季度，半導(dǎo)體設(shè)備板塊歸母凈利潤15億元，同比大幅增長96%。盛美上海22Q1受疫情影響基數(shù)較小，23Q1歸母凈利潤增速2937%，北方華創(chuàng)、至純科技、賽騰股份、中微公司、華海清科、芯源微歸母凈利潤翻倍。23Q1后道封裝設(shè)備受收入端下滑影響，歸母凈利潤均同比下滑。圖：22年板塊歸母凈利潤同比+72%，23Q1營收同比+96%圖：22年重點(diǎn)公司歸母凈利潤同比圖：23Q1重點(diǎn)公司歸母凈利潤同比500%450%400%350%300%250%200%150%100%50%80706050403020100109%120%100%80%60%40%20%0%3500%3000%2500%2000%1500%1000%500%438%2937%96%7474%4372%159%

153%

151%34%118%111%2571%41%1520%

17%

16%187%186%178%135%112%12104%0%0%-10%-39%

-58%

-95%-142%-180%0%0%2019202020212022同比2023Q1-1%-50%歸母凈利潤（億元）-500%2022歸母凈利潤yoy2023Q1歸母凈利潤同比24資料：Wind，浙商證券研究所01

業(yè)績回顧：板塊盈利能力持續(xù)提升，后道設(shè)備盈利水平階段性下滑n

2022年板塊整體盈利能力持續(xù)提升，后道盈利水平受需求影響而下滑。2022年半導(dǎo)體設(shè)備板塊毛利率為45.7%，同比+2.6pct；凈利率為18.6%，同比+2.3pct。從盈利能力看，后道設(shè)備毛利率普遍高于前道設(shè)備，華峰測控、聯(lián)動(dòng)科技、金2022年毛利率76.9%、65.4%、57.4%、56.7%，前道設(shè)備中拓荊科技2022年毛利率最高，為49.3%。、長川科技n

22&23Q1前道設(shè)備毛利率整體提高。2022年盛美上海、拓荊科技、長川科技、北方華創(chuàng)、華海清科、中微公司毛利率同比提升6.4、5.3、4.9、4.4、3.0、2.4pct，后道設(shè)備板塊華峰測控、聯(lián)動(dòng)科技、金

受下游需求影響毛利率下降，同比分別下降3.3、1.6、0.1pct。2023Q1前道設(shè)備毛利率提升較大，微導(dǎo)納米、盛美上海、芯源微毛利率提升較大，同比+16.0、7.4、6.6pct，后道設(shè)備中華峰測控、金

毛利率下滑較大。n

2023Q1板塊凈利率同比提升。2023Q1半導(dǎo)體設(shè)備毛利率44.4%，同比-1.4pct，凈利率15.4%，同比+3.2pct。圖：22年板塊毛利率提升2.7pct，凈利率提升2.3pct圖：22年重點(diǎn)公司毛利率及同比圖：23Q1重點(diǎn)公司毛利率及同比50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%45.7%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%80%70%60%50%40%30%20%10%0%44.4%43.1%41.2%18.6%16.2%15.4%14.4%0%20202021毛利率20222023Q1-10%-10