半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹(shù)2023年最新南京理工大學(xué)第一章測(cè)試

現(xiàn)代電子器件大多是基于半導(dǎo)體材料制備的？

參考答案:

對(duì)

第二章測(cè)試

p型硅摻雜V族元素，n型硅摻雜III族元素。

參考答案:

錯(cuò)

半導(dǎo)體中電流由電子電流和空穴電流構(gòu)成。

參考答案:

對(duì)

以能帶隙種類(lèi)區(qū)分，硅屬于直接能帶隙半導(dǎo)體。

參考答案:

錯(cuò)

以下哪種結(jié)構(gòu)不是固體常見(jiàn)的微觀結(jié)構(gòu)類(lèi)型？

參考答案:

結(jié)晶體

從能級(jí)角度上看，導(dǎo)體就是禁帶寬度很小的半導(dǎo)體。

參考答案:

錯(cuò)

半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一般要大于絕緣體的電導(dǎo)率。

參考答案:

對(duì)

在半導(dǎo)體中的空穴流動(dòng)就是電子流動(dòng)。

參考答案:

錯(cuò)

通常來(lái)說(shuō)，晶格常數(shù)較大的半導(dǎo)體禁帶寬度也較大。

參考答案:

錯(cuò)

溫度為300K的半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)被電子占據(jù)的幾率為（）？

參考答案:

1/2

通常對(duì)于同種半導(dǎo)體材料，摻雜濃度越高，載子遷移率越低。

參考答案:

對(duì)

第三章測(cè)試

通常情況下，pn結(jié)p區(qū)和n區(qū)的半導(dǎo)體材料不相同。

參考答案:

錯(cuò)

pn結(jié)加反偏壓時(shí)，總電流為0。

參考答案:

錯(cuò)

平衡狀態(tài)下pn結(jié)的能帶圖中，p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是分開(kāi)的。

參考答案:

錯(cuò)

金屬與n型半導(dǎo)體接觸形成歐姆接觸，此時(shí)金屬的功函數(shù)應(yīng)當(dāng)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)。

參考答案:

錯(cuò)

歐姆接觸也稱(chēng)為整流接觸。

參考答案:

錯(cuò)

通常，超晶格結(jié)構(gòu)是基于異質(zhì)結(jié)設(shè)計(jì)的。

參考答案:

對(duì)

n型增強(qiáng)型MOSFET的基底是n型半導(dǎo)體。

參考答案:

錯(cuò)

MOSFET的飽和漏極電流大小是由漏極電壓決定的。

參考答案:

錯(cuò)

MOSFET的柵極氧化層采用High-K材料的目的是增加?xùn)艠O電容。

參考答案:

錯(cuò)

BJT可用于恒定電流源的設(shè)計(jì)。

參考答案:

對(duì)

第四章測(cè)試

太陽(yáng)能電池可以吸收太陽(yáng)光的所有能量。

參考答案:

錯(cuò)

Voc是指短路電壓。

參考答案:

錯(cuò)

太陽(yáng)能電池上表面的電極會(huì)遮擋電池吸收的陽(yáng)光。

參考答案:

對(duì)

以下幾種太陽(yáng)能電池中，效率最高的是（）？

參考答案:

GaAs太陽(yáng)能電池

半導(dǎo)體光探測(cè)器本質(zhì)是一個(gè)pn結(jié)，這類(lèi)器件工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第（）象限？

參考答案:

III

對(duì)于同種半導(dǎo)體材料，通常PIN型光探測(cè)器的靈敏度要高于APD光探測(cè)器。

參考答案:

錯(cuò)

光探測(cè)器設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)是：半導(dǎo)體材料的禁帶寬度只要高于被探測(cè)光能量即可。

參考答案:

錯(cuò)

以下哪種LED量產(chǎn)最晚？

參考答案:

藍(lán)光LED

LED的壽命通常比白熾燈長(zhǎng)。

參考答案:

對(duì)

半導(dǎo)體激光器中沒(méi)有諧振腔結(jié)構(gòu)。

參考答案:

錯(cuò)

第五章測(cè)試

摩爾定律是指集成電路的集成度每12個(gè)月提升一倍。

參考答案:

錯(cuò)

早期的半導(dǎo)體公司大多成立于美國(guó)的硅谷。

參考答案:

對(duì)

目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工越來(lái)越細(xì)，主要是由于技術(shù)越來(lái)越復(fù)雜，產(chǎn)品需求量越來(lái)越大。

參考答案:

對(duì)

半導(dǎo)體代工廠中主要進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)。

參考答案:

錯(cuò)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及的知識(shí)領(lǐng)域主要是物理學(xué)和材料學(xué)，與化學(xué)無(wú)關(guān)。

參考答案:

錯(cuò)

目前量產(chǎn)的半導(dǎo)體器件節(jié)點(diǎn)尺寸是（）？

參考答案:

5nm

以下半導(dǎo)體產(chǎn)線上最昂貴的設(shè)備是（）？

參考答案:

曝光顯影機(jī)

在CMOS工藝中，通常采用對(duì)光刻膠曝光顯影來(lái)實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的圖案制備。

參考答案:

對(duì)

邏輯電路的基本元件是MOS管。

參考答案:

對(duì)

集成電路中只能制造二極管和三極管，而無(wú)法制造電阻。

參考答案:

錯(cuò)

第六章測(cè)試

利用氫氟酸蝕刻SiO2薄膜具有各向異性。

參考答案:

錯(cuò)

利用正光刻膠曝光、顯影、蝕刻的過(guò)程中，掩膜版上透光圖案對(duì)應(yīng)的基底部位將被蝕刻掉。

參考答案:

對(duì)

通過(guò)擴(kuò)散方式摻雜對(duì)雜質(zhì)濃度和摻雜深度的控制精度比通過(guò)離子注入的方式摻雜要高。

參考答案:

錯(cuò)

以下哪種材料無(wú)法通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)法制備？

參考答案:

IGZO

以下哪種不屬于化學(xué)氣相沉積法

參考答案:

DPCVD

化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)原料是氣體，反應(yīng)物是固體，副產(chǎn)物也可以是固體

參考答案:

錯(cuò)

化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法最主要的區(qū)別在于前者需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。

參考答案:

錯(cuò)

12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。

參考答案:

直徑

利用液封直拉法得到的晶錠可以直接切割成晶片。

參考答案:

錯(cuò)

以下晶體硅生長(zhǎng)過(guò)程中的產(chǎn)物中哪種是單晶體？

參考答案:

晶錠

第七章測(cè)試

通常TEM觀測(cè)的分辨率要高于SEM。

參考答案:

對(duì)

SEM觀測(cè)的主要原理是搜集入射電子激發(fā)的二次電子進(jìn)行逐點(diǎn)成像的。

參考答案:

對(duì)

表面不導(dǎo)電的樣品無(wú)法用SEM進(jìn)行觀測(cè)。

參考答案:

錯(cuò)

TEM可觀測(cè)厚度1微米以上的樣品。

參考答案:

錯(cuò)

AFM的探針針尖與樣品表面直接接觸，所以測(cè)量時(shí)會(huì)損傷樣品。

參考答案:

錯(cuò)

AFM可觀測(cè)樣品內(nèi)部形貌特征。

參考答案:

錯(cuò)

以下哪種檢測(cè)方式不涉及X射線？

參考答案