標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 1156-2016 銅銦鎵硒靶材》是一項(xiàng)針對(duì)銅銦鎵硒(CIGS)靶材的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布。該標(biāo)準(zhǔn)主要適用于薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中所使用的銅銦鎵硒四元合金靶材的質(zhì)量控制與檢驗(yàn)。
根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,首先定義了銅銦鎵硒靶材的術(shù)語(yǔ)和定義,明確了其作為濺射沉積工藝中用于制備CIGS吸收層材料的角色。接著,標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了此類(lèi)靶材應(yīng)滿(mǎn)足的技術(shù)要求,包括但不限于化學(xué)成分、密度、微觀結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵性能指標(biāo)。其中,對(duì)于各元素含量的具體范圍給予了明確規(guī)定,并強(qiáng)調(diào)了均勻性的重要性,以確保最終產(chǎn)品的一致性和可靠性。
此外,《YS/T 1156-2016》還提供了詳細(xì)的試驗(yàn)方法來(lái)驗(yàn)證上述技術(shù)要求是否得到滿(mǎn)足,比如通過(guò)X射線熒光光譜法測(cè)定主要成分比例;利用阿基米德原理測(cè)量樣品體積進(jìn)而計(jì)算出密度值;以及采用金相顯微鏡觀察內(nèi)部組織狀態(tài)等。同時(shí),也對(duì)包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及儲(chǔ)存條件提出了指導(dǎo)性意見(jiàn),旨在保證從生產(chǎn)到使用整個(gè)過(guò)程中的產(chǎn)品質(zhì)量不受損害。
最后,該文件還包括了質(zhì)量證明書(shū)的內(nèi)容要求,確保每批出廠的產(chǎn)品都能夠提供完整準(zhǔn)確的信息給用戶(hù)參考。通過(guò)實(shí)施這一系列嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,有助于提高我國(guó)CIGS薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)的整體技術(shù)水平及其在全球市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2016-07-11 頒布
- 2017-01-01 實(shí)施




文檔簡(jiǎn)介
ICS77.150.60
H62
中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YST1156—2016
銅銦鎵硒靶材
Copper-indium-galliumselenidetarget
2016-07-11發(fā)布2017-01-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布
中華人民共和國(guó)有色金屬
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
銅銦鎵硒靶材
YS/T1156—2016
*
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)
2(100029)
北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務(wù)熱線
:400-168-0010
年月第一版
201710
*
書(shū)號(hào)
:155066·2-31832
版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究
YST1156—2016
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位柳州百韌特先進(jìn)材料有限公司廣西壯族自治區(qū)冶金產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)站清遠(yuǎn)
:、、
先導(dǎo)材料有限公司北京有色金屬研究總院
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳進(jìn)中黃肇敏伍祥武朱贊芳韋莉林東東呂宏劉守廷李鳳黃夢(mèng)川
:、、、、、、、、、、
胡永玫
。
Ⅰ
YST1156—2016
銅銦鎵硒靶材
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了銅銦鎵硒靶材的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂
、、、、、、
貨單或合同內(nèi)容
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于以高純金屬銅銦鎵硒為原料經(jīng)熱壓燒結(jié)等工藝制得的銅銦鎵硒靶材產(chǎn)品主要
、、、,,
用于制取銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化層材料等
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
燒結(jié)金屬材料不包括硬質(zhì)合金可滲性燒結(jié)金屬材料密度含油率和開(kāi)孔率的測(cè)定
GB/T5163()、
無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品晶型結(jié)構(gòu)分析射線衍射法
GB/T30904X
所有部分銅銦鎵硒靶材化學(xué)分析方法
YS/T1158()
3要求
3.1產(chǎn)品分類(lèi)
銅銦鎵硒靶材按化學(xué)成分分為兩個(gè)牌號(hào)
CIGS-4N、CIGS-5N。
3.2化學(xué)成分
3.2.1主要成分
銅銦鎵硒靶材主要成分的配比應(yīng)為質(zhì)量分?jǐn)?shù)
Cu?In?Ga?Se=19.69?24.90?6.48?48.93(),
允許偏差為質(zhì)量分?jǐn)?shù)
±0.50%()。
3.2.2雜質(zhì)成分
銅銦鎵硒靶材的雜質(zhì)成分應(yīng)符合表的規(guī)定
1。
表1銅銦鎵硒靶材雜質(zhì)成分
雜質(zhì)含量質(zhì)量分?jǐn)?shù)-4不大于
()/(),
牌號(hào)×10%
雜質(zhì)總和
AlFeNiCrMnPbZnCdCoMoBaMg
CIGS-4N102010101010101010101010100
CIGS-5N12111111111110
注:表中雜質(zhì)總和為表中所列雜質(zhì)元素實(shí)測(cè)值之和
。
溫馨提示
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