標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YS/T 1124-2016 磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專門用于規(guī)定磁性濺射靶材的透磁率測(cè)量方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各類磁性材料制成的濺射靶材，包括但不限于鐵、鎳、鈷及其合金等。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試前需要準(zhǔn)備的儀器設(shè)備主要有：霍爾效應(yīng)高斯計(jì)或特斯拉計(jì)（用于磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)定）、直流電源（為電磁鐵提供穩(wěn)定電流）、以及能夠精確調(diào)節(jié)并保持恒定溫度的環(huán)境箱（確保測(cè)試過程中溫度變化對(duì)結(jié)果的影響降到最低）。此外，還需要一個(gè)可以放置樣品且不會(huì)干擾磁場(chǎng)分布的非磁性支架。

在進(jìn)行正式測(cè)試之前，應(yīng)對(duì)所有使用的設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)，并保證測(cè)試環(huán)境符合要求。具體來說，應(yīng)該在無外界強(qiáng)磁場(chǎng)干擾、溫度波動(dòng)小的空間內(nèi)開展實(shí)驗(yàn)。樣品準(zhǔn)備階段，需將待測(cè)靶材切割成合適大小和形狀的試樣，同時(shí)確保表面光滑平整，避免因物理缺陷影響到最終的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

測(cè)試流程主要包括以下幾個(gè)步驟：

  1. 將經(jīng)過處理的試樣固定于非磁性支架上；
  2. 使用霍爾效應(yīng)高斯計(jì)或其他合適的工具測(cè)量背景磁場(chǎng)強(qiáng)度；
  3. 開啟電磁鐵產(chǎn)生已知強(qiáng)度的均勻磁場(chǎng)，并再次利用高斯計(jì)確認(rèn)實(shí)際作用于樣品上的磁場(chǎng)值；
  4. 記錄下此時(shí)通過試樣的磁場(chǎng)強(qiáng)度與未加試樣時(shí)相比的變化情況；
  5. 根據(jù)公式計(jì)算出試樣的相對(duì)透磁率。

在整個(gè)過程中，需要注意的是，每次改變磁場(chǎng)強(qiáng)度后都應(yīng)重新調(diào)整高斯計(jì)的位置以保證其始終位于最大場(chǎng)強(qiáng)點(diǎn)；同時(shí)，在不同溫度條件下重復(fù)上述操作，可以獲得更加全面準(zhǔn)確的結(jié)果。

本標(biāo)準(zhǔn)還提供了關(guān)于數(shù)據(jù)處理的具體指導(dǎo)原則，包括如何消除邊緣效應(yīng)帶來的誤差、怎樣選擇合適的數(shù)學(xué)模型來擬合曲線等，旨在提高測(cè)量精度與可靠性。


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....

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  • 現(xiàn)行
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  • 2016-07-11 頒布
  • 2017-01-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77.120.99

H21

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YST1124—2016

磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法

Testingmethodonpassthroughfluxofmagneticsputteringtarget

2016-07-11發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST1124—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人羅俊鋒萬小勇向磊丁照崇李勇軍何金江徐國(guó)進(jìn)夏乾坤劉曉王越

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

YST1124—2016

磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射用磁性靶材透磁率的術(shù)語和定義檢測(cè)設(shè)備檢驗(yàn)過程及結(jié)果計(jì)算等內(nèi)容

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于濺射薄膜用各類磁性靶材透磁率的檢驗(yàn)

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)

。

2.1

透磁率passthroughflux

PTF

直流磁場(chǎng)從磁性靶材一面透過另一面的比率也稱磁透率

,。

2.2

源磁場(chǎng)sourcefield

使用霍爾探頭高斯計(jì)測(cè)量的貼近載物臺(tái)上表面的磁場(chǎng)為直流磁場(chǎng)單位為

,,Gs。

2.3

參考磁場(chǎng)referencefield

載物臺(tái)預(yù)置靶材的上表面位置的磁場(chǎng)其強(qiáng)度取決于霍爾探頭到源磁體的距離

,。

2.4

測(cè)量磁場(chǎng)measuringfield

濺射靶材置于載物臺(tái)后靶材的上表面位置的磁場(chǎng)

。

3檢測(cè)設(shè)備

透磁率檢測(cè)設(shè)備主要包括源磁體載物臺(tái)高斯計(jì)和霍爾探頭等設(shè)備放置在無鐵磁性材料或外部

、、,

強(qiáng)磁場(chǎng)干擾的環(huán)境中示意圖如圖所示

。1。

3.1源磁體

源磁體為馬蹄形永磁鐵固定到載物臺(tái)的下方并保持穩(wěn)定源磁體兩極平行于載物臺(tái)表面調(diào)整

,,。。

源磁體距離載物臺(tái)的位置使霍爾探頭高斯計(jì)測(cè)得的源磁場(chǎng)強(qiáng)度為

,825Gs±50Gs。

3.2高斯計(jì)

高斯計(jì)是透磁率檢測(cè)的核心設(shè)備附帶有橫向場(chǎng)霍爾探頭高斯計(jì)直流磁場(chǎng)測(cè)量范圍為

(PTF),。0~

精確度為霍爾探頭在源磁體兩極正中位置如圖所示霍爾探頭位于樣品上方

3500Gs,±2%。,1a)。,

僅能通過調(diào)節(jié)支架上下移動(dòng)并與磁鐵在水平位置相對(duì)固定

。

3.3載物臺(tái)

載物臺(tái)作為靶材的承載平臺(tái)存在于透磁率檢測(cè)設(shè)備中位于源磁體與霍爾探頭之間載物臺(tái)裝配有

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