電池工藝流程1化學(xué)清洗⑴原片分揀⑵去損傷層⑶制作絨面⑷鹽酸清洗2擴(kuò)散刻蝕⑴擴(kuò)散制結(jié)⑵刻蝕去邊⑶去PSG層3制減反膜PECVD設(shè)備45燒結(jié)

6分選⑴⑵

⑶把正負(fù)極和硅片燒在一起以便導(dǎo)電APCVD設(shè)備或手工噴涂⑷

清洗工藝1原片分揀（1）根據(jù)電阻率把電池分類(lèi)。硅片常見(jiàn)電阻率分類(lèi)0.5-6Ω·㎝，0.5-3Ω·㎝

，3-6Ω·㎝。

（2）把藏片，厚片，薄片，缺損片，厚度不均勻片取出2去損傷層：Si+2NaOH（30%）+H2O→Na2SiO3+2H2↑，原叫減薄（原來(lái)硅片太厚，>300μm,目前180±20μm

）。思考：為什么硅片厚度會(huì)由300降低到180？3制絨Si+2NaOH(0.8%-1.3%)+H2O→Na2SiO3+2H2↑，溶液中加有酒精或異丙醇，增加各向異性引子，加速形成金字塔。85℃左右，時(shí)間10-50分鐘4鹽酸洗（V濃鹽酸：V水=1:6）或鹽酸（37%）雙氧水（30%）混合洗（II號(hào)清洗液）（V濃鹽酸：V雙氧水：V水=1：1：6）85℃左右，清洗5-20分鐘。鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與Pt2+、Ag+、Cd2+、Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物。5HF洗（VHF:V水=1：10），室溫,5-10分鐘。有些廠家不用。返回首頁(yè)兩張多晶硅絨面顯微照片擴(kuò)散POCl3在高溫下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反應(yīng)式如下如果氧氣充足，PCl5能和氧繼續(xù)反應(yīng)生成Cl2和P2O5。為了避免產(chǎn)生PCl5，應(yīng)通入適量氧氣。等離子刻蝕硅擴(kuò)散后硅片表面有磷硅玻璃產(chǎn)生。SiO2混合P和P2O5。用HF清洗掉表面的磷硅玻璃。HF和水體積比1:10偏磷酸P2O5+H2O-------2HPO3H3PO4-------HPO3+H2O返回首頁(yè)返回首頁(yè)紅外加熱燈管鹵鎢燈縱向溫度分布曲線橫向溫度的穩(wěn)定性連續(xù)和非連續(xù)放片返回首頁(yè)溫區(qū)1溫區(qū)2溫區(qū)3溫區(qū)4溫區(qū)5溫區(qū)6溫區(qū)7150℃200℃300℃400℃560℃640℃875℃一個(gè)燒結(jié)爐的溫區(qū)溫度

分選測(cè)試光源：氙燈。模擬太陽(yáng)光。AM1.51000W/m2分檔方法：1按轉(zhuǎn)換效率(功率)分檔2按最大功率點(diǎn)電流分檔后者更好些。測(cè)試參數(shù)：Voc開(kāi)路電壓Isc短路電流FF填充因子Pm最大功率Ipm最大功率處電流Vpm最大功率處電壓

Rs串聯(lián)電阻

Rsh并聯(lián)電阻返回首頁(yè)2.3去磷硅玻璃3制減反膜4.1背電極印刷4.2背場(chǎng)印刷4.3正面電極印刷5燒結(jié)

清洗前檢測(cè)(據(jù)厚度、電阻率等分揀，分揀儀器)刻蝕結(jié)果檢測(cè)(萬(wàn)用表)減反膜檢測(cè)(橢偏儀)2.2刻蝕機(jī)×3清洗結(jié)果檢測(cè)(反射儀,顯微鏡)水質(zhì)監(jiān)測(cè)(電導(dǎo)率儀)化學(xué)品稱(chēng)量(一般電子秤)1清洗機(jī)一套2.1擴(kuò)散爐×2擴(kuò)散結(jié)果檢測(cè)(方塊電阻測(cè)試儀)環(huán)境監(jiān)測(cè)(塵埃粒子計(jì)數(shù)器)6分選爐溫測(cè)試儀歐姆接觸測(cè)試儀電池生產(chǎn)線所需設(shè)備漿料用量稱(chēng)量(高精度電子秤)4印刷＋液氮和液氧儲(chǔ)罐＋CF4儲(chǔ)罐＋硅烷氨氣儲(chǔ)罐+硅烷燃燒塔凈化隔離工程返回首頁(yè)1車(chē)間環(huán)境要求擴(kuò)散要求最高，10000級(jí)，即每立方英尺中粒徑≧0.5微米的粒子不超過(guò)10000個(gè)。（美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)為ISO14644）。建議把車(chē)間所有工序凈化等級(jí)設(shè)置為10000級(jí)。2地區(qū)大氣環(huán)境（1）塵埃粒子與凈化成本；空氣循環(huán)送風(fēng)。（2）鈉離子對(duì)半導(dǎo)體器件的危害洛杉磯每立方大氣中1013鈉離子。直徑0.1微米的NaCl粒子，潮解后會(huì)擴(kuò)展為直徑50微米的圓面積，相當(dāng)于64k存儲(chǔ)器一半的面積。鈉等金屬離子在硅材料中是有效的復(fù)合中心，它們會(huì)降低電池的電性能。鈉離子的可移動(dòng)性會(huì)降低組件的壽命，是組件衰減過(guò)快。

潔凈室級(jí)別

適用的工序100級(jí)光刻100-1000級(jí)制版中精縮、顯影10000級(jí)芯片工藝中的氧化、擴(kuò)散、金屬化、清洗10000-100000級(jí)中測(cè)、劃片100000級(jí)組裝、壓焊100000級(jí)以下封裝以后的各工序操作人員（不同的工作服）不同行動(dòng)發(fā)塵量參考量0.5微米以上（個(gè)/分，人）普通工作服防塵服白衣型全套型起立3390001130005580坐下302001120007420手腕上下動(dòng)29800018600上體前屈53800024200腕自由運(yùn)動(dòng)29800020600頭部上下左右運(yùn)動(dòng)63100015100011000上體扭動(dòng)85000026600014900屈身60500037400腳動(dòng)86100044600步行56000車(chē)間濕度和溫度

太陽(yáng)能電池車(chē)間對(duì)濕度和溫度沒(méi)有特別嚴(yán)格的要求。

1.只要車(chē)間是干凈的，在日常的濕度條件下，尚未發(fā)現(xiàn)濕度對(duì)生產(chǎn)的影響。前提是車(chē)間沒(méi)有對(duì)濕度有要求的工藝。

有些設(shè)備對(duì)濕度有要求，但是超過(guò)此要求并為發(fā)現(xiàn)工藝有異?，F(xiàn)象?？赡苁窃O(shè)備長(zhǎng)期在高濕度條件下運(yùn)行有縮短壽命的可能。

60%的濕度是最適合人生存的濕度。濕度如果太低，人體容易積累靜電（上千伏），可能會(huì)對(duì)電池造成損害。

2.印刷、分選對(duì)環(huán)境溫度的要求。

人對(duì)環(huán)境溫度的要求。

做一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù)人員需要具備的東西：1熟悉所用到的所有的化學(xué)品的物理化學(xué)性質(zhì)。HF，H2SO4，雙氧水，鹽酸，氫氧化鈉，酒精，異丙醇，三氯氧磷，去離子水，硅烷，氨氣，四氟化碳2盡可能掌握每個(gè)工序的細(xì)節(jié)（比如印刷）3熟悉所用到的器具及材料的物理化學(xué)性質(zhì)（比如片架（花籃）聚四氟乙烯，漿料）4勤于思考，能發(fā)現(xiàn)新問(wèn)題，解決新問(wèn)題最好熟悉電池生產(chǎn)線中所有的東西。比如純水制造，硅烷燃燒塔，酸氣處理裝置等。推薦幾本書(shū)：

《硅及其氧化物的電化學(xué)》《太陽(yáng)電池標(biāo)準(zhǔn)匯編》

《等離子體加工技術(shù)》