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電性能參數(shù)介紹電參數(shù)介紹Uoc:開路電壓Isc：短路電流Rs：串聯(lián)電阻Rsh：并聯(lián)電阻FF：填充因子Pmpp：最大功率Umpp：最大功率點電壓Impp：最大功率點電流Irev1：反向電流1(-10V)Irev2：反向電流2(-12V)Ncell：轉(zhuǎn)換效率PmppImppPmax△I△VRs是該段線斜率Rs=dU/(Isc1-Isc2)歐姆特性和二極管特性各個參數(shù)之間的關(guān)系在所有參數(shù)中，只有電壓和電流是測量值，其他參數(shù)均是計算值。Pmpp為在I-V曲線上找一點，使該點的電壓乘以電流所得最大，該點對應(yīng)的電壓就是最大功率點電壓Umpp，該點對應(yīng)得電流就是最大功率點電流ImppRs為在光強為1000W/M2和500W/M2下所得最大功率點的電壓差與電流差的比值，只是一個計算值，所以有時候會出現(xiàn)負值的情況Rsh為暗電流曲線下接近電流為0時曲線的斜率Irev1為電壓為-10V時的反向電流Irev2為電壓為-12V時的反向電流Rs和Rsh決定FFRsh和Irev1、Irev2有對應(yīng)的關(guān)系計算公式：Ncell=Pmpp/S（硅片面積）Pmpp=Umpp*Impp=Uoc*Isc*FFFF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc）測試外部參數(shù)影響I/AU/V溫度升高溫度正常測試溫度為25±2℃，隨著溫度的升高，開路電壓急劇降低，短路電流略微增大，整體轉(zhuǎn)換效率降低正常光強為1000±50W/M2，隨著光強的降低，開路電壓略微降低，短路電流急劇下降，整體轉(zhuǎn)換效率降低U/V光強I/A光強降低串阻Rs組成測試中的串聯(lián)電阻主要由以下幾個方面組成：1.材料體電阻（可以認為電阻率為ρ的均勻摻雜半導體）2.正面電極金屬柵線體電阻3.正面擴散層電阻4.背面電極金屬層電阻5.正背面金屬半導體接觸電阻6.外部因素影響，如探針和片子的接觸等燒結(jié)的關(guān)鍵就是歐姆接觸電阻，也就是金屬漿料與半導體材料接觸處的電阻?？梢赃@樣考慮，上述1.2.3.4項電阻屬于固定電阻，也就是基本電阻；5則是變量電阻燒結(jié)效果的好壞直接影響Rs的最終值；6屬于外部測試因素，也會導致Rs變化Rs影響因素探針臟探針壽命到期是是是是Rsh影響因素Uoc影響因素Isc影響因素四、粗線：1.網(wǎng)版使用次數(shù)太多，張力不夠——更換網(wǎng)版2.網(wǎng)版參數(shù)不合格——核對該批網(wǎng)版參數(shù)，更換網(wǎng)版3.漿料太稀，漿料攪拌時間太長——嚴格執(zhí)行漿料攪拌時間規(guī)定4.網(wǎng)印機參數(shù)不合適

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