ICS31.200L56中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4377-1996半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理SemiconductorintegratedcircuitsGeneralprinciplesofmeasuringmethodsofvoltageregulator1996-07-09發(fā)布1997-01-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

次主題內(nèi)容與適用范圍引用標(biāo)準(zhǔn)3電特性測(cè)試………4.1電壓調(diào)整率Sv和電壓穩(wěn)定系數(shù)Sv。4.2電流調(diào)整率S，和電流穩(wěn)定系數(shù)S。4.3紋波抑制比Sm4.4輸出電壓溫度系數(shù)Sr4.5輸出電壓長(zhǎng)期穩(wěn)定性S.4.6輸出噪聲電壓VNo·4.7備用消耗電流/o和備用消耗電流變化o4.8短路電流1os…4.9出阻抗Zo4.10基準(zhǔn)電壓VREF4.11啟動(dòng)電壓范圍Vor4.12熱調(diào)整率S。…4.13最小輸入輸出壓差I(lǐng)，-Volcma4.14入電壓變化瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間和輸入電壓變化瞬態(tài)過(guò)沖電壓V14“.15負(fù)載電流交化瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間和負(fù)教電流變化瞬態(tài)過(guò)沖電壓Vm"o，

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理GB/T4377-1996Semiconductorintegratedcircuits代替GB4377-84Generalprinciplesofmeasuringmethodsofvoltageregulator主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器(以下簡(jiǎn)稱器件)電特性測(cè)試方法的基本原理本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器電特性的測(cè)試，不適用于雙端（單端口)器件。引用標(biāo)準(zhǔn)GB3431.1半導(dǎo)體集成電路文字符號(hào)電參數(shù)文字符號(hào)總的要求37在所有測(cè)試期間，應(yīng)注意查明沒(méi)有寄生振蕩出現(xiàn)、3.2偷入電源對(duì)測(cè)試中所使用的信號(hào)頻率應(yīng)基本上具有零阻抗。3.3應(yīng)避免不希塑有的瞬態(tài)輸入電壓和電流。3.4如果測(cè)試結(jié)果由熱效應(yīng)影響，則測(cè)試應(yīng)在短時(shí)間內(nèi)完成。例如，推薦脈沖法，在這種情況中，應(yīng)規(guī)定脈沖條件。3.5所有測(cè)試設(shè)備應(yīng)僅引入忽略不計(jì)的誤差。上述適用于靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試3.6相對(duì)于被測(cè)電壓差，輸出電壓測(cè)試設(shè)備應(yīng)必須具有滿足要求的靈敏度。相適應(yīng)的方法即是輸出電壓Vo與高穩(wěn)定預(yù)調(diào)基準(zhǔn)電壓Vaer相比較。然后Vo與Veer之差被檢測(cè)和放大，最好采用增益穩(wěn)定放大3.7若無(wú)特殊說(shuō)明,在器件測(cè)試期間，環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定.3.8被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開(kāi)時(shí)，不應(yīng)超過(guò)器件的使用極限條件。3.9測(cè)試期間，被測(cè)器件應(yīng)連接詳細(xì)規(guī)范所規(guī)定的附加網(wǎng)絡(luò)。3.10圖1為總測(cè)試電路，圖2～圖16為圖1分解后各參數(shù)的測(cè)試電路。3.1