ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標準

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

表面化學分析二次離子質譜

硅中硼深度剖析方法

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—

Methodfordepthprofilingofboroninsilicon

ISO175602014IDT

(:,)

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

符號和縮略語

3……………1

原理

4………………………2

參考物質

5…………………2

用于校準相對靈敏度因子的參考物質

5.1……………2

用于校準深度的參考物質

5.2…………2

儀器

6………………………2

二次離子質譜儀

6.1……………………2

觸針式輪廓儀

6.2………………………2

光學干涉儀

6.3…………………………2

樣品

7………………………2

步驟

8………………………2

二次離子質譜儀的調整

8.1……………2

優(yōu)化二次離子質譜儀的設定

8.2………………………3

進樣

8.3…………………3

檢測離子

8.4……………3

樣品檢測

8.5……………3

校準

8.6…………………4

結果表述

9…………………5

測試報告

10…………………5

附錄資料性針式表面輪廓儀測試統計報告

A()………6

參考文獻

………………………8

Ⅰ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件使用翻譯法等同采用表面化學分析二次離子質譜硅中硼深度剖析方

ISO17560:2014《

法

》。

與本文件中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下

:

表面化學分析二次離子質譜用均勻摻雜物質測定硅中硼的原子濃

———GB/T20176—2006

度

(ISO14237:2000,IDT)

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所

:。

本文件主要起草人馬農農何友琴陳瀟張鑫王東雪李展平

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

引言

本文件為使用二次離子質譜對硅中硼定量深度剖析而

(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)

制定

。

對于定量深度剖析元素濃度和剖析深度的定標都是必不可少的中規(guī)定了硅中

,。ISO14237:2010

硼濃度的測定方法本文件中引用了該國際標準國家標準[2]中建立了表面化學分析領

,。GB/T22461

域常規(guī)術語和譜學術語的詞匯表本文件中涉及的相關術語和詞匯與之一致

,。

本文件適用于采用二次離子質譜法對單晶硅多晶硅非晶硅中硼元素進行深度剖析及用觸針式

、、,

表面輪廓儀或光學干涉儀進行深度定標

。

Ⅳ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

表面化學分析二次離子質譜

硅中硼深度剖析方法

1范圍

本文件描述了用扇形磁場或四極桿式二次離子質譜儀對硅中硼進行深度剖析的方法以及用觸針

,

式表面輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法

。

本文件適用于硼原子濃度范圍163203的單晶硅多晶硅或非晶

1×10atoms/cm~1×10atoms/cm、

硅樣品濺射弧坑深度在及以上

,50nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

表面化學分析二次離子質譜用均勻摻雜物質測定硅中硼的原子濃度

ISO14237:2010(Sur-

facechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determinationofboronatomicconcentra-

tioninsiliconusinguniformlydopedmaterials)

3符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件

。

Ci第i個測試周期時硼總原子濃度用單位體積原子個數3表示

,,(atoms/cm)

Ci10第i個測試周期時硼同位素的原子濃度用單位體積原子個數3表示

,10,(atoms/cm)

Ci11第i個測試周期時硼同位素的原子濃度用單位體積原子個數3表示

,11,(atoms/cm)

di第i個測試周期時的深度用微米或納米表示

,(μm)(nm)

dt弧坑的深度用微米或納米表示

,(μm)(nm)

Ii10第i個周期測試時硼同位素離子強度用每秒計數表示

,10,(counts/s)

Ii11第i個測試周期時硼同位素離子強度用每秒計數表示

,11,(counts/s