標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 35308-2017 太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對用于太陽能電池制造中的鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片的質(zhì)量和技術(shù)要求進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于直接帶隙半導(dǎo)體材料如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等在鍺襯底上生長的外延層，這些材料廣泛應(yīng)用于高效太陽能電池中。

根據(jù)這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，首先定義了術(shù)語和定義部分，明確了什么是“鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片”以及與之相關(guān)的其他專業(yè)詞匯。接著，在技術(shù)要求章節(jié)中詳細(xì)列出了對于此類外延片的各項(xiàng)性能指標(biāo)要求，包括但不限于：

  • 尺寸公差：規(guī)定了外延片直徑、厚度及其允許偏差范圍。
  • 表面質(zhì)量：對外延片表面缺陷（如劃痕、顆粒污染等）的數(shù)量及大小進(jìn)行了限制。
  • 結(jié)構(gòu)特性：描述了外延層結(jié)構(gòu)的要求，比如單晶或多晶形態(tài)、界面清晰度等。
  • 電學(xué)性質(zhì)：設(shè)定了載流子濃度、遷移率等關(guān)鍵電參數(shù)的具體數(shù)值范圍。
  • 光學(xué)特性：指定了反射率、透射率等相關(guān)光學(xué)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)值。
  • 雜質(zhì)含量：對可能影響材料性能的各種雜質(zhì)元素的最大允許濃度給出了限定。

此外，《GB/T 35308-2017》還包含了測試方法章節(jié)，提供了驗(yàn)證上述各項(xiàng)技術(shù)要求是否達(dá)標(biāo)的方法指南。這包括物理尺寸測量、表面形貌分析、電學(xué)性能測試等多種實(shí)驗(yàn)手段，并且推薦使用特定儀器設(shè)備來保證檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。

最后，包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存等方面也有所涉及，旨在確保產(chǎn)品從生產(chǎn)到交付整個過程中的安全性和完整性。通過遵循本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，可以有效提升鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片的質(zhì)量水平，進(jìn)而促進(jìn)高性能太陽能電池的研發(fā)與應(yīng)用。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-12-29 頒布
  • 2018-07-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35308—2017

太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

EpitaxialwafersofgermaniumbasedⅢ-Ⅴcompoundsforsolarcell

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T35308—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC02)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位天津三安光電有限公司廈門市三安光電科技有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研

:、、

究院

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人畢京鋒宋明輝李森林陳文浚吳超瑜王篤祥楊素心

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T35308—2017

太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用鍺基族化合物外延片以下簡稱外延片的術(shù)語和定義分類及

Ⅲ-Ⅴ(“”)、

牌號要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和質(zhì)量證明書

、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽能電池用鍺基族化合物外延片

Ⅲ-Ⅴ。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T6624

砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

GB/T8758

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

重?fù)叫凸枰r底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法

GB/T24580n

原子力顯微鏡測量濺射薄膜表面粗糙度的方法

GB/T31227

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

白點(diǎn)whitedots

外延片上直徑大于且小于的亮點(diǎn)

1mm、2mm。

32

.

晶片污染wafercontamination

由于襯底加工過程或外延過程異常導(dǎo)致外延片表面形成直徑大于的非定向散光現(xiàn)象

2mm。

33

.

晶格失配度latticemismatch

數(shù)值上等于外延層晶格常數(shù)a與襯底晶格常數(shù)a之差除以襯底的晶格常數(shù)a是描述襯底與外

e00,

延層晶格匹配的常量

。

4分類及牌號

41分類

.

411外延片按照外延結(jié)構(gòu)分為晶格匹配電池外延片和晶格失配電池外延片

..。

412外延片按襯底直徑主要分為ΦΦΦ

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