標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 32280-2015 硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范硅片翹曲度的測(cè)量方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體行業(yè)中使用的單晶硅、多晶硅以及其他類型的硅片材料。其主要目的是通過定義一種標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試程序來(lái)確保不同實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)線上所獲得的翹曲度數(shù)據(jù)具有可比性和一致性。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),采用的是自動(dòng)非接觸式的掃描技術(shù)來(lái)進(jìn)行硅片表面形狀的精確測(cè)量。這種方法利用了光學(xué)原理或者其他形式的非接觸式探測(cè)手段,能夠準(zhǔn)確地獲取到硅片面形的信息,并據(jù)此計(jì)算出硅片的最大翹曲程度。標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)描述了測(cè)試前準(zhǔn)備工作的要求,包括但不限于樣品的選擇與處理、環(huán)境條件控制等;還規(guī)定了具體的測(cè)量步驟,比如如何設(shè)置設(shè)備參數(shù)、怎樣放置被測(cè)樣品以及執(zhí)行掃描的具體流程;此外,對(duì)于數(shù)據(jù)分析的方法也有明確指示,指出了如何從原始數(shù)據(jù)中提取有效信息并最終得到翹曲度值。
在應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)時(shí),需嚴(yán)格按照其中的規(guī)定操作,以保證測(cè)試結(jié)果的有效性和可靠性。同時(shí),為了提高測(cè)試精度和重復(fù)性,標(biāo)準(zhǔn)建議使用經(jīng)過校準(zhǔn)的專業(yè)儀器,并且定期對(duì)這些設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和檢查。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 32280-2022
- 2015-12-10 頒布
- 2017-01-01 實(shí)施



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GB/T 32280-2015硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS77040
H21.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T32280—2015
硅片翹曲度測(cè)試
自動(dòng)非接觸掃描法
Testmethodforwarpofsiliconwafers—
Automatednon-contactscanningmethod
2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T32280—2015
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司
:、、、
浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心東莞市華源光電科技有限公司
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕何宇徐新華王飛堯張海英樓春蘭向興龍
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T32280—2015
硅片翹曲度測(cè)試
自動(dòng)非接觸掃描法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片翹曲度的非破壞性自動(dòng)非接觸掃描測(cè)試方法
、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的切割研磨腐蝕拋光刻
50mm,100μm、、、、、
蝕外延或其他表面狀態(tài)硅片的翹曲度測(cè)試本方法可用于監(jiān)控因熱效應(yīng)和或機(jī)械效應(yīng)引起的硅片
、。()
翹曲也可用于砷化鎵藍(lán)寶石等其他半導(dǎo)體晶片的翹曲度測(cè)試
,、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法
GB/T6620
半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
GB/T14264
硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T29507、
潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范
GB50073—2013
3術(shù)語(yǔ)和定義
界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
典型片representativewafer
利用翻轉(zhuǎn)的方法進(jìn)行重力校正的代表性晶片典型片應(yīng)與被測(cè)晶片具有完全相同的標(biāo)稱直徑標(biāo)
。、
稱厚度基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向
、。
4方法提要
將被測(cè)晶片放置在平坦?jié)崈舻男∥P上吸盤帶動(dòng)晶片沿規(guī)定的圖形在兩個(gè)相對(duì)的探頭之間運(yùn)
、,
動(dòng)兩個(gè)探頭同時(shí)對(duì)晶片的上下表面進(jìn)行掃描獲得一組晶片上下表面分別到最近的探頭間的距離數(shù)
,,
據(jù)對(duì)應(yīng)掃描的每一點(diǎn)得到一對(duì)X和Y坐標(biāo)都相同的距離數(shù)值成對(duì)的位移數(shù)值用于構(gòu)造一個(gè)中位
。,;
面而在中位面上的重力效應(yīng)的校正是通過從一個(gè)典型片測(cè)量值或理論值減去一個(gè)重力校正值得到
,,
的也可以通過翻轉(zhuǎn)晶片重復(fù)掃描進(jìn)行校正從合適的中位面構(gòu)造一個(gè)最小二乘法基準(zhǔn)面計(jì)算每對(duì)測(cè)
,。,
量點(diǎn)上的基準(zhǔn)面偏離翹曲度即為最大的正數(shù)和最小的負(fù)數(shù)間的代數(shù)差
(RPD)。(RPD)(RPD)。
注晶片的翹曲可能是由于晶片的上下表面不相同的應(yīng)力造成的所以它不可能通過測(cè)量其中一個(gè)面確定中位
:,。
面包含了向上向下或兩者都有的曲度在某些情況下中位面是平的因此翹曲度為零或正數(shù)值
、,,,,。
5干擾因素
51
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