標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 31472-2015 X光電子能譜中荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一,主要針對使用X射線光電子能譜(XPS)技術(shù)時遇到的樣品表面荷電效應(yīng)問題提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)旨在通過規(guī)范化的操作流程和技術(shù)要求,減少或消除由于樣品表面荷電引起的測量誤差,從而提高分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
標(biāo)準(zhǔn)首先定義了與荷電相關(guān)的一些術(shù)語,如“荷電”、“荷電校正”等,并介紹了產(chǎn)生荷電現(xiàn)象的原因及其對XPS測試結(jié)果的影響機制。接著,文檔詳細(xì)說明了如何選擇合適的荷電控制方法,包括但不限于采用導(dǎo)電膠帶、導(dǎo)電銀漆或者在樣品背面蒸鍍金屬膜等方式來改善樣品導(dǎo)電性;同時也提到了利用低能量電子束或離子槍轟擊樣品表面以中和多余的電荷等手段。
此外,《GB/T 31472-2015》還特別強調(diào)了選取適當(dāng)?shù)暮呻妳⒖键c對于實現(xiàn)精確校正的重要性。它建議根據(jù)具體實驗條件及待測材料特性選擇最適宜的內(nèi)標(biāo)物作為參照,比如C 1s峰通常被廣泛接受為一個穩(wěn)定可靠的內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn),但也有其他元素如Au 4f也可以作為替代選項。
最后,該標(biāo)準(zhǔn)給出了實施上述措施后如何評估荷電校正效果的具體步驟,包括檢查校正前后譜圖的變化情況以及計算相應(yīng)的結(jié)合能偏移量等。同時提醒使用者注意,在實際應(yīng)用過程中還需要綜合考慮儀器狀態(tài)、環(huán)境因素等多個方面的影響,確保所采取的方法能夠有效解決特定條件下出現(xiàn)的問題。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實施




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GB/T 31472-2015X光電子能譜中荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南-免費下載試讀頁文檔簡介
ICS1722020
N26..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T31472—2015
X光電子能譜中荷電控制和
荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
Standardguidetochargecontrolandchargereferencing
techniquesinX-rayphotoelectronspectroscopy
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T31472—2015
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院蘇州晶瑞化
:、、
學(xué)有限公司天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李雨辰何秀坤劉筠劉兵李翔
:、、、、。
Ⅰ
GB/T31472—2015
引言
射線光電子能譜用于固體材料表面元素組成和元素化合態(tài)的測試與表征通過某一元素結(jié)合能
X,
的細(xì)微變化可獲得該元素化合態(tài)信息
。
對于絕緣樣品表面光激發(fā)的光電子發(fā)射會導(dǎo)致表面正電荷積累改變表面電勢因此使測得的
,X,,
光電子譜峰位向高結(jié)合能偏移表面感生電荷的數(shù)量在樣品表面的分布及其與試驗條件的依賴關(guān)系
。、
決定于許多因素包括樣品成分樣品的均勻性表面電導(dǎo)率總光致電離截面表面形貌激發(fā)光的
,、、、、、X
特殊空間分布中和電子等荷電積累是發(fā)生在樣品表面和材料內(nèi)部的三維現(xiàn)象
、。。
本標(biāo)準(zhǔn)描述了各種已經(jīng)或即將用于采集和解析絕緣樣品表面的射線光電子能譜數(shù)據(jù)的荷電控
X
制與針對荷電偏移的校正方法目的是通過控制荷電積累校正由于表面充電引起的結(jié)合能飄移以得
,,,
到有意義且可重現(xiàn)的絕緣樣品的測試數(shù)據(jù)
。
Ⅱ
GB/T31472—2015
X光電子能譜中荷電控制和
荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了射線光電子能譜的荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)
X(XPS)。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于荷電控制和荷電定位技術(shù)不適用于其他電子激發(fā)系統(tǒng)
XPS,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
表面化學(xué)分析詞匯
GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)
表面化學(xué)分析射線光電子能譜儀能量標(biāo)尺的校準(zhǔn)
GB/T22571—2008X
俄歇電子能譜術(shù)和射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
SJ/T10458—1993X
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T22461—2008。
4符號和縮略語
下列符號和縮略語適用于本文件
。
BE結(jié)合能單位為電子伏
———,(eV);
BE校準(zhǔn)后結(jié)合能單位為電子伏
corr———,(eV);
BE測量結(jié)合能單位為電子伏
meas———,(eV);
BE參考結(jié)合能單位為電子伏
ref———,(eV);
BE參考線的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合能單位為電子伏
meas,ref———,(eV);
譜峰在背底以上半高峰寬單位為電子伏
FWHM———,(eV);
Δ荷電校正時與測得的結(jié)合能相加的校準(zhǔn)能量值單位為電子伏
corr———,(eV)。
5儀器
51實際的譜儀可能應(yīng)用了本標(biāo)準(zhǔn)中涉及的一個或多個荷電補償技術(shù)在儀器操作過程中應(yīng)遵
.XPS。
循廠家提供的手冊和其他說明文件進行
。
52荷電控制需要特殊的儀器附件如電子中和槍或沉積物蒸發(fā)源
.,。
53特定樣品裝備程序例如將樣品安裝在細(xì)金屬網(wǎng)眼下[5
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