ICS7704099

H21..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30655—2014

氮化物L(fēng)ED外延片內(nèi)量子效率測試方法

TestmethodsforinternalquantumefficiencyofnitrideLEDepitaxiallayers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30655—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會和全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人魏學(xué)成趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30655—2014

氮化物L(fēng)ED外延片內(nèi)量子效率測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了族氮化物外延片內(nèi)量子效率的測試方法

Ⅲ-ⅤLED。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于基于族氮化物的量子阱內(nèi)量子效率的測試

Ⅲ-ⅤLED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度正確度與精密度

GB/T6379()

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

輻射復(fù)合radiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時會釋放一定的能量如果能量以光子的形

,,

式釋放這種復(fù)合稱為輻射復(fù)合

,。

32

.

非輻射復(fù)合nonradiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時會釋放一定的能量以除光子輻射之外的

,,

其他方式釋放能量的復(fù)合稱為非輻射復(fù)合

。

33

.

光提取效率extractionefficiency

發(fā)光二極管單位時間內(nèi)發(fā)出的光子數(shù)與有源區(qū)內(nèi)輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子數(shù)之間的比值

。

34

.

外量子效率externalquantumefficiency

單位時間內(nèi)注入的載流子數(shù)對外發(fā)出的光子數(shù)與注入載流子數(shù)之間的比值

。

35

.

內(nèi)量子效率internalquantumefficiency

在一定的注入條件下單位時間內(nèi)輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子數(shù)與單位時間內(nèi)注入的復(fù)合載流子總數(shù)之

,

間的比值

。

36

.

注入效率injectionefficiency

在一定注入條件下單位時間內(nèi)注入有源區(qū)中產(chǎn)生復(fù)合的載流子數(shù)與注入載流子總數(shù)之間的比值

。

37

.