1晶體(jīngtǐ)生產(chǎn)工藝□直拉法晶體生長(zhǎng)概念及流程□導(dǎo)流筒懸掛(xuánguà)方式□單晶拉制□中途取晶操作□常見異?！蹙毩?xí)題精品資料直拉法制備硅單晶過(guò)程：

把多晶硅放入石英坩堝，在單晶爐內(nèi)利用加熱器將硅原料熔化；然后(ránhòu)用一根設(shè)定晶向的籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體充分熔接后，慢慢向上提拉籽晶，晶體在籽晶下端生長(zhǎng)。籽晶軸（鋼纜(ɡānɡlǎn)）提升裝置籽晶和夾頭加熱器石英坩堝一、直拉法晶體生長(zhǎng)概念及流程熔硅晶體晶體旋轉(zhuǎn)（逆時(shí)針）坩堝旋轉(zhuǎn)（順時(shí)針）1、生長(zhǎng)概念2精品資料裝料抽空(chōukòng)化料穩(wěn)溫引晶放肩引晶放肩等徑收尾轉(zhuǎn)肩檢漏(jiǎnlòu)壓力化粘渣轉(zhuǎn)肩等徑停爐收尾拆清爐一、直拉法晶體生長(zhǎng)概念及流程2、生長(zhǎng)流程3精品資料二、導(dǎo)流筒懸掛(xuánguà)方式化料1化料2化料31、導(dǎo)流筒上掛式4精品資料化料1化料2化料3二、導(dǎo)流筒懸掛(xuánguà)方式2、導(dǎo)流筒下放(xiàfàng)式5精品資料在主界面選擇(xuǎnzé)【工藝選擇(xuǎnzé)】按鈕，系統(tǒng)顯示自動(dòng)工藝選擇(xuǎnzé)畫面；在自動(dòng)工藝界面選擇(xuǎnzé)【開始自動(dòng)拉晶】按鈕，系統(tǒng)將顯示下面的界面；1、抽真空三、單晶拉制6精品資料抽真空(zhēnkōng)確認(rèn)點(diǎn)檢根據(jù)界面提示(tíshì)檢查無(wú)誤按確定按鈕，系統(tǒng)顯示檢查2畫面；根據(jù)界面提示檢查無(wú)誤按確定按鈕，系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至抽真空工序界面并運(yùn)行抽空工序；三、單晶拉制7精品資料系統(tǒng)進(jìn)入抽真空工序，程序?qū)⒁来未蜷_主真空球閥、智能蝶閥，整個(gè)抽空工序?qū)⒁罁?jù)(yījù)SOP工藝參數(shù)自動(dòng)執(zhí)行；過(guò)程中根據(jù)工藝設(shè)定自動(dòng)關(guān)閉或打開主真空球閥、氬氣閥連續(xù)沖洗爐子若干分鐘，然后將爐內(nèi)壓力抽至極限，這樣可有效排除爐內(nèi)空氣、水氣，獲得較潔凈的晶體生長(zhǎng)環(huán)境。三、單晶拉制(lāzhì)8精品資料檢漏就是通過(guò)測(cè)量一定時(shí)間內(nèi)爐內(nèi)壓力的增加速度來(lái)確定爐體是否漏氣（10min小于30mtor）。如果爐體密封不嚴(yán)就會(huì)導(dǎo)致外部空氣進(jìn)入爐體，從而使?fàn)t內(nèi)環(huán)境惡化(èhuà)，此時(shí)高溫熔硅極易和空氣中的多種成分發(fā)生反應(yīng)。從而無(wú)法生長(zhǎng)單晶。在自動(dòng)檢漏時(shí)，程序會(huì)自動(dòng)關(guān)閉所有氣動(dòng)閥門使?fàn)t體處于密閉狀態(tài)。操作者需要注意的是：在檢漏氬氣屏幕被屏蔽，不可操作。當(dāng)信息欄提示抽真空完成蜂鳴器報(bào)警時(shí)，在抽真空工序界面按【工藝選擇(xuǎnzé)】按鈕進(jìn)入工序選擇(xuǎnzé)界面；2、檢漏三、單晶拉制9精品資料選擇【檢漏】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至檢漏工序界面并運(yùn)行檢漏工序；）程序自動(dòng)關(guān)閉主真空球閥并延時(shí)30秒后開始檢測(cè)泄漏速率，兩分鐘后將泄漏率顯示(xiǎnshì)在工藝參數(shù)切換顯示(xiǎnshì)區(qū)內(nèi)。注意：若泄漏過(guò)大（大于50mTorr/hr），可手動(dòng)充幾次氬氣后再檢漏；因存在漏點(diǎn)造成漏率超標(biāo)的，查補(bǔ)漏點(diǎn)后應(yīng)重新執(zhí)行抽真空/檢漏工序。注意(zhùyì)：可以讓控制系統(tǒng)在完成抽真空后自動(dòng)跳轉(zhuǎn)到檢漏，而不用人為切換。設(shè)置方法如下：按【系統(tǒng)維護(hù)】按鈕再按【工藝設(shè)置】按鈕進(jìn)入工藝設(shè)置界面，在“自動(dòng)進(jìn)入檢漏工藝”前打√；如果沒(méi)有打√，則在抽真空完成之后系統(tǒng)會(huì)報(bào)警提示抽真空完成，這時(shí)就需要手動(dòng)在“自動(dòng)工藝（返回）”界面下手動(dòng)切入“檢漏”步驟。其他的自動(dòng)步驟都是如此。三、單晶拉制10精品資料檢漏漏率符合工藝要求后，在檢漏工序界面(jièmiàn)按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面(jièmiàn)；選擇【壓力化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至壓力化工序界面(jièmiàn)并運(yùn)行壓力化工序；程序自動(dòng)打開上氬氣閥按工藝設(shè)定氬氣流量往爐內(nèi)充入氬氣，當(dāng)爐內(nèi)壓力達(dá)到20Torr自動(dòng)打開主真空球閥，自動(dòng)開“壓力控制”閉環(huán)并在操作界面(jièmiàn)加色顯示，通過(guò)對(duì)節(jié)流閥開度的自動(dòng)調(diào)節(jié)將爐壓控制在工藝設(shè)定值，壓力化完成。3、壓力(yālì)化三、單晶拉制11精品資料按“加熱器開”按鈕打開加熱電源，在壓力化工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入(jìnrù)工序選擇界面；選擇【熔料】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至化料工序界面并運(yùn)行熔料工序；注：如果在選擇熔料之前沒(méi)開啟加熱器，此時(shí)系統(tǒng)報(bào)警要求操作者打開加熱器。熔料功率、堝位、堝轉(zhuǎn)速度等參數(shù)由設(shè)定的SOP工藝表自動(dòng)控制；若出現(xiàn)水流量低報(bào)警，系統(tǒng)會(huì)在30秒內(nèi)自動(dòng)關(guān)閉加熱器電源，此時(shí)需迅速檢查原因。4、熔料三、單晶拉制(lāzhì)12精品資料由于加熱器在中部的位置溫度最高，導(dǎo)致在中部的硅料會(huì)首先熔化，熔化后的硅料會(huì)沿著坩堝壁流到溫度比較低的坩堝底部并二次結(jié)晶，結(jié)晶后的硅料體積膨脹（液態(tài)硅的密度小于固態(tài)硅），如果不及時(shí)升堝位使坩堝底部進(jìn)入(jìnrù)高溫區(qū)，二次結(jié)晶的硅料就會(huì)越來(lái)越多的聚集在堝底，膨脹后撐裂石英坩堝。所以我們要分步驟進(jìn)行化料，及時(shí)升堝位。由于難以預(yù)計(jì)何時(shí)塌料（塌料后才能升堝位），我們現(xiàn)在實(shí)行半自動(dòng)化料，即開始時(shí)進(jìn)行自動(dòng)化料，然后當(dāng)功率升到100KW時(shí)退出到手動(dòng)狀態(tài)?；蠒r(shí)，要注意觀察：1）堝轉(zhuǎn)是否正常2）是否有打火現(xiàn)象3）塌料并及時(shí)升堝位三、單晶拉制(lāzhì)13精品資料熔料過(guò)程中若出現(xiàn)電極故障報(bào)警，馬上觀察加熱器電流和功率是否發(fā)生跳變，如不跳變，繼續(xù)熔料。若發(fā)生跳變，如果熔料時(shí)間長(zhǎng)，繼續(xù)熔料，如果熔料時(shí)間短，停功率等爐子冷卻下來(lái)后打開爐蓋檢查。熔料中的注意事項(xiàng)：由于每次的熔料情況都有可能不同，使得堝位參數(shù)不好設(shè)置，因此不要試圖通過(guò)設(shè)置工藝參數(shù)讓控制系統(tǒng)自動(dòng)提升堝位，還是需要操作者觀察爐內(nèi)情況手動(dòng)提升坩堝。如果不及時(shí)把坩堝升上來(lái)，料塊的主體部分處于低溫區(qū)，會(huì)增加熔料時(shí)間，也就增加了硅液與石英(shíyīng)堝的反應(yīng)時(shí)間，不利于坩堝的保護(hù)。而且堝底長(zhǎng)期處于低溫區(qū)，增加了漏硅的幾率。因此要求操作者及時(shí)注意熔料情況，隨著料的垮塌手動(dòng)提升堝位，但應(yīng)保證料與導(dǎo)流筒之間的安全距離。不能一次性把坩堝升降太多，會(huì)使熔料溫度出現(xiàn)大幅變化產(chǎn)生硅跳。熔料過(guò)程(guòchéng)（注意事項(xiàng)）三、單晶拉制14精品資料整個(gè)熔料過(guò)程中，都要有防范漏硅的意識(shí)。由于每次裝料情況不同，因此熔料過(guò)程中操作人員不能離開爐臺(tái)(lútái)，要隨時(shí)觀察情況，及時(shí)處理掛邊、搭橋、漏硅及其他意外事故。為防范漏硅，平時(shí)就應(yīng)該積累以下經(jīng)驗(yàn)：高溫多少時(shí)間會(huì)垮料，這時(shí)液面在什么位置。判斷漏硅的跡象除了溶液出現(xiàn)的時(shí)間、溶液的高度外，還可以查看加熱電流是否穩(wěn)定，因?yàn)槁┕钑?huì)造成打火；波紋管的溫度是否升高等；出現(xiàn)掛邊時(shí)，應(yīng)按情況區(qū)分處理：a、應(yīng)該在坩堝中心的料未化完時(shí)，就將掛邊處理掉。因此，當(dāng)料剛剛?cè)靠逑聲r(shí)，就要注意觀察有無(wú)掛邊的可能。如果有應(yīng)將堝位降到較低的位置，使掛邊料處于加熱器縱向的中心位置（高溫區(qū)）進(jìn)行烘烤。在處理掛邊料時(shí)，功率要適當(dāng)升高；三、單晶拉制(lāzhì)15精品資料b、如果所有的料都化完了，仍有較大的掛邊（小塊的在收尾時(shí)不致碰到導(dǎo)流筒的不必處理），這時(shí)即使有跳料和刮石英片的危險(xiǎn)，還是要把堝位降低，停堝轉(zhuǎn)，升高功率，將掛邊化掉。一般情況下，在還未到嚴(yán)重跳料時(shí)掛邊就能被處理掉。一旦掛邊搭橋消失，快速降溫，避免產(chǎn)生硅跳。注意：熔掛邊料容易造成石英坩堝損壞:把石英片刮下來(lái),石英坩堝腐蝕歷害,造成含氧高,雜質(zhì)在熔料濃度增加,石英片在引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑過(guò)程可能粘接在晶體表面。（石英片一般都會(huì)沾在石英坩堝邊上(biānshànɡ)）c、以上是一般的處理方法，具體情況下，需要現(xiàn)場(chǎng)分析，隨機(jī)應(yīng)變。全熔后要求仔細(xì)觀察液面有無(wú)雜質(zhì)，石英坩堝有無(wú)不良反映。如發(fā)現(xiàn)液面上渣子比較多時(shí)，應(yīng)及時(shí)降功率，降籽晶進(jìn)行提渣。確認(rèn)粘渣牢固，打開關(guān)閉翻板閥要確認(rèn)籽晶位置具體操作參考《粘渣工藝規(guī)定》三、單晶拉制(lāzhì)16精品資料按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面。選擇【穩(wěn)定化/熔接】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至熔接工序界面并運(yùn)行熔接工序。程序?qū)⑾嗬^打開“熱場(chǎng)控制”、“液面溫控”控制閉環(huán)并在操作界面加色顯示，通過(guò)閉環(huán)控制將硅液、熱場(chǎng)溫度自動(dòng)調(diào)整到適合熔接/引晶時(shí)的工藝設(shè)定溫度。注意：新的熱系統(tǒng)首次投料生產(chǎn)或者生產(chǎn)工藝更改投料量、引晶堝位、坩堝轉(zhuǎn)速等工藝參數(shù)時(shí)，須在手動(dòng)控制狀態(tài)下憑經(jīng)驗(yàn)觀察熔接光圈找到合適(héshì)的引晶溫度，進(jìn)入【輔助功能】操作主界面將當(dāng)前熱場(chǎng)溫度SP值校正為1300，將液面溫度SP值校正為1450。標(biāo)準(zhǔn)的熱場(chǎng)溫度為1300SP標(biāo)準(zhǔn)的液面溫度為1450℃。5、熔接(rónɡjiē)（穩(wěn)溫）三、單晶拉制17精品資料注意：過(guò)程中嚴(yán)密注意觀察，時(shí)刻關(guān)注堝位和液面變化情況，發(fā)現(xiàn)異常，即時(shí)切換至手動(dòng)狀態(tài)查明原因解決問(wèn)題后再繼續(xù)執(zhí)行工序，絕對(duì)避免液面碰觸導(dǎo)流筒等危險(xiǎn)事故發(fā)生。穩(wěn)溫堝位要求：低于導(dǎo)流筒15-25mm。液面溫度穩(wěn)定在工藝設(shè)定溫度且溫度偏差不大于工藝要求偏差，程序自動(dòng)執(zhí)行熔接工序。注意：熔接前應(yīng)該將上一爐縮頸(suōjǐnɡ)所引出的細(xì)頸回熔。熔接時(shí)自動(dòng)開晶轉(zhuǎn)為工藝表設(shè)定轉(zhuǎn)速，且按設(shè)定參數(shù)逐步下降籽晶直至籽晶與硅液接觸熔接。如果溫度過(guò)低，籽晶會(huì)沿液面凝固，溫度過(guò)低熔接不充分縮頸(suōjǐnɡ)后將很難生長(zhǎng)出合格的單晶；如果溫度過(guò)高又會(huì)熔斷籽晶。三、單晶拉制(lāzhì)18精品資料注意：自動(dòng)工序過(guò)程中時(shí)刻關(guān)注熔接情況，防止溫度過(guò)高不斷將籽晶熔斷導(dǎo)至籽晶全部熔化甚至將籽晶夾頭浸入硅液。為有效防止此事故發(fā)生，需根據(jù)新籽晶首次接觸液面時(shí)晶體的位置以及所使用的籽晶長(zhǎng)度在熔接工藝表內(nèi)設(shè)置好籽晶最小位置值。如果溫度設(shè)置正確(zhèngquè)，籽晶將與硅液充分熔接且長(zhǎng)時(shí)間保持即不生長(zhǎng)又不溶化的狀態(tài)，達(dá)到這種狀態(tài)后就可以開始單晶生長(zhǎng)過(guò)程的引晶階段。要讓單晶正常生長(zhǎng)，引晶溫度至關(guān)重要，控制合適的引晶溫度需要有一定的拉晶經(jīng)驗(yàn)，以下介紹尋找合適的引晶溫度的辦法：如果這個(gè)爐子在上一爐引晶時(shí)已經(jīng)把輔助功能里的液面溫度進(jìn)行了校正，那么很簡(jiǎn)單，把操作界面里的液面溫控環(huán)打上ON，由控制系統(tǒng)自動(dòng)控制液面溫度到以前引晶的溫度。如果需要手動(dòng)找引晶溫度，就要觀察籽晶和熔硅接觸后的情況，如發(fā)現(xiàn)接種后籽晶周圍馬上出現(xiàn)光圈，而且光圈抖動(dòng)厲害，最后熔斷，說(shuō)明溫度偏高，應(yīng)適當(dāng)降溫，由于加熱器保溫系統(tǒng)的惰性，需要等待溫度穩(wěn)定后再試。三、單晶拉制(lāzhì)19精品資料如果籽晶接種后周圍出現(xiàn)一片白色結(jié)晶，而且越來(lái)越大，說(shuō)明熔硅溫度偏低，應(yīng)立即升溫。此時(shí)也有可能籽晶和夾頭預(yù)熱不夠，籽晶和夾頭還很冷而導(dǎo)致(dǎozhì)結(jié)晶。這就需要判斷是否有充足的預(yù)熱過(guò)程。合適的引晶溫度是在籽晶熔接好后，籽晶周圍逐漸出現(xiàn)光圈，并出現(xiàn)均勻分布的白點(diǎn)（如<100>晶向?yàn)?個(gè)點(diǎn)），最后光圈變圓，說(shuō)明引出的是單晶，溫度也是合適的。三、單晶拉制(lāzhì)20精品資料在熔接工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；選擇【自動(dòng)引晶】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至引晶工序界面并運(yùn)行細(xì)頸生長(zhǎng)工序；程序自動(dòng)退出“液面溫控”控制閉環(huán)并開晶體慢速提升按工藝設(shè)定的時(shí)間、提升速度準(zhǔn)備縮頸；引晶開始程序?qū)⒆詣?dòng)打開“等徑控制”、“生長(zhǎng)控制”控制閉環(huán)并在操作界面加色顯示，前者控制細(xì)頸生長(zhǎng)直徑，后者控制細(xì)頸生長(zhǎng)過(guò)程的溫度補(bǔ)償；注意：（1）引晶直徑與長(zhǎng)度要求以有效排除位錯(cuò)為準(zhǔn)，通常直徑要求在4.5mm~5.5mm，細(xì)頸有效長(zhǎng)度不少于所拉制單晶的一個(gè)直徑，適當(dāng)增加引晶長(zhǎng)度不僅有利于位錯(cuò)的排除，對(duì)液面溫度的穩(wěn)定也有一定(yīdìng)的幫助，可提高放肩成功率。6、引晶三、單晶拉制(lāzhì)21精品資料引晶的過(guò)程就是通過(guò)調(diào)節(jié)拉速和溫度使細(xì)頸保持均勻且直徑大小合適。引晶目的：隨著細(xì)頸生長(zhǎng)，位錯(cuò)會(huì)向晶體表面移動(dòng)，從而(cóngér)排除機(jī)械熱沖擊產(chǎn)生的位錯(cuò)。因熱場(chǎng)大，溫度反應(yīng)慢，當(dāng)拉速提到較高值時(shí)，要適當(dāng)升溫，為放肩做準(zhǔn)備。引晶的平均速度應(yīng)控制在200~300mm/hr之間，過(guò)慢不能排除位錯(cuò)，過(guò)快則放肩時(shí)易放飛（長(zhǎng)的太快，直邊長(zhǎng)度大于圓弧長(zhǎng)度），容易導(dǎo)致單晶半途斷苞。細(xì)頸有效長(zhǎng)度達(dá)到工藝設(shè)定長(zhǎng)度后，信息欄提示工序完成信息并蜂鳴器報(bào)警，引晶工序結(jié)束。接觸液面時(shí)產(chǎn)生的位錯(cuò)線三、單晶拉制(lāzhì)22精品資料在引晶工序界面(jièmiàn)按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面(jièmiàn)；選擇【放肩】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至放肩工序界面(jièmiàn)并運(yùn)行放肩工序；程序?qū)⒆詣?dòng)退出“等徑控制”、“生長(zhǎng)控制”控制閉環(huán)，按工藝設(shè)定晶體提升速度進(jìn)行放肩生長(zhǎng)；注意：放肩至快接近轉(zhuǎn)肩啟動(dòng)直徑時(shí)應(yīng)使用測(cè)徑儀測(cè)量實(shí)際直徑，然后進(jìn)入輔助功能操作界面(jièmiàn)將CCD掃描測(cè)量的直徑值校正為測(cè)徑儀測(cè)量的實(shí)際直徑。放肩直徑到工藝設(shè)定轉(zhuǎn)肩啟動(dòng)直徑時(shí)信息欄提示工序完成信息并蜂鳴器報(bào)警，放肩工序結(jié)束。注意：轉(zhuǎn)肩啟動(dòng)直徑根據(jù)前幾爐轉(zhuǎn)肩后直徑來(lái)決定，比如前一爐在轉(zhuǎn)肩完成時(shí)比設(shè)定直徑小2mm，那么這次轉(zhuǎn)肩啟動(dòng)直徑就應(yīng)比上一爐大2mm。7、放肩三、單晶拉制(lāzhì)23精品資料放肩：適當(dāng)降低溫度與拉速，使晶體慢慢放大至目標(biāo)(mùbiāo)直徑大小。分析(fēnxī)影響肩部生長(zhǎng)的因素：溫度的影響拉速的影響三、單晶拉制24精品資料在放肩工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；選擇【轉(zhuǎn)肩】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至轉(zhuǎn)肩工序界面并運(yùn)行轉(zhuǎn)肩工序；程序?qū)⒆詣?dòng)打開“坩堝跟蹤”控制閉環(huán)并根據(jù)工藝設(shè)定提高晶體拉速；注意(zhùyì)：拉晶過(guò)程中爐內(nèi)硅液液面高度應(yīng)保持恒定，當(dāng)熔液逐漸減少時(shí)坩堝應(yīng)逐漸升高且坩堝升高的距離應(yīng)該等于液面下降的距離，通過(guò)坩堝跟蹤控制閉環(huán)以及設(shè)定的堝跟比值可確保爐內(nèi)液面高度保持恒定。

8、轉(zhuǎn)肩三、單晶拉制(lāzhì)25精品資料在轉(zhuǎn)肩工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；選擇【等徑】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至等徑工序界面并運(yùn)行等徑工序；程序?qū)⒆詣?dòng)打開(dǎkāi)“等徑控制”閉環(huán)，等徑長(zhǎng)度達(dá)到工藝設(shè)定生長(zhǎng)控制1打開(dǎkāi)長(zhǎng)度時(shí)，程序自動(dòng)打開(dǎkāi)“生長(zhǎng)控制”閉環(huán)；剛進(jìn)入等徑程序時(shí)應(yīng)使用測(cè)徑儀量取晶棒直徑，若測(cè)量直徑與CCD掃描直徑偏差，則需退出等徑控制閉環(huán)，進(jìn)入輔助功能操作界面將CCD掃描直徑校正為測(cè)徑儀測(cè)量直徑，之后手動(dòng)打開(dǎkāi)等徑控制環(huán)；等直徑生長(zhǎng)是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間的工序過(guò)程，必須經(jīng)常關(guān)注氬氣壓力、氬氣流量、爐內(nèi)壓力、節(jié)流閥開度、拉速、晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)、冷卻水等設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)情況。9、等徑三、單晶拉制(lāzhì)26精品資料合適的轉(zhuǎn)肩直徑和拉速的合理調(diào)節(jié)是轉(zhuǎn)肩成功的關(guān)鍵(guānjiàn).等徑：放肩到目標(biāo)直徑大小后，通過(guò)拉速、溫度的控制，將晶體直徑控制在目標(biāo)直徑范圍內(nèi)。等徑時(shí)要看什么：1、是否斷苞2、直徑確認(rèn)3、拉速，加熱溫度是否變化(biànhuà)異常4、堝位5、晶體是否晃動(dòng)三、單晶拉制27精品資料當(dāng)晶體重量達(dá)到收尾啟動(dòng)重量，信息欄提示等徑完成提示信息并蜂鳴器報(bào)警時(shí)，在等徑工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；選擇【收尾】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至收尾工序界面并運(yùn)行收尾工序；程序?qū)⑼顺觥暗葟娇刂啤薄ⅰ吧L(zhǎng)控制”、“坩堝跟蹤”控制閉環(huán)，自動(dòng)狀態(tài)下拉速與溫度補(bǔ)償由程序工藝參數(shù)控制；認(rèn)真(rènzhēn)觀察光圈變化，發(fā)現(xiàn)異常應(yīng)手動(dòng)調(diào)節(jié)拉速及溫度，避免堝邊結(jié)晶或收尖前拉斷。注意：收尾是為了排除位錯(cuò)，收尾錐型要求均勻，尾錐必須收尖。過(guò)程中堝邊結(jié)晶嚴(yán)重有安全隱患的則可吊斷避免發(fā)生事故。收尾要求：具體參照《收尾暫行規(guī)定》10、收尾(shōuwěi)三、單晶拉制28精品資料收尾完畢，在收尾工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；選擇【停爐】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至停爐工序界面并運(yùn)行停爐工序；程序?qū)⑼顺觥盁釄?chǎng)溫度”控制閉環(huán)并下降加熱器給定功率至零，控制系統(tǒng)報(bào)警并提示關(guān)閉加熱器。按“加熱器關(guān)”按鈕關(guān)閉加熱電源；根據(jù)工藝要求，程序按設(shè)定參數(shù)自動(dòng)下降堝位25~50㎜，關(guān)堝轉(zhuǎn)、晶轉(zhuǎn)并以給定的冷卻時(shí)拉速緩慢提升晶體；停功率冷卻3~4小時(shí)后程序自動(dòng)退出“壓力控制”閉環(huán)，關(guān)氬氣閥將爐內(nèi)壓力抽至極限真空進(jìn)行熱檢漏；檢漏合格,按“主真空泵關(guān)”按鈕停機(jī)械泵，繼續(xù)冷卻2小時(shí)后打開爐子取出晶體。注意：過(guò)程中不允許切斷(qiēduàn)冷卻水，否則爐內(nèi)余熱可能損壞爐體部件。三、停爐、冷卻(lěngquè)29精品資料晶體生長(zhǎng)過(guò)程中如需要取出一段已生長(zhǎng)的單晶，剩余硅液繼續(xù)進(jìn)行生長(zhǎng)，則必須進(jìn)行中途取晶操作：?jiǎn)尉Ю鋮s:在取出單晶前，晶體應(yīng)逐步冷卻，以防止晶體裂開。將等徑控制、熱場(chǎng)控制、坩堝跟蹤控制環(huán)全部退到OFF，放慢堝轉(zhuǎn)到2rpm，并將加熱功率適當(dāng)升高；快速下降坩堝20-30mm，使晶體脫離液面；將晶升速度調(diào)整到180mm/hr，慢速提升晶體使之逐步冷卻，保持30分鐘后，將晶升速度加到360mm/hr，保持30分鐘之后，將晶升速度加到500mm/hr，保持60分鐘。最后將晶體提升到副室內(nèi)。隔離：確認(rèn)晶體全部進(jìn)入副室，按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序(gōngxù)選擇界面；選擇四、中途(zhōngtú)取晶操作1、中途取晶30精品資料【隔離】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至隔離工序界面并運(yùn)行隔離工序；按屏幕提示關(guān)閉翻板閥至“隔離閥關(guān)”行程開關(guān)動(dòng)作；快充氬氣充開副室，最后取出晶體。注意：翻板閥關(guān)閉后“隔離閥關(guān)”行程開關(guān)不動(dòng)作，程序?qū)o(wú)法(wúfǎ)自動(dòng)切換各氬氣閥開關(guān)，隔離工序也將無(wú)法(wúfǎ)正常運(yùn)行。副室凈化：取出晶體后，檢查好籽晶、鋼絲繩。將籽晶、爐蓋上的密封圈、插板閥等擦拭干凈，合好副室；將籽晶提升進(jìn)副室；打開“副真空泵開”按鈕，在隔離工序主界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面；四、中途(zhōngtú)取晶操作2、隔離31精品資料選擇【副室凈化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至副室凈化工序界面并運(yùn)行凈化工序；控制系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行副室清洗，信息欄提示凈化完成可以打開隔離閥提示信息并蜂鳴器報(bào)警時(shí)，打開翻板閥至“隔離閥開”行程開關(guān)動(dòng)作；關(guān)閉輔助真空泵。注意：自動(dòng)隔離后程序自動(dòng)更改投料量為剩料重量。正常情況，二節(jié)引晶堝位為一節(jié)隔離時(shí)堝位，即隔離取晶后要求堝位不變?；厝郏?）引晶拉斷、放肩時(shí)斷棱或者等徑時(shí)斷苞，切換(qiēhuàn)至手動(dòng)狀態(tài)，關(guān)閉等徑控制、熱場(chǎng)控制、坩堝跟蹤控制環(huán)，準(zhǔn)備回熔；2）升高加熱器功率，降低堝轉(zhuǎn)至1-2轉(zhuǎn)，緩慢停晶轉(zhuǎn)，下降坩堝。坩堝位置以液面進(jìn)入高溫區(qū)為宜；3）逐漸將晶棒降到液面以下回熔，一次不可降太多，等液體里的固體棒溶完后方可再下降一些。如果降得過(guò)快，會(huì)使固體棒子頂?shù)绞③釄宓撞?，造成事故。四、中?zhōngtú)取晶操作3、副室凈化、回熔32精品資料331）發(fā)生停水或水壓報(bào)警時(shí)，先確認(rèn)水壓表是否偏低，水管和爐筒溫度是否明顯升高?？焖偬嵘w或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。關(guān)閉加熱功率。在控制柜面板上將單晶生長(zhǎng)各個(gè)模塊關(guān)閉，使其處于手動(dòng)狀態(tài)。降低堝位到熔料堝位，關(guān)閉堝轉(zhuǎn)。2）停水后水壓恢復(fù)。冷卻水恢復(fù)供應(yīng)時(shí)，監(jiān)控水壓，有異常立即報(bào)告管理人員。水壓恢復(fù)時(shí)，爐內(nèi)無(wú)嚴(yán)重氧化現(xiàn)象，熔體未結(jié)晶或已結(jié)晶但液面結(jié)晶小于10分鐘且石英坩堝未破裂，按加熱功率開，調(diào)節(jié)功率到熔料功率。啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)，設(shè)定(shèdìnɡ)為1轉(zhuǎn)/分。熔化結(jié)晶面，在此期間應(yīng)密切關(guān)注爐內(nèi)有無(wú)嚴(yán)重氧化現(xiàn)象，注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生嚴(yán)重氧化現(xiàn)象、硅液面下降，立即停爐并上報(bào)管理人員。待結(jié)晶全熔后，手動(dòng)調(diào)節(jié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。3）停水后水壓無(wú)法恢復(fù)，或恢復(fù)時(shí)熔體已結(jié)晶大于10分鐘。在熔體結(jié)晶30分鐘時(shí)，快速提升坩堝，使坩堝頂起導(dǎo)流筒100mm。停爐，充分冷卻后拆爐五、常見(chánɡjiàn)異常1、停水精品資料341）若單晶爐工作時(shí)，加熱部分停電。在控制柜面板上將單晶生長(zhǎng)各個(gè)模塊關(guān)閉，使其處于手動(dòng)狀態(tài)。降低堝位到熔料堝位。關(guān)閉堝轉(zhuǎn)。加熱部分恢復(fù)時(shí)，若時(shí)間較短（液面未結(jié)晶或液面已結(jié)晶但小于10分鐘且石英坩堝未破），按加熱功率開，將功率升至熔料功率。啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)，設(shè)定為1轉(zhuǎn)/分。熔化結(jié)晶面，在此期間應(yīng)密切注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生硅液面下降，立即停爐并上報(bào)管理人員。待結(jié)晶全熔后，手動(dòng)調(diào)節(jié)(tiáojié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。加熱部分恢復(fù)時(shí)，若停電時(shí)間較長(zhǎng)（液面結(jié)晶已經(jīng)大于10分鐘或石英坩堝破裂），快速提升晶體或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。在熔體結(jié)晶30分鐘時(shí)，快速提升坩堝，使坩堝頂起導(dǎo)流筒，但不要離水冷套過(guò)近，避免損壞導(dǎo)流筒。停爐，充分冷卻后拆爐。五、常見(chánɡjiàn)異常2、停電精品資料352）若爐子工作時(shí)，加熱電源、控制電源同時(shí)斷電立即關(guān)閉抽空閥門。手動(dòng)搖手柄降低堝位使晶棒與硅液脫離。同時(shí)將氬氣流量調(diào)為最大，充氬氣至-0.05MPa左右，關(guān)閉氬氣。電源恢復(fù)時(shí)，立即開真空泵，待半分鐘后開抽空閥門，將氬氣流量恢復(fù)正常。若時(shí)間較短（液面未結(jié)晶或液面已結(jié)晶但小于10分鐘且石英坩堝未破），按加熱功率開，將功率升至熔料功率。啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)，設(shè)定(shèdìnɡ)為1轉(zhuǎn)/分。若晶體或籽晶與液面結(jié)晶在一起，則要等晶體或籽晶與液面結(jié)晶面熔化并脫離后方可啟動(dòng)。熔化結(jié)晶面，在此期間應(yīng)密切注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生硅液面下降，立即停爐并上報(bào)管理人員。待結(jié)晶全熔后，手動(dòng)調(diào)節(jié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。若停電時(shí)間較長(zhǎng)（液面結(jié)晶已經(jīng)大于10分鐘或石英坩堝破裂），快速提升晶體或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。在熔體結(jié)晶30分鐘時(shí)，快速提升坩堝，使坩堝頂起導(dǎo)流筒100mm。停爐，充分冷卻后拆爐。五、常見(chánɡjiàn)異常精品資料363、石英坩堝裂開或漏硅觀察爐內(nèi)硅液