標準解讀
《GB/T 29850-2013 光伏電池用硅材料補償度測量方法》這一標準詳細規(guī)定了用于光伏電池生產的硅材料中補償度的測量方法。該標準適用于單晶硅、多晶硅以及其他類型的硅材料,旨在通過科學的方法來評估這些材料內部摻雜劑濃度與類型對材料電學性質的影響。
首先,標準明確了補償度的概念,即在半導體材料中,當存在兩種或多種不同類型的雜質(一種為施主型,另一種為受主型)時,它們之間相互抵消作用的程度。這種補償作用會直接影響到最終產品的性能,如光電轉換效率等關鍵指標。
接著,文件列出了進行補償度測量所需的各種儀器設備及其技術要求,包括但不限于霍爾效應測試儀、四探針電阻率測試系統(tǒng)等。同時,還提供了詳細的實驗步驟指導,從樣品準備到數(shù)據(jù)處理的全過程都有覆蓋,確保了不同實驗室之間結果的一致性和可比性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-11-12 頒布
- 2014-04-15 實施




文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T29850—2013
光伏電池用硅材料補償度測量方法
Testmethodformeasuringcompensationdegreeofsilicon
materialsusedforphotovoltaicapplications
2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
光伏電池用硅材料補償度測量方法
GB/T29850—2013
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100013)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網址
:
服務熱線
/p>
年月第一版
20141
*
書號
:155066·1-48023
版權專有侵權必究
GB/T29850—2013
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標準起草單位信息產業(yè)專用材料質量監(jiān)督檢驗中心中國電子技術標準化研究院無錫尚德太
:、、
陽能電力有限公司國家電子功能與輔助材料質量監(jiān)督檢驗中心天津市環(huán)歐半導體材料技術有限
、、
公司
。
本標準主要起草人董顏輝何秀坤鄭彩萍裴會川馮亞彬路景剛張雪囡
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T29850—2013
光伏電池用硅材料補償度測量方法
1范圍
本標準規(guī)定了光伏電池用硅材料補償度的測量和分析方法
。
本標準適用于光伏電池用非摻雜硅材料補償度的測量和分析
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T4326
半導體材料術語
GB/T14264
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法
GB/T24581Ⅲ、Ⅴ
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程
GB/T29057
3術語和定義
界定的術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4方法原理
利用載流子濃度與溫度變化關系的電中性方程對nT-l關系曲線進行計算機擬合分析從而
,(P)-,
得到補償度電中性方程以型樣品為例如式所示
。(N)(1):
nnNN-ET
+AC(/)
()=jk
NNn·…………()
D-A-gAexp1
其中N計算方法見式
C(2):
?m*T?3/2
N=?2πak÷
C2è2?…………(2)
h
電離化雜質濃度關系見式
(3):
n=N-N
300DA…………(3)
由式式式利用最小二乘法原理并適當調整gm*NNE個量作數(shù)據(jù)擬合得
(1)、(2)、(3),A、a、D、A、j5,
到補償度的表達式見式式
(4)、(5):
K=NN型
pD/A(P)…………(4)
K=NN型
NA/D(N)…………(5)
根據(jù)對樣品作變溫霍爾測量由式計算測試數(shù)據(jù)得到nT-1關系曲線
GB/T4326,,(6),-。
n=γR
/e·Η…………(6)
式式中
(1)~(6):
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