《選修3第三章第四節(jié)離子晶體》導(dǎo)學(xué)案（第2課時(shí)）班級(jí)姓名組名【學(xué)習(xí)目標(biāo)】通過(guò)分析數(shù)據(jù)和信息，能說(shuō)明晶格能的大小與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系?！局R(shí)鏈接】1．構(gòu)成離子晶體的粒子是，粒子之間的相互作用是，這些粒子在晶體中(能或不能)自由移動(dòng)，所以離子晶體(能或不能)導(dǎo)電，離子晶體中的配位數(shù)是指________________________________.__是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。此外,離子晶體的結(jié)構(gòu)還取決于_____________.【學(xué)習(xí)過(guò)程】二。晶格能閱讀教材P80晶格能及討論、分析表3-8可得出哪些結(jié)論？，晶格能的大小與離子晶體的熔點(diǎn)有什么關(guān)系？離子晶體的晶格能與哪些因素有關(guān)？1、定義：_________________________________2、規(guī)律：（1）離子電荷越，離子半徑越，離子晶體的晶格能越大。（2）晶格能越大，形成的離子晶體越，熔點(diǎn)越，硬度越。3.巖漿晶出規(guī)則的影響因素：閱讀P81[科學(xué)視野](1)晶格能(主要)：晶格能越，越早析出晶體。(2)濃度：越早達(dá)到，越易析出。例、NaI、MgO晶體均為離子晶體，根據(jù)下列數(shù)據(jù)，這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是物質(zhì)①NaF②NaI③MgO離子電荷數(shù)112離子間距離/10-10A.①>②>③B.③>①>②C.③>②>①D.②>①>③例2．為什么Al2O3和MgO常作耐火材料？【當(dāng)堂檢測(cè)】1．下列不屬于影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素的是()A．晶體中正、負(fù)離子的半徑比B．離子晶體的晶格能C．晶體中正、負(fù)離子的電荷比D．離子鍵的純粹程度2．離子晶體之間的決定于離子鍵的大小，下列按離子鍵由大到小排列的是A．NaF>NaCl>NaBr>NaIB．Na2O>Na2S>NaCl>NaIC．NaCl>CaCl2>MgCl2>AlCl3D．MgCO3>CaCO3>SrCO3>BaCO33．下表是幾種碳酸鹽的分解溫度和陽(yáng)離子半徑碳酸鹽MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3熱分解溫度/℃40290011721360陽(yáng)離子半徑/pm6699112135分析上表可以得出A．離子晶體中陽(yáng)離子的半徑越大，越易分解B．離子晶體中陽(yáng)離子的半徑越小，越易分解C．離子晶體中陽(yáng)離子的半徑越大，結(jié)合碳酸根中的氧離子越容易D．離子晶體中陽(yáng)離子的半徑越小，結(jié)合碳酸根中的氧離子越容易4．共價(jià)鍵、離子鍵和范德華力是構(gòu)成物質(zhì)粒子間的不同作用方式，下列物質(zhì)中，只含有上述一種作用的是()A．干冰B．氯化鈉C．氫氧化鈉D．碘5．下列關(guān)于金屬晶體和離子晶體的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()A．都可采取“緊密堆積”結(jié)構(gòu)B．都含離子C．一般具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)D．都能導(dǎo)電6．下列說(shuō)法中一定正確的是()A．固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的物質(zhì)一定是金屬晶體B．熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體C．水溶液能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體D．固態(tài)不導(dǎo)電而熔融態(tài)導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體7.下列關(guān)于晶格能的說(shuō)法中正確的是()A．晶格能指形成1mol離子鍵放出的能量B．晶格能指破壞1mol離子鍵所吸收的能量C．晶格能指氣態(tài)離子結(jié)合成1mol離子晶體時(shí)所放出的能量D．晶格能的大小與晶體的熔點(diǎn)、硬度都無(wú)關(guān)8．氧化鈣在2973K時(shí)熔化，而氯化鈉在1074K時(shí)熔化，兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類(lèi)似，有關(guān)它們?nèi)埸c(diǎn)差別較大的原因敘述不正確的是()A．氧化鈣晶體中陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)多B．氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大C．氧化鈣晶體的結(jié)構(gòu)類(lèi)型與氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)類(lèi)型不同D．在氧化鈣與氯化鈉的離子間距離類(lèi)似的情況下，晶格能主要由陰、陽(yáng)離子所帶電荷的多少?zèng)Q定9．如圖是氯化銫晶體的晶胞(晶體中最小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元)，已知晶體中2個(gè)最近的Cs＋核間距為acm，氯化銫(CsCl)的相對(duì)分子質(zhì)量為M，NA為阿伏加德羅常數(shù)，則氯化銫晶體的密度為()A．8MNAa3g·cm-3\f(Ma3,8NA)g·cm－3C.eq\f(M,NAa3)g·cm－3\f(Ma3,NA)g·cm－38MNAa310．下列關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的排列順序，不正確的是()A．HI>HBr>HCl>HFB．CI4>CBr4>CCl4>CF4C．NaCl>NaBr>KBrD．金剛石>碳化硅>晶體硅11．關(guān)于晶體的下列說(shuō)法正確的是 （）A．在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子B．在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子C．離子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高D．分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低12．下列7種物質(zhì)：①白磷(P4)；②水晶；③氯化銨；④氫氧化鈣；⑤氟化鈉；⑥過(guò)氧化鈉；⑦石墨，固態(tài)下都為晶體，回答下列問(wèn)題(填寫(xiě)序號(hào))：(1)不含金屬離子的離子晶體是______，只含離子鍵的離子晶體是______，既有離子鍵又有非極性鍵的離子晶體是______，既有離子鍵又有極性鍵的離子晶體是______。(2)既含范德華力又有非極性鍵的晶體是________，熔化時(shí)既要克服范德華力又要破壞化學(xué)鍵的是______，熔化時(shí)只破壞共價(jià)鍵的是________。13．A、B為兩種短周期元素，A的原子序數(shù)大于B，且B原子的最外層電子數(shù)為A原子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的化合物，該化合物熔融時(shí)能導(dǎo)電。試回答下列問(wèn)題：(1)A、B的元素符號(hào)分別是________、________。(2)用電子式表示A、B元素形成化合物過(guò)程：_______________________________________________________________________。(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，則每個(gè)陽(yáng)離子周?chē)薩_______個(gè)陰離子；晶體中陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為：________。(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點(diǎn)比NaF晶體的熔點(diǎn)________，其判斷的理由是____________________________________________________________________________。【本節(jié)小結(jié)】一、離子晶體1．離子晶體中陰、陽(yáng)離子交替出現(xiàn)，層與層之間如果滑動(dòng)，同性離子相鄰而使斥力增大導(dǎo)致不穩(wěn)定，所以離子晶體無(wú)延展性。2．離子晶體不導(dǎo)電，但在熔融狀態(tài)或水溶液中能導(dǎo)電。3．離子晶體難溶于非極性溶劑而易溶于極性溶劑。4．離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于構(gòu)成晶體的陰、陽(yáng)離子間離子鍵的強(qiáng)弱，而離子鍵的強(qiáng)弱，又可用離子半徑衡量，通常情況下，同種類(lèi)型的離子晶體，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。5．離子晶體中不一定含有金屬陽(yáng)離子，如NH4Cl為離子晶體，不含有金屬陽(yáng)離子，但一定含有陰離子。6．幾種晶體的比較晶體類(lèi)型金屬晶體離子晶體分子晶體原子晶體基本微粒金屬陽(yáng)離子、自由電子陰離子、陽(yáng)離子分子原子物質(zhì)類(lèi)別金屬單質(zhì)離子化合物多數(shù)的非金屬單質(zhì)和共價(jià)化合物金剛石、碳化硅(SiC)、晶體硅、二氧化硅等少數(shù)的非金屬單質(zhì)和共價(jià)化合物物理性質(zhì)硬度和密度較大，熔、沸點(diǎn)較高，有延展性，有光澤硬度和密度較大，熔、沸點(diǎn)較高硬度和密度較小，熔、沸點(diǎn)較低硬度和密度大，熔、沸點(diǎn)高決定熔、沸點(diǎn)高低的因素金屬鍵強(qiáng)弱離子鍵強(qiáng)弱(或