ICS7704099

H17..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26070—2010

化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面

損傷的反射差分譜測試方法

Characterizationofsubsurfacedamageinpolished

compoundsemiconductorwafersbyreflectance

differencespectroscopymethod

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26070—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所負(fù)責(zé)起草

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳涌海趙有文提劉旺王元立

:、、、。

Ⅰ

GB/T26070—2010

化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面

損傷的反射差分譜測試方法

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法

.Ⅲ-Ⅴ。

12本標(biāo)準(zhǔn)適用于可參照進(jìn)行等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的

.GaAs、InP(GaP、GaSb)

測量

。

2定義

21術(shù)語和定義

.

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

211

..

亞表面損傷subsurfacedamage

半導(dǎo)體晶體經(jīng)切磨拋等工藝加工后在距離拋光片表面亞微米左右范圍內(nèi)晶體的部分完整性會(huì)

、、,,

受到破壞存在一個(gè)很薄厚度通常為幾十到上百納米的損傷層其中存在大量的位錯(cuò)晶格畸變等缺

,(),、

陷這個(gè)損傷層稱為亞表面損傷層

。。

212

..

彈光效應(yīng)photoelasticeffect

當(dāng)介質(zhì)中存在彈性應(yīng)力或應(yīng)變時(shí)介質(zhì)的介電系數(shù)或折射率會(huì)發(fā)生改變介電系數(shù)或折射率的改

,。

變與施加的應(yīng)變和應(yīng)力密切相關(guān)各向異性的應(yīng)力或應(yīng)變會(huì)導(dǎo)致介電函數(shù)或折射率出現(xiàn)各向異性導(dǎo)

。,

致晶體材料出現(xiàn)光學(xué)各向異性雙折射二向色性

(,)。

213

..

光學(xué)各向異性opticalanisotropy

當(dāng)材料的光學(xué)性質(zhì)隨光的傳播方向和偏振狀態(tài)而發(fā)生變化時(shí)就稱這種材料具有光學(xué)各向異性

,。

214

..

線偏振光linearlypolarizedlight

振動(dòng)電矢量總是在一個(gè)固定平面內(nèi)的光稱為線偏振光

。

215

..

反射差分譜reflectancedifferencespectroscopyRDS

,

測量近垂直入射條件下兩束正交偏振入射光反射系數(shù)的相對(duì)差異隨波長的變化就是反射差

,,

分譜

。

22符號(hào)

.

下列符號(hào)適用于本文件

。

221

..

rr

Δ/

被測晶體材料在兩個(gè)各向異性光學(xué)主軸方向反射系數(shù)的相對(duì)差異即反射差分信號(hào)