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1數(shù)E141成電 組合邏輯電2數(shù)E141成電 組合邏輯電 VT< (a)電阻負(fù) (c)準(zhǔn)NMOS負(fù)3數(shù)E141成電 組合邏輯電4數(shù)E141成電 組合邏輯電電阻負(fù) –V=VR/(R+R DD PN –– 數(shù)E141 VT< 準(zhǔn)6數(shù)E141成電 組合邏輯電5組合邏輯電5組合邏輯電kIp(V|V|) 7數(shù)E141成電 組合邏輯電VOHVDD(類似靜態(tài)互補(bǔ)kVVV1V2kpVVn TnOL2OL2 VVV1kp(假設(shè)VVV T k nVV(VV) k PVIVkpVV DD DD2 8數(shù)E141成電 組合邏輯電 4輸入與W/L=VV
W/Lp=
4輸入或 Vin
數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電 M1>>
DifferentialCascodeVoltageSwitch差分串聯(lián)電壓開關(guān)DCVSL——異或DCVSL瞬態(tài)響數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E1DCVSL——異或DCVSL瞬態(tài)響 A
A
AAXOR-NXOR
-0.5 Time數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電 BB
數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電
1.5m/x
O
0.5m/
VB2.5VVTn(V)1.8Out
B1OutABB0
VoltageVoltage
x
VBVinB
Time數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電A=2.5
C=B
使VXA=2.5
C=2.5B
VB2.5VVTn(V)1.8
數(shù)E141成電 組合邏輯電
數(shù)E141成電 組合邏輯電 VoltageVoltage
引入寫“0”V3.87m1.76m0.755
0.0 Time
mkk1.55,臨界數(shù)E141成電 組合邏輯電
數(shù)E141成電 組合邏輯電
數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電CPL數(shù)E141成電 組合邏輯電CC CC=2.5A=2.5C=0數(shù)E141成電 組合邏輯電2.5 2.5 0R||0 V,數(shù)E141成電 組合邏輯電 In S數(shù)E141成電 組合邏輯電BB F BB數(shù)E141成電 組合邏輯電數(shù)E141成電 組合邏輯電,,RC鏈的延 節(jié)點(diǎn)電壓變化(差分方程)(V)CRk插入緩沖器的RC鏈的延t0.69nCRm(m1)n1tm m n(m1) 2m 數(shù)E141(VV2Vn(n ~1.7t~3或組合邏輯電 A A相加和進(jìn)位鏈數(shù)E141BPPPPB B SSumCoCarry組合邏輯電數(shù)E141組合邏輯電每個(gè)時(shí)間點(diǎn)(除了開關(guān))GND或需要n+2數(shù)E141成電 組合邏輯電 2 預(yù)充電(Clk0)賦值(Clk數(shù)E141C組合邏輯電 2 預(yù)充電(Clk0)賦值(Clk數(shù)E141截M開 C截M組合邏輯電CLPDN數(shù)E141成電 組合邏輯電邏輯函數(shù)僅由PDN晶體管數(shù)目為N+2(靜態(tài)互補(bǔ)CMOS全幅輸出(VOLGND,VOH數(shù)E141成電 組合邏輯電總的功耗比靜態(tài)互補(bǔ)CMOS刺VM、VIH和VIL等于數(shù)E141組合邏輯電 主要是亞閾值數(shù)E141組合邏輯電55 Mp LB 數(shù)E141組合邏輯電CL的電荷在CL和CA之 數(shù)E141成電 組合邏輯電 case1)if < CLVDD=CLVoutt+CaVDD– L = t– –V out Tn B case2)ifVout>Ca 數(shù)E141成電 組合邏輯電AA BBCC數(shù)E141組合邏輯電 Mp 數(shù)E141組合邏輯電 Out1Out2 數(shù)E141成電 組合邏輯電3210-0數(shù)E1412Time,46組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電66 In - 0.5Time, 數(shù)E141成電 組合邏輯電電源噪聲(地線反彈噪聲數(shù)E141成電 組合邏輯電V t數(shù)E141成電 組合邏輯電 Out1 Mp 11 0 0 數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電靜態(tài)反相器可以偏移,只有L-H的傳數(shù)E141
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