犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１４１４０—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１４０．１—１９９３，ＧＢ／Ｔ１４１４０．２—１９９３

硅片直徑測量方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犱犻犪犿犲狋犲狉狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狑犪犳犲狉

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１４１４０—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１４１４０．１《硅片直徑測量法光學(xué)投影法》和ＧＢ／Ｔ１４１４０．２《硅片直徑測量法

千分尺法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１４１４０．１和ＧＢ／Ｔ１４１４０．２相比，主要有如下變化：

———可測量最大直徑的范圍增加到３００ｍｍ；

———刪除了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ１２９６２《硅單晶》；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ１２９６４《硅單晶拋光片》；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ６０９３《幾何量技術(shù)規(guī)范（ＧＰＳ）長度標(biāo)準(zhǔn)量塊》；

———增加了術(shù)語、意義用途、干擾因素；

———修改了直徑模型的部分內(nèi)容；

———光學(xué)投影法參照ＡＳＴＭＦ６１３９３《半導(dǎo)體晶片直徑的標(biāo)準(zhǔn)測試方法》進(jìn)行了修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：劉玉芹、蔣建國、張靜雯、馮校亮。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１４０．１—１９９３、ＧＢ／Ｔ１４１４０．２—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１４０—２００９

硅片直徑測量方法

方法１光學(xué)投影法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用光學(xué)投影儀測量硅片直徑的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量圓形硅片的直徑，可測最大直徑為３００ｍｍ。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測量硅片的不

圓度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６０９３幾何量技術(shù)規(guī)范（ＧＰＳ）長度標(biāo)準(zhǔn)量塊

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

３術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

直徑犱犻犪犿犲狋犲狉

橫穿圓片表面，通過晶片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長度。

４方法提要

利用光學(xué)投影儀，將硅片投影到顯示屏上，使用螺旋測微計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)長度塊進(jìn)行測量。以硅片投影的

兩端邊緣分別與顯示屏上的垂直坐標(biāo)軸左右兩邊相切，由其位置差求出硅片直徑。按硅片參考面不同

測量硅片的三條直徑（如圖１）。計(jì)算出平均直徑和直徑偏差。

５意義和用途

５．１在微電子制造過程中，特別是對于需要固定硅片的工序，半導(dǎo)體硅片直徑是一個重要的參數(shù)。

５．２硅片晶向偏離會使硅片呈橢圓形。本測試方法報(bào)告要求測試硅片的直徑偏差。

６干擾因素

６．１硅片邊緣沾污、波紋或參差不齊等會造成直徑測量誤差。

６．２載物臺與螺旋測微計(jì)主