三極管常見形式及以往不良1、社內常見形式②引腳插入式封裝形式是THM(ThroughHoleMount）①表面貼裝元件封裝形式是SMD(SurfaceMountedDevices）2、基本構造引腳（銅合金）引線（金）本體（環(huán)氧樹脂）硅片引線（金）引腳成分（錫\銀\銅）母材（鐵鎳合金）表面處理：銅）硅片本體（環(huán)氧樹脂）【三極管常見形式及以往不良】1/7①內部擊穿3、以往不良情況三極管失效形式①內部擊穿②外觀破損引起的內部斷路通過三極管的電壓應為0.7V左右，實際已經超出3倍，說明已經擊穿。測試內容ICT測試基準ICT首次測試FCT:NG

ICT再次測試B-E（V）0.7±30%0.742.02B-C（V）0.7±30%0.752.02C-E（V）0.26V以下0.040.49ICT判定OKNGa室外板上的出現三極管內部擊穿不良。ICTFCTOKNGNG【三極管常見形式及以往不良】2/7放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ECB例舉：NPN型發(fā)射極基極集電極PNNBCE第一步檢測UBC和UBE確認PN結正向導通電壓第二步檢測UCE確認飽和狀態(tài)下的電壓值要接近于0V,遠小于0.2V步驟項目名稱標準期望值上限下限模式類型高點低點位置隔離點StepPart

NameBOM-VExpect-VHLim%LLim%MTypeHiNLoNDIYG11Q-BC0.7V0.7V30300Q12002Q-BE0.7V0.7V30300Q13003Q-CEB1.5V0.2V30-14Q2301如何判斷三極管好壞硅：0.7V鍺：0.2V①內部擊穿內部擊穿是指三極管的PN結不能產生壓降限制電流的現象，電阻為0Ω或斷開。【三極管常見形式及以往不良】3/7G1HI-PLO-PCEB截止區(qū)基極無電流UCER=∞

I=0放大區(qū)IB越大，RCE越小，ICE越大IB越小，RCE越大，ICE越小VC＞VB＞VEG1HI-PLO-PCEB有電流反向電壓截止區(qū)：發(fā)射結反偏，集電結反偏UBE＜0.7VUBE＞0.7V放大區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏UC＞UE＞UBUBC＜0.7V【三極管常見形式及以往不良】4/7ICT治具部分下針點三極管①VBC②VBE③VCEG1HI-PLO-Pamp：電流放大器ADC：模數轉換器，作用是將模擬量轉換為數字量，用于采集模擬信號，同時轉換為單片機識別的數值DAC：數模轉化器，將數字轉換為模擬信號UBC與VBE同時達到0.7V導通后（飽和），可測取VCE電壓值CEB飽和區(qū)飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結正偏UBE＞UCEUBE＞0.7VUBC＞0.7V【三極管常見形式及以往不良】5/7③元件受外力破損ε室內板上的三極管外部樹脂曾出現裂紋，造成元件失效。三極管的環(huán)氧樹脂有哪些優(yōu)缺點？Q601元件開裂環(huán)氧樹脂耐化學藥劑耐熱電氣絕緣性能良好收縮率小耐候性差抗沖擊強度低，質地脆優(yōu)點缺點【三極管常見形式及以往不良】6/7元件外表耐外力的試驗測針推力計三極管試驗