ICS13310

A92.

中華人民共和國(guó)公共安全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

GA/T1651—2019

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

Forensicsciences—Technicalspecificationsforfingerprintdevelopment

byvacuumdepositionsystem

2019-10-14發(fā)布2019-12-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)公安部發(fā)布

中華人民共和國(guó)公共安全

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

GA/T1651—2019

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線(xiàn)

:400-168-0010

年月第一版

20205

*

書(shū)號(hào)

:155066·2-35136

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GA/T1651—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)刑事技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)指紋檢驗(yàn)分技術(shù)委員會(huì)提出并

(SAC/TC179/SC3)

歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海市公安局物證鑒定中心公安部物證鑒定中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張偉方孫勝軍劉寰梁彥林曲會(huì)英李孝君薛靜

:、、、、、、。

Ⅰ

GA/T1651—2019

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)的原理設(shè)備鍍膜材料及實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求顯現(xiàn)準(zhǔn)備操作步

、、、、

驟及注意事項(xiàng)等

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于顯現(xiàn)大多數(shù)非滲透性及部分半滲透滲透性客體表面潛在手印包括部分膠熏

、,“502”

顯后的客體等

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

法庭科學(xué)指紋專(zhuān)業(yè)名詞術(shù)語(yǔ)

GA/T144

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GA/T144。

31

.

鍍膜真空度degreeofdepositionvacuum

鍍膜顯現(xiàn)手印時(shí)顯現(xiàn)容器內(nèi)所需達(dá)到的真空度

,。

32

.

鍍膜deposition

在客體表面鍍上介質(zhì)薄膜的工藝

。

33

.

蒸發(fā)源meltingpot

將鍍膜材料蒸發(fā)成氣體的高溫加熱裝置

。

34

.

顯現(xiàn)角度developmentangle

所顯客體手印遺留面與水平方向的夾角

。

35

.

顯現(xiàn)距離developmentdistance

所顯客體手印遺留部位與蒸發(fā)源的距離

。

36

.

蒸發(fā)時(shí)間meltingtime

鍍膜材料受熱揮發(fā)的時(shí)間

。

3