1、儀器分析方法原理分析元素范圍成分分析（檢 測(cè)極限、深度）拓?fù)浞治觯ǚ直?率）其它分 析特點(diǎn)補(bǔ)充XRDWAXD2dsin0=nX物相分 析(5%-10%)物像分 析、宏 觀微區(qū) 應(yīng)力分 析、晶 粒大 小、極 圖，取 向函數(shù)SXADSEMSEM二次電子（5nm）放大倍數(shù) (X 10X 100 , 000)，景 深 大 (3nm)BE背散射電子面成分像EDX特征X射線的能量線掃描、面掃描、面成分像（0.1%,1呻）WDX特征X射線的波長(zhǎng)(0.01%)EBSD電子背散射衍射晶體對(duì) 稱、取 向、完 整性、 晶格常 數(shù)XPSXPS光電效應(yīng)電子除H外表面及深度成 分分析化學(xué)鍵 合、化 學(xué)吸 附、化 學(xué)位移

2、5極高的表面 選擇性 （0.3nm-5nm）, 輕元素分析 能力AES俄歇電子除H、He外Auger譜線 （點(diǎn)、面成分）、 成分像、深度 剖面分析 （0.1-1%）SEM( 100nm)極高的表面 選擇性 （0.3nm-5nm）, 輕元素分析 能力儀器分析方法原理分析元素范圍成分分析（檢 測(cè)極限、深度）拓?fù)浞治觯ǚ直?率）其它分 析特點(diǎn)補(bǔ)充二次離子質(zhì)譜SSMS火花放電離化離 子所有元 素1ppb(10-9無(wú)微區(qū)分析 能力，具有同 位素分析能 力，導(dǎo)電樣品 及彌散于導(dǎo) 電固體SIMSSIMS二次離子表面成分譜 （靜態(tài)、 10ppm）,深度成分譜（動(dòng)態(tài)， 1ppm）,二次 離子像（掃描、 光學(xué)）任

3、意樣品，但 不能定量分 析儀器分析方法原理分析元素范圍成分分析（檢 測(cè)極限、深度）拓?fù)浞治觯ǚ直?率）其它分 析特點(diǎn)補(bǔ)充盧瑟福背散射RBS高能輕離子垂直 入射，背散射離子 的幾率與能量不能檢 測(cè)H、D （ 同 AES）0.01%,10nm成分定量分 析ERS高能重；離子斜入 射，彈性前沖粒子 的幾率與能量H、D、T0.01%，10nm成分定量分 析ISS中能輕離子斜入 射，自身散射的幾 率與能量表層第一層原 子（比AESXPSSIMS 更敏感）不能進(jìn)行成分定量分析掃描探針顯微鏡STM隧道電流形貌、原子排列恒高式，恒流 式AFM原子力形貌、原子排列導(dǎo)體、非導(dǎo)體 均可MFM磁場(chǎng)梯度隨空間 位置的變

4、化率磁疇、 磁化過(guò) 程、磁 現(xiàn)象直觀性差NSOM（近場(chǎng)掃描光學(xué)）光學(xué)性質(zhì)在空間 位置的變化形貌光發(fā) 射、吸 收譜場(chǎng)離子+原子FIM表面惰性氣體電 離二維原子 排列像探針（點(diǎn)、線 缺陷），納 米組織轉(zhuǎn) 變AP樣品表面原子在 強(qiáng)電場(chǎng)下電離一維原子成分 像（單原子識(shí) 別、微區(qū)質(zhì)譜、 深度質(zhì)譜）質(zhì)量分辨率 不高IAPFIM+AP二維平面某元素的面分布3D-AP3D-AP電極組分析到達(dá) 離子的飛行時(shí)間 與平面坐標(biāo)三維全元素立體排布元素晶界偏 析、彌散析出 物尺寸、分布儀器分析方法原理分析元素范圍成分分析（檢 測(cè)極限、深度）拓?fù)浞治觯ǚ直?率）其它分 析特點(diǎn)補(bǔ)充N(xiāo)MP（核探 針）RBS成分像（ppm）PIXE粒子誘發(fā)X-rayAl-成分像（1-2 ppm，數(shù)十四）背底比EDX 低2個(gè)數(shù)量 級(jí)NRAH-F(10-50ppm)Na(200-2000ppm)成分面分布、同位素含量、面分布PIGE粒子誘發(fā)r-rayLi-AlSEMCCM通道效應(yīng)晶格FIB（聚焦 離子 束）nE/SEM二次離子產(chǎn)額依 賴于不同部位的 入射角SIM/SIMS二次離子產(chǎn)額依 賴于表面成分、污 染層CCM二次離子產(chǎn)額依 賴于晶體相對(duì)入 射