1、單極偶極激電測(cè)深裝置示意圖由布極示意圖可以得到以下信息：1， 測(cè)量極布置好之后固定不動(dòng)，僅移動(dòng)供電極即可實(shí)現(xiàn)測(cè)量極范圍內(nèi)的視電阻率、充電率數(shù)據(jù)測(cè)量，并有較大的深度，效率較高。2， 記錄點(diǎn)為AO的中點(diǎn)，視深度為AO長度。3， 供電極在所有測(cè)量極左邊時(shí)為正向單偶極（AMN）數(shù)據(jù)，移到所有測(cè)量極右邊后就是反向單偶極（MNB）數(shù)據(jù),在測(cè)量極中間部位時(shí)，供電極左邊測(cè)量極為反向單偶極（MNB）數(shù)據(jù)，右邊測(cè)量極為正向單偶極（AMN）數(shù)據(jù)。供電極在兩個(gè)測(cè)量極之間不滿足裝置要求，是廢數(shù)據(jù)或不記錄。4， 按照此方法測(cè)量完成后，能得到四張有效圖件：AMN裝置的視電阻率和充電率，MNB裝置的視電阻率和充電率。5， 電

2、極的位置已經(jīng)滿足高密度測(cè)量方式的電極位置要求，將數(shù)據(jù)變換后，可以對(duì)其進(jìn)行高密度方式的視電阻率和充電率的反演，方便后期的分析解釋。一GDP32的數(shù)據(jù)格式說明測(cè)量完成后的GDP32的數(shù)據(jù)格式，生成為*.AVG文件，數(shù)據(jù)見下：說明：文件為文本格式，其中中文為說明方便后添加的，Tx為供電極坐標(biāo)，Rx為測(cè)量極坐標(biāo)，首供電極坐標(biāo)為-662.5米，末供電極位置為662.5米，每次供電極移動(dòng)25米，供電極在測(cè)量極兩邊對(duì)稱布置。首測(cè)量極坐標(biāo)為-400米，第9根測(cè)量極坐標(biāo)為0米，末測(cè)量極（第17根測(cè)量極）位置為400米。實(shí)際輸入坐標(biāo)為斜距和高程，GDP32系統(tǒng)處理為平距了，所以距離有差異，實(shí)際測(cè)量極距離為等間距的

3、50米。記錄點(diǎn)為AO的中點(diǎn)，（-662.5+(0+25)）/2=-318.75，（-662.5+(-400+25）/2=518.75,與文件中記錄點(diǎn)位置相符合。間隔系數(shù)=供電極到測(cè)量極的距離/測(cè)量極距離，為負(fù)值時(shí)為反向單偶極數(shù)據(jù)。App.Resist為視電阻率數(shù)據(jù)，為平距時(shí)裝置系數(shù)算出，后面需用斜距重算此視電阻率。二重算視電阻率為方便處理，將上面的數(shù)據(jù)放到excel表格中，先將供電極位置和間隔系數(shù)做了個(gè)主從排序，然后對(duì)Rx接收電極位置重新計(jì)算，數(shù)據(jù)中只記錄坐標(biāo)較小的測(cè)量極位置（即M極），見下圖：供電極在所有測(cè)量極左邊或右邊的數(shù)據(jù)均滿足單極偶極裝置要求，有完整的16個(gè)點(diǎn)，可以直接復(fù)制粘帖，即供電

4、極坐標(biāo)小于-400或大于400的數(shù)據(jù)。供電極在-400與400之間的數(shù)據(jù)因供電極正好在一組測(cè)量極中，不滿足裝置要求，有效點(diǎn)只有15個(gè)，需要單獨(dú)處理。復(fù)制后到下面粘帖供電極在12測(cè)量極間，這個(gè)數(shù)據(jù)沒有記錄，對(duì)照前面的間隔系數(shù)，實(shí)際測(cè)量極為23電極，因此坐標(biāo)為-350開始，(387.5-350)/50=0.75,與間隔系數(shù)相符（GDP32數(shù)據(jù)中的間隔系數(shù)精度位數(shù)不足）。供電極仍然小于-350，測(cè)量極位置因此與上一個(gè)供電極的測(cè)量極位置相同。GDP32數(shù)據(jù)給出的測(cè)量極位置是錯(cuò)誤的，可參考間隔系數(shù)來判斷。測(cè)量極坐標(biāo)位置全部編輯完成后，將其轉(zhuǎn)變?yōu)橐訫N中點(diǎn)為記錄點(diǎn)的數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中顯示的是M極位置，MN中點(diǎn)

5、位置在原位置加上MN距離的一半即可得到。把編輯好的數(shù)據(jù)導(dǎo)入視電阻率計(jì)算軟件，算出K值和視電阻率。見下圖，A列為測(cè)點(diǎn)位置（MN中點(diǎn)），測(cè)線列全為0，C列放入充電率，注意電流列要乘上1000，變?yōu)楹涟玻珹極x坐標(biāo)即是Tx發(fā)射極坐標(biāo)。點(diǎn)擊“算K”和“算Ps”圖標(biāo)，重算K值和視電阻率。算出的視電阻率與GDP32系統(tǒng)算出的視電阻率有一點(diǎn)差異，前面已說過，是由于平距和斜距的差異造成的，新算的K值均按斜距計(jì)算。在后期反演處理時(shí)所輸入的電極位置也是斜距。工作模式選為單邊三極編輯好的測(cè)點(diǎn)位置放入此列對(duì)算出的結(jié)果輸出為三極記錄點(diǎn)的數(shù)據(jù)格式（MN中點(diǎn)）。需要說明的是，數(shù)據(jù)輸出后沒有按間隔系數(shù)的正負(fù)單獨(dú)保存，所以還要

6、做一步工作。將數(shù)據(jù)放入表格中，用間隔系數(shù)再作一次排序，將AMN和MNB的數(shù)據(jù)分開，提取出來單獨(dú)保存。后面就可用此數(shù)據(jù)分別繪制AMN和MNB的視電阻率和充電率的等值線圖。三數(shù)據(jù)反演通過前面的介紹，我們可以看出供電極和測(cè)量極的位置均是有規(guī)律的。供電極到測(cè)量極的最小距離為12.5米，測(cè)量極距離為50米，為其4倍，供電極的位置也為12.5米的倍數(shù)，這實(shí)際上滿足高密度電阻率測(cè)量方式的電極位置，因此可以將此數(shù)據(jù)變換為高密度的數(shù)據(jù)格式，使用高密度的二維反演軟件對(duì)其進(jìn)行處理。相應(yīng)的，將前面算出的視電阻率和測(cè)點(diǎn)坐標(biāo)，供電極坐標(biāo)等數(shù)據(jù)放入反演格式轉(zhuǎn)換軟件中，將供電極和測(cè)量極的坐標(biāo)位置和高程放入右邊地形表格中，選擇轉(zhuǎn)換模式為三極測(cè)深，選中輸入極化率，選中指定電極間距為12.5米，在“文件”中點(diǎn)擊“轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)高密度反演格式”即可輸出為帶地形的、有極化率數(shù)據(jù)、視電阻率數(shù)據(jù)的res2dinv反演格式。四成果圖件視電阻率反演結(jié)果：視充電率反演結(jié)果：正向單極偶極視電阻率斷面（res2dinv軟件中記錄點(diǎn)為排列的中點(diǎn)）：反向單極偶極視電阻率斷面（res2dinv軟件中記錄點(diǎn)為排列的中點(diǎn)）：以MN中點(diǎn)作為記錄點(diǎn)(國內(nèi)的定義方式)的等值線圖：前幾層剖面重復(fù)較多的點(diǎn)可以按MN中點(diǎn)繪制連剖曲線：對(duì)于視極化率和視充電率的關(guān)系，兩者并沒有本質(zhì)的不