標(biāo)準(zhǔn)解讀

《DB32/T 4027-2021 石墨烯粉體電導(dǎo)率測定 動態(tài)四探針法》是一項地方標(biāo)準(zhǔn)，適用于石墨烯粉體材料的電導(dǎo)率測量。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了使用動態(tài)四探針技術(shù)來測定石墨烯粉體電導(dǎo)率的方法。根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測試過程包括準(zhǔn)備樣品、設(shè)置儀器參數(shù)、進行測量以及處理數(shù)據(jù)等步驟。

首先，在樣品準(zhǔn)備階段，需要確保所選石墨烯粉體具有代表性，并且在實驗前應(yīng)將其均勻分散。對于如何制備試樣，《DB32/T 4027-2021》給出了具體指導(dǎo)，比如推薦使用特定方法或設(shè)備將粉末壓制成片狀以方便后續(xù)操作。

接下來是儀器配置與校準(zhǔn)環(huán)節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)描述了所需使用的四探針系統(tǒng)及其組成部分，包括但不限于四個線性排列的探針（通常為鎢絲或鉑銥合金制成）、電流源、電壓表等。此外，還強調(diào)了在正式開始測量之前必須對整個系統(tǒng)進行精確校正的重要性。

然后進入實際測量階段。按照《DB32/T 4027-2021》的規(guī)定，通過向樣品施加一定大小的直流電流并同時記錄下兩端之間的電壓差值來進行電導(dǎo)率計算。值得注意的是，為了獲得更準(zhǔn)確的結(jié)果，建議重復(fù)多次測量并取平均值作為最終結(jié)果。

最后，在數(shù)據(jù)處理方面，該標(biāo)準(zhǔn)提供了具體的公式用于將測得的電壓和電流轉(zhuǎn)換成電導(dǎo)率值。同時也指出了可能影響測量精度的因素及相應(yīng)的解決措施，如溫度變化、接觸電阻等。


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  • 2021-05-14 頒布
  • 2021-06-14 實施
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DB32/T 4027-2021石墨烯粉體電導(dǎo)率測定動態(tài)四探針法_第1頁
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文檔簡介

ICS1704020

CCSQ.53.

江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)

DB32/T4027—2021

石墨烯粉體電導(dǎo)率測定

動態(tài)四探針法

Determinationofelectricalconductivityofgraphenepowder—

Dynamicfourpointprobemethod

2021-05-14發(fā)布2021-06-14實施

江蘇省市場監(jiān)督管理局發(fā)布

江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)

石墨烯粉體電導(dǎo)率測定

動態(tài)四探針法

DB32/T4027—2021

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20217

*

書號

:155066·5-3362

版權(quán)專有侵權(quán)必究

DB32/T4027—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由江蘇省石墨烯標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

。

本文件起草單位江南石墨烯研究院江蘇江南烯元石墨烯科技有限公司國成儀器常州有限公

:、、()

司中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所常州檢驗檢測標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證研究院常州大學(xué)常州第六元素科技有限

、、、、

公司

。

本文件主要起草人張小敏董國材姜鵬周志峰陳智棟梁楓唐潤禮

:、、、、、、。

Ⅰ

DB32/T4027—2021

石墨烯粉體電導(dǎo)率測定

動態(tài)四探針法

1范圍

本文件規(guī)定了利用四探針動態(tài)測定石墨烯粉體電導(dǎo)率的方法

。

本文件適用于氧化還原法和化學(xué)插層剝離法等方法制備的壓實后電導(dǎo)率無宏觀各向異性的石墨烯

粉體的電導(dǎo)率測定

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

納米技術(shù)術(shù)語第部分石墨烯及相關(guān)二維材料

GB/T30544.1313:

固體絕緣材料介電和電阻特性第部分電阻特性方法體積電阻和體

GB/T31838.22:(DC)

積電阻率

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

石墨烯graphene

由一個碳原子與周圍三個近鄰碳原子結(jié)合形成蜂窩狀結(jié)構(gòu)的碳原子單層

。

注1它是許多碳納米物體的重要構(gòu)建單元

:。

注2由于石墨烯僅有一層因此通常被稱為單層石墨烯石墨烯縮寫為以便區(qū)別于縮寫為的雙層石墨

:,。1LG,2LG

烯和縮寫為的少層石墨烯

FLG。

注3石墨烯有邊界并且在碳碳鍵遭到破壞的地方有缺陷和晶界

:,-。

來源

[:GB/T30544.13—2018,]

32

.

體積電阻率electricalresistivity

ρ

在給定的時間及電壓下直流電場強度與材料內(nèi)部電流密度之比

,。

注1在實際中體積電阻率通常被視為單位體積內(nèi)的體積電阻

:,。

注2體積電阻率的單位用表示實際上由于石墨烯粉體電阻率較小可使用

:Ω·m。,Ω·cm。

來源

[:GB/T31838.2—2019,

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