晶圓測(cè)試工藝項(xiàng)目五項(xiàng)目導(dǎo)讀本項(xiàng)目從扎針測(cè)試任務(wù)入手，先讓讀者對(duì)晶圓測(cè)試工藝有一個(gè)初步了解；然后詳細(xì)介紹扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)、晶圓烘烤等專業(yè)技能。通過(guò)晶圓打點(diǎn)、晶圓烘烤的任務(wù)實(shí)施，讓讀者進(jìn)一步了解晶圓測(cè)試工藝。知識(shí)目標(biāo)1.了解晶圓測(cè)試2.掌握扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的工藝操作3.掌握扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的質(zhì)量評(píng)估4.會(huì)識(shí)讀扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤工藝相關(guān)的隨件單技能目標(biāo)1.能正確操作扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的設(shè)備，設(shè)置相關(guān)設(shè)備的常規(guī)參數(shù)2.能正確排查扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤常見(jiàn)異常故障教學(xué)重點(diǎn)1．扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的工藝2．檢驗(yàn)扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的質(zhì)量教學(xué)難點(diǎn)扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的實(shí)施建議學(xué)時(shí)6學(xué)時(shí)推薦教學(xué)方法從任務(wù)入手，通過(guò)扎針測(cè)試的操作，讓讀者了解扎針測(cè)試的工藝操作，進(jìn)而通過(guò)晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤的操作，熟悉晶圓測(cè)試的質(zhì)量評(píng)估推薦學(xué)習(xí)方法勤學(xué)勤練、動(dòng)手操作是學(xué)好晶圓測(cè)試工藝的關(guān)鍵，動(dòng)手完成晶扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)與晶圓烘烤任務(wù)實(shí)施，通過(guò)“邊做邊學(xué)”達(dá)到更好的學(xué)習(xí)效果5.1認(rèn)識(shí)晶圓測(cè)試

集成電路制造流程

晶圓檢測(cè)又稱晶圓針測(cè)CP（ChipProber），是在硅片級(jí)集成電路上的電學(xué)參數(shù)測(cè)試與功能測(cè)試，保證集成電路性能參數(shù)一致性。

每顆IC在后工序之前都必須進(jìn)行CP，以驗(yàn)證產(chǎn)品的功能是否正常，并挑出不良的產(chǎn)品和區(qū)分性能等級(jí)。5.1認(rèn)識(shí)晶圓測(cè)試

晶圓測(cè)試01測(cè)試環(huán)境02測(cè)試工具03工藝流程04測(cè)試目的

1、測(cè)試車(chē)間符合萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)；2、溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。

晶圓測(cè)試的目的是在晶圓制造完成后，對(duì)晶圓上各個(gè)獨(dú)立的晶粒加以檢測(cè)，將良品晶粒與不良品晶粒分開(kāi)，不良品的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，以利于后續(xù)工藝的處理。1、測(cè)試機(jī)；2、探針臺(tái)（全自動(dòng)、半自動(dòng)）。5.1認(rèn)識(shí)晶圓測(cè)試

著裝測(cè)試機(jī)半自動(dòng)探針臺(tái)全自動(dòng)探針臺(tái)測(cè)試環(huán)境及測(cè)試工具5.1認(rèn)識(shí)晶圓測(cè)試

工藝流程晶圓測(cè)試工藝流程

由于集成電路的規(guī)模不斷擴(kuò)大，新材料和新工藝的迅速引入，在工藝制造過(guò)程中，需要時(shí)刻關(guān)注晶圓產(chǎn)品是否符合產(chǎn)品規(guī)格。晶圓制造完成之后，通過(guò)完整的晶圓測(cè)試，確保有缺陷的晶圓不會(huì)被送到客戶里。5.1認(rèn)識(shí)晶圓測(cè)試

晶圓測(cè)試工藝流程扎針測(cè)試：檢測(cè)晶圓的功能和性能參數(shù)是否滿足要求，將合格的晶粒先于封裝前選出，減少后續(xù)的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。晶圓打點(diǎn)：用打點(diǎn)器對(duì)測(cè)試不良品的晶粒、沿邊直接剔除區(qū)域的晶粒打上墨點(diǎn)，便于在封裝時(shí)進(jìn)行剔除，降低成本。晶圓烘烤：將晶粒上的墨點(diǎn)進(jìn)行固化，防止在后續(xù)工藝環(huán)節(jié)中被液體沖洗掉。5.2扎針測(cè)試

使用測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)以及探針測(cè)試卡等設(shè)備，完成晶圓的功能和性能參數(shù)的檢測(cè)，將合格的晶粒先于封裝前選出。完成晶圓工藝情況的檢測(cè)，以及評(píng)估晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性。5.2扎針測(cè)試

5.2.1認(rèn)識(shí)扎針測(cè)試

扎針測(cè)試作用：測(cè)量特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)的電性規(guī)格要求。扎針測(cè)試是整個(gè)集成電路制造中的關(guān)鍵性一個(gè)環(huán)節(jié)。扎針測(cè)試是在晶圓制造結(jié)束之后和品質(zhì)檢驗(yàn)之前進(jìn)行的。5.2扎針測(cè)試

5.2.1認(rèn)識(shí)扎針測(cè)試

扎針的質(zhì)量要求合格的扎針，應(yīng)該落在晶粒上的接點(diǎn)（PAD）中央位置，且扎針深度適宜，其扎針情況如圖所示。5.2扎針測(cè)試

使用測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)以及探針測(cè)試卡等設(shè)備，完成晶圓的功能和性能參數(shù)的檢測(cè)，將合格的晶粒先于封裝前選出。完成晶圓工藝情況的檢測(cè)，以及評(píng)估晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性。5.2扎針測(cè)試

5.2.2扎針測(cè)試設(shè)備

測(cè)試機(jī)是測(cè)量集成電路芯片（即晶粒）或封裝后的集成電路器件電器參數(shù)的設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)性能參數(shù)的測(cè)試、測(cè)試程序的下載、測(cè)試信號(hào)的施加、測(cè)試數(shù)據(jù)的采集等功能。主要由PC機(jī)、測(cè)試主機(jī)、測(cè)試板（DUT板）、測(cè)試終端接口、數(shù)據(jù)線等幾部分組成。測(cè)試機(jī)主要由測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)與探針測(cè)試卡等組成。5.2扎針測(cè)試

5.2.2扎針測(cè)試設(shè)備

探針臺(tái)是利用金屬探針，將晶圓上集成電路芯片的電極與測(cè)試機(jī)聯(lián)接起來(lái)，以完成集成電路性能參數(shù)測(cè)試的電子機(jī)械設(shè)備，如右圖所示。探針臺(tái)探針測(cè)試卡探針測(cè)試卡是連接測(cè)試系統(tǒng)和晶圓的測(cè)試接點(diǎn)。典型的探針測(cè)試卡是一個(gè)帶有很多細(xì)針的印刷電路板，由這些細(xì)針同晶圓進(jìn)行物理和電學(xué)接觸，如右圖所示。知識(shí)目標(biāo)掌握扎針測(cè)試流程能利用虛擬仿真軟件，設(shè)置測(cè)試參數(shù)進(jìn)行扎針測(cè)試能分析扎針異常技能目標(biāo)5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批扎針測(cè)試流程設(shè)備運(yùn)行測(cè)試員領(lǐng)料確認(rèn)5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（1）領(lǐng)料確認(rèn)核對(duì)晶圓數(shù)量5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（2）導(dǎo)片核對(duì)晶圓批號(hào)5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（2）導(dǎo)片注意：使用晶圓鑷子夾取晶圓時(shí)，應(yīng)采用“握筆式”，晶圓鑷子的“短邊”（鋸狀頭）應(yīng)置于晶圓正面，晶圓鑷子的“長(zhǎng)邊”（平頭）應(yīng)置于晶圓背面，夾晶圓的空白部分，不可傷及晶圓。上片5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（3）上片注意：在花籃放置時(shí)，要將有印章的晶圓正面朝上。此時(shí)，承重臺(tái)前的兩盞指示燈均處于燈滅狀態(tài)，其中綠燈表示上升，紅燈表示下降。前后移動(dòng)花籃，將花籃固定在承重臺(tái)上。（b）參數(shù)界面2

（a）參數(shù)界面15.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（1）探針臺(tái)參數(shù)核對(duì)MAP圖信息5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（2）核對(duì)MAP圖信息扎針調(diào)試5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（3）扎針調(diào)試調(diào)用測(cè)試程序5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（4）調(diào)用測(cè)試程序填寫(xiě)隨件單5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批設(shè)備運(yùn)行5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施填寫(xiě)隨件單5.2.3扎針測(cè)試實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批

扎針測(cè)試完成后，清理工作臺(tái)，并將測(cè)試后的晶圓送至中轉(zhuǎn)站，等待打點(diǎn)操作。5.2扎針測(cè)試

5.2.4扎針測(cè)試常見(jiàn)異常故障排除

測(cè)試機(jī)界面上會(huì)實(shí)時(shí)顯示良品率，在測(cè)試過(guò)程中，需要保證扎針測(cè)試的良品率大于標(biāo)準(zhǔn)良品率，如果良品率偏低，那么需要進(jìn)行故障排除。良品率異常現(xiàn)象，如圖顯所示。良品率異常良品率異常5.2扎針測(cè)試

5.2.4扎針測(cè)試常見(jiàn)異常故障排除

出現(xiàn)良品率異常情況后，要暫停測(cè)試，然后對(duì)可能出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行排查。異常分析：是由扎針位置錯(cuò)誤或電路本身質(zhì)量不良造成的。解決方法：當(dāng)扎針位置錯(cuò)誤時(shí)，需要調(diào)整探針位置；當(dāng)電路質(zhì)量出錯(cuò)時(shí)，需要相關(guān)人員進(jìn)行確認(rèn)。良品率異常5.2扎針測(cè)試

5.2.4扎針測(cè)試常見(jiàn)異常故障排除

若針印整體偏移，這表明在扎針調(diào)試時(shí)，探針卡在晶粒上的位置存在整體偏移的問(wèn)題。解決方法：修改參數(shù)設(shè)置，調(diào)整晶圓與探針測(cè)試卡到合適位置，保證測(cè)試時(shí)針印在PAD點(diǎn)中央。若針印單個(gè)偏移，則表示探針卡的整體位置調(diào)試無(wú)誤，但單個(gè)探針的位置有問(wèn)題。解決方法：調(diào)整對(duì)應(yīng)的某個(gè)探針的位置，直到調(diào)試正確。針印偏移針印偏移5.2扎針測(cè)試

5.2.4扎針測(cè)試常見(jiàn)異常故障排除

若針印整體扎透，這表明在扎針調(diào)試時(shí)，探針卡位置過(guò)低，導(dǎo)致所有探針扎透PAD點(diǎn)鋁層。解決方法：在參數(shù)界面上調(diào)節(jié)扎針的深度。若單個(gè)針印扎透，則表示探針卡的整體高度調(diào)試無(wú)誤，但單個(gè)探針過(guò)低。解決方法：技術(shù)人員要調(diào)整對(duì)應(yīng)的探針。針印過(guò)深針印過(guò)深5.3晶圓打點(diǎn)

使用烘烤型墨水，在測(cè)試不合格的晶粒和沿邊直接剔除區(qū)域的晶粒中央打上墨點(diǎn)。要求合格的墨點(diǎn)必須控制在晶粒面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.1認(rèn)識(shí)晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)的作用在晶圓上，每顆晶粒的外觀相同，很難區(qū)分合格的晶粒與不合格的晶?；蜓剡吿蕹齾^(qū)域的晶粒，此時(shí)給測(cè)試不合格的晶粒和沿邊直接剔除區(qū)域的晶粒中央打上墨點(diǎn)，可作為區(qū)分標(biāo)記，便于識(shí)別。在后續(xù)的封裝過(guò)程中通過(guò)墨點(diǎn)進(jìn)行判別，減少了工藝中材料和設(shè)備損耗，從而降低封裝成本。5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.1認(rèn)識(shí)晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)原材料打點(diǎn)時(shí)所用的墨水通常為6993烘烤型墨水，打點(diǎn)后需要進(jìn)行高溫烘烤。根據(jù)晶粒大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。（1）5mil墨管針尖細(xì)，墨點(diǎn)尺寸大小為125μm，晶粒尺寸大小在2.0以下，適用于晶粒面積小的晶圓。常用于5英寸、6英寸的晶圓。（2）30mil墨管針尖較粗，墨點(diǎn)尺寸大小為750μm，晶粒尺寸大小在4.0以上，適用于晶粒面積大的晶圓。常用于8英寸、12英寸的晶圓。墨管5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.1認(rèn)識(shí)晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)的質(zhì)量要求打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在晶粒面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。合格的墨點(diǎn)，如圖所示。占晶粒面積的1/4占晶粒面積的1/3打點(diǎn)不合格的現(xiàn)象，主要有墨點(diǎn)位置偏移、墨點(diǎn)大小不一致、墨點(diǎn)有空心等。5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.2晶圓打點(diǎn)設(shè)備晶圓打點(diǎn)一般在探針臺(tái)上進(jìn)行，探針臺(tái)可分為手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)3種。其中，全自動(dòng)探針臺(tái)一般是扎針測(cè)試和打點(diǎn)一體的設(shè)備，主要由上片區(qū)、顯示區(qū)和打點(diǎn)區(qū)等3部分組成。探針臺(tái)晶圓放置的位置，從該位置取放晶圓。調(diào)用打點(diǎn)MAP圖以及顯示打點(diǎn)過(guò)程。設(shè)備工作區(qū)，打點(diǎn)運(yùn)行后，設(shè)備自動(dòng)完成取片、聚焦、清零、打點(diǎn)、收料等一系列操作，完成晶粒的打點(diǎn)過(guò)程。知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓打點(diǎn)實(shí)施流程能利用虛擬仿真軟件，設(shè)置相關(guān)參數(shù)進(jìn)行打點(diǎn)實(shí)施技能目標(biāo)5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批晶圓打點(diǎn)流程設(shè)備運(yùn)行物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批設(shè)備運(yùn)行5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批設(shè)備運(yùn)行5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施（b）參數(shù)界面2

（a）參數(shù)界面15.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（1）探針臺(tái)參數(shù)晶圓測(cè)試記錄單1晶圓測(cè)試記錄單25.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（2）核對(duì)MAP圖信息墨管選擇5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（3）墨管選擇注意：使用搖桿調(diào)節(jié)墨點(diǎn)位置，使墨點(diǎn)處于晶粒的中央，并保證墨點(diǎn)大小占晶粒面積的1/4~1/3大小，且不能覆蓋PAD點(diǎn)物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批設(shè)備運(yùn)行5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施探針臺(tái)顯示器界面5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（1）啟動(dòng)打點(diǎn)打點(diǎn)5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（2）打點(diǎn)注意：對(duì)焦是為了使圖像清晰地顯示，保證設(shè)備能夠正確完成自動(dòng)識(shí)別、在打點(diǎn)查看時(shí)能夠清楚顯示墨點(diǎn)；在打點(diǎn)過(guò)程中，需要查看打點(diǎn)位置是否正確，以便于做出相應(yīng)的調(diào)整。晶圓放大5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批（3）首檢

該項(xiàng)檢查可以保證后續(xù)打點(diǎn)的正確性，如果前期數(shù)據(jù)設(shè)置有誤，就能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，并進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，從而提高墨點(diǎn)的合格率。物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批設(shè)備運(yùn)行5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施填寫(xiě)隨件單5.3.3晶圓打點(diǎn)實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3設(shè)備運(yùn)行--4.結(jié)批5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.4晶圓打點(diǎn)常見(jiàn)異常故障排除

墨點(diǎn)在晶粒中央且大小合適，可繼續(xù)進(jìn)行打點(diǎn)操作。對(duì)于打點(diǎn)不合格的異?，F(xiàn)象，需要進(jìn)行相應(yīng)的故障排除。常見(jiàn)異常分為以下幾種：墨點(diǎn)位置偏移且偏移情況一致墨點(diǎn)位置偏移且偏移情況不一致墨點(diǎn)大小不一致或有空心5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.4晶圓打點(diǎn)常見(jiàn)異常故障排除

異常分析：墨點(diǎn)位置整體偏移，不在各晶粒的中央。界面中墨點(diǎn)偏移情況一致，可以判斷是打點(diǎn)器針尖的位置調(diào)節(jié)錯(cuò)誤導(dǎo)致的，需要調(diào)整打點(diǎn)器針尖的位置，保證打點(diǎn)正確。解決方法：需要整體調(diào)節(jié)打點(diǎn)器的位置，保證針尖打點(diǎn)的位置在晶粒的中央。墨點(diǎn)位置偏移且偏移情況一致位置偏移且偏移情況一致5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.4晶圓打點(diǎn)常見(jiàn)異常故障排除

異常分析：晶圓中的墨點(diǎn)在晶粒上偏移情況不一致，即墨點(diǎn)在每個(gè)晶粒的不同位置，這是由步進(jìn)設(shè)置不合理而引起的。解決方法：重新設(shè)置載片臺(tái)移動(dòng)步進(jìn)，保證載片臺(tái)移動(dòng)步進(jìn)與每顆晶粒中央位置間距一致。墨點(diǎn)位置偏移且偏移情況不一致位置偏移且偏移情況不一致5.3晶圓打點(diǎn)

5.3.4晶圓打點(diǎn)常見(jiàn)異常故障排除

異常分析：墨點(diǎn)大小不一致或有空心的異?，F(xiàn)象，是由于墨管出墨異常引起的。其中，墨點(diǎn)大小不一致可能是因?yàn)槟軆?nèi)的墨水不足；有空心的墨點(diǎn)可能是因?yàn)槌瞿珪r(shí)管內(nèi)有空氣殘留。解決方法：更換墨管。墨點(diǎn)大小不一致或有空心大小不一致或有空心5.4晶圓烘烤

使用晶圓烘烤設(shè)備，采用晶圓烘烤工藝，將打點(diǎn)后的墨點(diǎn)進(jìn)行烘烤固定。要求合格的墨點(diǎn)應(yīng)正常固化且不開(kāi)裂。5.4晶圓烘烤

5.4.1認(rèn)識(shí)晶圓烘烤烘烤是在烘箱中進(jìn)行的，其目的是將打點(diǎn)后的墨點(diǎn)進(jìn)行固定，防止在后續(xù)工藝環(huán)節(jié)中因液體沖擊而被洗掉。晶圓烘烤的作用在集成電路制造過(guò)程中，會(huì)對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，為防止標(biāo)記的墨點(diǎn)在制作過(guò)程中被清洗掉而影響后續(xù)工藝，需要根據(jù)墨水的特性對(duì)晶圓進(jìn)行烘烤，以起到固化墨點(diǎn)的作用。晶圓烘烤的質(zhì)量要求晶圓烘烤后，合格的墨點(diǎn)應(yīng)正常固化且不開(kāi)裂。5.4晶圓烘烤

5.4.2

晶圓烘烤設(shè)備烘箱也稱高溫烘干箱，是一種進(jìn)行高溫加熱的烘烤設(shè)備，其在烘烤時(shí)可以提供潔凈無(wú)塵的烘烤環(huán)境。溫度顯示采用數(shù)字顯示，具有觀察直觀、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。設(shè)備主要由參數(shù)設(shè)置區(qū)和烘烤區(qū)組成。注意：烘箱每層放入的產(chǎn)品，不得超過(guò)該層空間的三分之二。烘箱參數(shù)設(shè)置區(qū)是設(shè)置烘烤溫度和烘烤時(shí)間的，主要包括電源開(kāi)關(guān)、參數(shù)選擇、參數(shù)設(shè)置和溫度顯示等部分。烘烤區(qū)是烘箱的箱體內(nèi)部，進(jìn)行高溫烘烤的區(qū)域。裝有待烘晶圓的高溫花籃放置于烘烤架上，在烘烤的整個(gè)過(guò)程中，烘箱內(nèi)部處于一個(gè)密封的狀態(tài)。知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓烘烤實(shí)施流程能利用虛擬仿真軟件，設(shè)置相關(guān)參數(shù)進(jìn)行晶圓烘烤實(shí)施技能目標(biāo)5.4.3晶圓烘烤實(shí)施5.4.3晶圓烘烤實(shí)施物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批晶圓烘烤流程物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批5.4.3晶圓烘烤實(shí)施測(cè)試員簽字確認(rèn)物料5.3.3晶圓烘烤實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3結(jié)批（1）領(lǐng)料確認(rèn)5.3.3晶圓烘烤實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3結(jié)批（2）導(dǎo)片清點(diǎn)晶圓數(shù)量核對(duì)晶圓批號(hào)與片號(hào)物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批5.4.3晶圓烘烤實(shí)施物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批5.4.3晶圓烘烤實(shí)施5.3.3晶圓烘烤實(shí)施1.物料準(zhǔn)備--2.參數(shù)設(shè)置--3結(jié)批填寫(xiě)隨件單5.4晶圓烘烤5.4.4晶圓烘烤常見(jiàn)異常故障排除

異常分析：設(shè)置的烘烤時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或烘烤溫度過(guò)高，導(dǎo)致墨點(diǎn)內(nèi)的水分過(guò)度蒸發(fā)。解決方法：測(cè)試員利用清洗液將墨點(diǎn)擦除，對(duì)晶圓重新進(jìn)行打點(diǎn)操作，并在高溫固化時(shí)重新設(shè)置烘烤的溫度和時(shí)間。墨點(diǎn)開(kāi)裂墨點(diǎn)開(kāi)裂5.4晶圓烘烤5.4.4晶圓烘烤常見(jiàn)異常故障排除

異常分析：設(shè)置的烘烤時(shí)間過(guò)短或烘烤溫度過(guò)低，導(dǎo)致墨點(diǎn)烘烤程度不夠。解決方法：測(cè)試員對(duì)烘烤溫度和時(shí)間的設(shè)置情況，重新進(jìn)行確認(rèn)。如果參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤，需要對(duì)固化時(shí)間和溫度重新設(shè)置，再次進(jìn)行烘烤；如果是由于設(shè)備故障引起的，需要通知相關(guān)技術(shù)人員進(jìn)行維修解決。墨點(diǎn)未固化墨點(diǎn)未固化關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)梳理1．晶圓檢測(cè)又稱晶圓針測(cè)，是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒（裸片）進(jìn)行針測(cè)，測(cè)試其的功能和性能參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。2．晶圓測(cè)試的目的是在晶圓制造完成后，對(duì)晶圓上各個(gè)獨(dú)立的晶粒加以檢測(cè)，將良品晶粒與不良品晶粒分開(kāi)，不良品的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，以利于后續(xù)工藝的處理。（1）在把晶圓切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不良品晶粒會(huì)被洮汰，不再進(jìn)行下—道工序，以免增加制造成本。對(duì)于有過(guò)多不合良品晶粒的晶圓，需要保存用于修正處理。關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)梳理（2）在晶圓測(cè)試完成之后，還可以得到晶圓良品率的重要數(shù)據(jù)。對(duì)晶圓良品率的分析，可以判斷出前段工序中的異常問(wèn)題，從而在開(kāi)發(fā)階段就能找出良品率偏低的真正原因。（3）良品晶粒與不良品晶粒在晶圓上的位置，會(huì)在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來(lái)，用來(lái)分析每片晶圓的工藝情況，評(píng)估晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性3．典型的晶圓測(cè)試工藝流程主要包括扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)、晶圓烘烤以及外觀檢查4個(gè)環(huán)節(jié)。關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)梳理4．扎針測(cè)試是晶圓測(cè)試工藝中至關(guān)重要的一環(huán)。其主要作用包括：測(cè)量特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)的電性規(guī)格要求。扎針測(cè)試的設(shè)備主要由測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)、探針測(cè)試卡組成。合格的扎針，應(yīng)該落在晶粒上的接點(diǎn)（PAD）中央位置，且扎針深度適宜。在扎針測(cè)試過(guò)程中，主要有良品率異常、針印偏移和針印過(guò)深等常見(jiàn)的異常現(xiàn)象。關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)梳理